一、開通延時(shí)。

t1時(shí)刻Vge上升到10%，t2時(shí)刻Ic上升到10%，開通延時(shí)td(on)=t2-t1。

二、關(guān)斷延時(shí)。

t1時(shí)刻Vge下降到90%，t2時(shí)刻Ic下降到90%，關(guān)斷延時(shí)td(off)=t2-t1。

三、上升時(shí)間。

t1時(shí)刻Ic上升到10%，t2時(shí)刻Ic上升到90%（不算過沖部分），上升時(shí)間tr=t2-t1。

四、下降時(shí)間。

t1時(shí)刻Ic下降到90%，t2時(shí)刻Ic下降到10%，下降時(shí)間tr=t2-t1。

五、Vce飽和電壓。

IGBT導(dǎo)通時(shí)，CE兩端呈現(xiàn)低阻抗，所以壓降也很小。

六、Vces。

IGBT截止時(shí)，CE兩端的最大擊穿電壓。

七、開通耗損和關(guān)斷耗損。

IGBT開通時(shí)Vce減少，Ic增大，虛線之間，Eon=Vce、Ic、t所圍成的面積；

IGBT關(guān)斷時(shí)Vce增大，Ic減少，虛線之間，Eoff=Vce、Ic、t所圍成的面積。

八、輸入電容。

輸出短路（CE短接），輸入電容Cies=CGC+CGE。

九、輸出電容。

輸入短路（GE短接），輸出電容Coes=CGC+CEC。

十、米勒電容。

跨接在G、C之間的電容，叫米勒電容Cres，也叫反向傳輸電容。

十一、門極電荷。

也稱柵極電荷，用于衡量驅(qū)動(dòng)門極，所需要能量。

十二、SOA。

安全工作區(qū)。分為FBSOA（正偏安全工作區(qū)）、RBSOA（反偏安全工作區(qū)）、SCSOA（短路安全工作區(qū)）。

FBSOA，與工藝相關(guān)，得到電壓-電流密度曲線，如下圖所示。

RBSOA，與Vce電壓、Ic電流相關(guān)，得到電壓-電流曲線，曲線所包圍的面積為安全工作區(qū)，如下圖所示。

SCSOA，與門極開通時(shí)間、Ic電流相關(guān)。逐步增大門極開通時(shí)間，再測(cè)Ic電流，得到時(shí)間-電流曲線，如下圖所示。

十三、結(jié)溫。

IGBT內(nèi)部的溫度。

十四、殼溫。

IGBT外殼的溫度。

十五、短路電流。

10us內(nèi)瞬時(shí)流過IGBT，CE兩端的最大電流。

十六、集電極重復(fù)峰值電流。

可以重復(fù)地讓IGBT，CE兩端在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通，所能承受的最大電流。

審核編輯：湯梓紅