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詳解SC-I清洗的化學(xué)模型

華林科納hlkn ? 來(lái)源:華林科納hlkn ? 作者:華林科納hlkn ? 2022-03-25 17:01 ? 次閱讀
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RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔,在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟:標(biāo)準(zhǔn)清潔1(SC-1)和標(biāo)準(zhǔn)清潔2(SC-2)。SC-1溶液由氫氧化銨、過(guò)氧化氫和水的混合物組成,是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最有效的顆粒去除劑。這種混合物也被稱為氫氧化胺、過(guò)氧化氫混合物(APM)。SC-I溶液通過(guò)蝕刻顆粒下面的晶片來(lái)促進(jìn)顆粒去除;從而松動(dòng)顆粒,使機(jī)械力可以很容易地從晶圓表面去除顆粒。

本文將討論一個(gè)詳細(xì)的SC-I清洗的化學(xué)模型。了解導(dǎo)致氧化物同時(shí)生長(zhǎng)和蝕刻的化學(xué)性質(zhì),為優(yōu)化顆粒去除,同時(shí)盡量減少氣體液體界面的形成提供了基礎(chǔ)。

溶液化學(xué)

SC-1中晶片表面氧化物的生長(zhǎng)速率由溫度、過(guò)氧化氫濃度和pH決定。此外,由于活性物質(zhì)在與硅反應(yīng)之前必須通過(guò)現(xiàn)有的氧化物擴(kuò)散,因此該反應(yīng)是受運(yùn)輸限制的,因此是氧化物厚度的函數(shù)。氧化物的厚度隨同時(shí)蝕刻和氧化物的生長(zhǎng)而變化。因此,厚度是反應(yīng)時(shí)間的函數(shù)。此外,識(shí)別最可能的氧化物種對(duì)于準(zhǔn)確的氧化物溶液中氧化物生長(zhǎng)模型是必要的。先前的分析表明,H202可能不是主要的氧化物種。

氧化物生長(zhǎng)的濃度依賴性

在SC-1和H202溶液中發(fā)現(xiàn)了兩種不同的氧化物質(zhì):H202和超氧化氫。這兩種氧化劑的相對(duì)濃度在兩種溶液之間存在很大差異。

其中CH202和CNH3是化學(xué)物質(zhì)混合物的正式過(guò)氧化氫和氨濃度。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,SC-1溶液的氧化速率遠(yuǎn)高于純過(guò)氧化物溶液。SC-1中的最終氧化物厚度會(huì)在非常短的暴露時(shí)間后達(dá)到,而在過(guò)氧化物溶液中,只有在大約50分鐘后才能獲得類似的氧化物厚度。

詳解SC-I清洗的化學(xué)模型

圖3:不同濃度下H202溶液中氧化物厚度隨時(shí)間的函數(shù)

氧化物生長(zhǎng)的時(shí)間依賴性

事實(shí)上,化學(xué)氧化物的最大厚度是9A,因?yàn)樵撗趸锸窃赟C-I或純過(guò)氧化物溶液中產(chǎn)生的。由于氧化物在純過(guò)氧化氫溶液和SC-1溶液中停止生長(zhǎng),數(shù)據(jù)表明其他一些運(yùn)輸限制可能是活躍的。在氧化物和硅之間的界面附近,與局部電荷相關(guān)的極化能可以直接影響帶電物質(zhì)的輸運(yùn)。界面上局部電荷的存在提供了一種動(dòng)力,通過(guò)近距離擴(kuò)散影響輸運(yùn)。

結(jié)果表明,A的符號(hào)為負(fù)的,說(shuō)明陰離子是氧化膜生長(zhǎng)過(guò)程中的活性氧化物質(zhì)。這一證 據(jù)再次表明,超氧化氫是主要的氧化劑。

詳解SC-I清洗的化學(xué)模型

圖6:實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)(6)與圖像電荷模型的比較

結(jié)論

氧化物的生長(zhǎng)發(fā)生在純物之間的界面上。硅和現(xiàn)有的氧化物,因此是一個(gè)運(yùn)輸有限的反應(yīng)。本文對(duì)已發(fā)表的數(shù)據(jù)進(jìn)行的分析表明,負(fù)責(zé)氧化物生長(zhǎng)的主要氧化劑是過(guò)氧化物陰離子,超氧化氫”。數(shù)據(jù)表明,SC-I溶液的生長(zhǎng)速度明顯快于過(guò)氧化物溶液。在SC-1溶液中,超氧化氫由于氫氧化銨的存在而導(dǎo)致的濃度增加;因此,由于氧化劑濃度較高,生長(zhǎng)速度更快。H20 2 在兩種溶液中的濃度大致相同,因此如果H20 2 是主要的活性氧化物種,則預(yù)計(jì)兩種溶液之間的生長(zhǎng)速率不會(huì)發(fā)生變化。此外,任何一種溶液的增長(zhǎng)率都與的濃度也與 成正比。這些比例關(guān)系表明,一個(gè)簡(jiǎn)單的一階反應(yīng),或與超氧化氫的運(yùn)輸有限反應(yīng)是氧化物生長(zhǎng)的主要原因。最后,基于簡(jiǎn)單菲克擴(kuò)散的模型無(wú)法擬合數(shù)據(jù)。相比之下,基于圖像電荷離子輸運(yùn)的模型與實(shí)驗(yàn)誤差范圍內(nèi)發(fā)表的數(shù)據(jù)一致。基于圖像電荷輸運(yùn)的模型預(yù)測(cè)了經(jīng)常觀察到的氧化物厚度在8-10a左右的限制。超氧化氫-由圖像電荷產(chǎn)生的離子力傳輸;而H202不受這種靜電效應(yīng)的影響。

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