chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

DDR3內(nèi)存或退出市場三星等大廠計劃停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

工程師 ? 2022-04-06 12:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

日前,世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示,多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入,至今已長達15年,因為其不再泛用于主流平臺,即便退出市場也不會帶來太大的影響。

三星對客戶通知2022年年終之前仍會繼續(xù)接受且在2023年年末之前完成DDR3內(nèi)存的訂單,并將停止1GB、2GB、4GB的DDR3內(nèi)存生產(chǎn)。繼三星之后,SK海力士、華邦電子等制造商也表示將停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn),不對客戶繼續(xù)提供DDR3內(nèi)存,不過三大芯片供應商中的美光表示不會停止DDR3的生產(chǎn)。

DDR3內(nèi)存起始頻率與最高頻率分別為800MHz和2133MHz,然而目前主流的DDR4內(nèi)存這兩項屬性分別達到了2133MHz和4266MHz,再者就是DDR4內(nèi)存以1.2V的工作電壓運行,相比DDR3內(nèi)存1.5V的電壓來說更加穩(wěn)定,在容量方面DDR4內(nèi)存也是以最大單條128GB的容量力壓DDR3內(nèi)存64GB的容量,所以說DDR3內(nèi)存退出市場也是必然的了。

綜合整理自極客碼頭 驅(qū)動之家 IT之家TomsHardware

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • DDR3
    +關注

    關注

    2

    文章

    287

    瀏覽量

    43910
  • 內(nèi)存
    +關注

    關注

    9

    文章

    3171

    瀏覽量

    76094
  • 三星
    +關注

    關注

    1

    文章

    1734

    瀏覽量

    33681
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    DDR3 SDRAM參考設計手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設計手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 11-05 17:04 ?1次下載

    DDR200T中的DDR3的使用配置

    蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列,提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項目實際更改。 這里選用的axi接口 在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信
    發(fā)表于 10-21 11:19

    回收DDR內(nèi)存芯片 收購DDR全新拆機帶板

    回收DDR2,回收DDR3,收購DDR2,收購DDR3 DDR4 DDR5長期現(xiàn)金高價回收
    發(fā)表于 10-09 14:15

    AD設計DDR3時等長設計技巧

    本文緊接著前一個文檔《AD設計DDR3時等長設計技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設計,因為地址線、控制信號線有分支,SOC有可能帶有2片DDR或者更多,我們叫做T型分支
    發(fā)表于 07-29 16:14 ?2次下載

    AD設計DDR3時等長設計技巧

    的講解數(shù)據(jù)線等長設計。? ? ? 在另一個文件《AD設計DDR3時等長設計技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設計DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
    發(fā)表于 07-28 16:33 ?4次下載

    DDR內(nèi)存市場現(xiàn)狀和未來發(fā)展

    DDR內(nèi)存占據(jù)主導地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價格風暴。由于原廠加速退出
    的頭像 發(fā)表于 06-25 11:21 ?1706次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b><b class='flag-5'>市場</b>現(xiàn)狀和未來發(fā)展

    在Vivado調(diào)用MIG產(chǎn)生DDR3的問題解析

    下面是調(diào)用的DDR3模塊的,模塊的倒數(shù)第二行是,模塊的時鐘輸入,時鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時鐘的倍頻。
    的頭像 發(fā)表于 05-03 10:21 ?1196次閱讀
    在Vivado調(diào)用MIG產(chǎn)生<b class='flag-5'>DDR3</b>的問題解析

    TPS51116 完整的DDRDDR2、DDR3DDR3L、LPDDR3DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

    TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3
    的頭像 發(fā)表于 04-29 16:38 ?904次閱讀
    TPS51116 完整的<b class='flag-5'>DDR</b>、<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L、LPDDR<b class='flag-5'>3</b> 和 <b class='flag-5'>DDR</b>4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

    TPS51916 DDR2/3/3L/4 內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

    TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)
    的頭像 發(fā)表于 04-28 10:58 ?590次閱讀
    TPS51916 <b class='flag-5'>DDR</b>2/<b class='flag-5'>3</b>/<b class='flag-5'>3</b>L/4 <b class='flag-5'>內(nèi)存</b>電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

    TPS51216-EP 增強型產(chǎn)品 完整的 DDR2、DDR3DDR3L 內(nèi)存電源解決方案 同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

    TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 (VDDQ) 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO (
    的頭像 發(fā)表于 04-26 11:12 ?592次閱讀
    TPS51216-EP 增強型產(chǎn)品 完整的 <b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b> 和 <b class='flag-5'>DDR3</b>L <b class='flag-5'>內(nèi)存</b>電源解決方案 同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

    DDR3 SDRAM配置教程

    DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第代產(chǎn)品,相較于DD
    的頭像 發(fā)表于 04-10 09:42 ?3744次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR3</b> SDRAM配置教程

    燦芯半導體推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP

    燦芯半導體(上海)股份有限公司(燦芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性,支持DDR3
    的頭像 發(fā)表于 03-21 16:20 ?880次閱讀

    DDR內(nèi)存控制器的架構(gòu)解析

    DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件,支持多種DDR內(nèi)存類型(DDR2、DDR3、
    的頭像 發(fā)表于 03-05 13:47 ?3211次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>控制器的架構(gòu)解析

    DDR4年內(nèi)停產(chǎn),大廠商引發(fā)內(nèi)存市場變局

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,日前,日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑,全球大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)
    發(fā)表于 02-21 00:10 ?2639次閱讀

    內(nèi)存原廠將于2025年停產(chǎn)DDR3/DDR4

    據(jù)報道,業(yè)內(nèi)人士透露,全球大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光,有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:11 ?3152次閱讀