揚杰科技推N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品
揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工藝，針對電機驅(qū)動、BMS等應(yīng)用設(shè)計，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時，提升MOSFET抗沖擊電流能力。
N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機驅(qū)動系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等，是其核心的功率控制部件。
揚杰科技目前已推出N40V、N60V、N80V-N85V、N100V、N120V等多個SGT工藝系列產(chǎn)品，解決客戶的多種應(yīng)用需求。
產(chǎn)品特點
1.采用SGT工藝，極低的Rdson和優(yōu)異的開關(guān)特性，帶來更低的FOM，減小系統(tǒng)損耗。
2. 和傳統(tǒng)Trench工藝比Ciss/Qg參數(shù)都有大幅優(yōu)化，設(shè)計MOSFET驅(qū)動時有更多選擇。
3.針對系統(tǒng)應(yīng)用中的各種異常工作狀態(tài)，優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS特性，提高系統(tǒng)可靠性。
電性參數(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域
? PD電源
? 逆變器電源
? 鋰電池BMS
? 電機驅(qū)動
審核編輯：彭菁
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