三星計(jì)劃6月完成第六代1cDRAM開(kāi)發(fā)

據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星電子計(jì)劃在今年6月前完成11納米制程第六代1cDRAM的開(kāi)發(fā)。

據(jù)悉，三星近期通知公司內(nèi)部半導(dǎo)體研究人員，公司決定跳過(guò)并放棄12納米制程1b DRAM的開(kāi)發(fā)。 先前傳出三星1b遇到研發(fā)障礙，可能修改產(chǎn)品軌道與戰(zhàn)略。

三星已經(jīng)設(shè)定了目標(biāo)，即在今年6月前完成11納米的第六代1c DRAM 芯片的開(kāi)發(fā)。據(jù)說(shuō)該公司已經(jīng)要求其研究人員停止或跳過(guò) 1b DRAM 的開(kāi)發(fā)，這是一種 12 納米芯片。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)即將推出存儲(chǔ)卡類(lèi)產(chǎn)品

長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)發(fā)布預(yù)告，即將推出存儲(chǔ)卡類(lèi)產(chǎn)品，滿足手機(jī)，相機(jī)，無(wú)人機(jī)等數(shù)碼產(chǎn)品使用，官網(wǎng)顯示“敬請(qǐng)期待”。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日宣布推出 UFS 3.1 通用閃存 ——UC023，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR / VR 等智能終端領(lǐng)域。

新型存儲(chǔ)ReRAM，存算一體

在后摩爾時(shí)代，單純通過(guò)工藝制程的提升降低芯片功耗的路徑也日漸捉襟見(jiàn)肘，已經(jīng)接近摩爾定律的物理極限。

但隨著基于ReRAM的全數(shù)字存算一體架構(gòu)大算力、低功耗、易部署芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，這一難題似乎有了新的解決思路。

基于憶阻器ReRAM技術(shù)的計(jì)算單元可以通過(guò)阻值器件的存儲(chǔ)記憶特性，利用基礎(chǔ)物理定律和原理完成海量的AI計(jì)算；

通過(guò)存算一體的架構(gòu)，可以節(jié)省把數(shù)據(jù)從內(nèi)存單元逐層搬遷到計(jì)算單元的環(huán)節(jié)，從而得以節(jié)省因?yàn)閿?shù)據(jù)搬遷而產(chǎn)生的大量衍生成本。

這此類(lèi)方式也符合國(guó)家對(duì)于碳中和、碳達(dá)峰的技術(shù)發(fā)展路線，改變了傳統(tǒng)AI運(yùn)算數(shù)據(jù)量需要帶來(lái)巨大能耗的現(xiàn)狀。

文章綜合愛(ài)集微、PConline、IT之家、Ai芯天下

編輯：黃飛