三星電子3nm良品率才10%-20%，大大低于預(yù)期
繼臺(tái)積電宣布今年下半年將開(kāi)啟3nm芯片量產(chǎn)之后，三星3nm制程芯片已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn)。
據(jù)報(bào)道，三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)，在提升3nm工藝的良品率方面，也陷入了掙扎。
這或許意味著公司需要更多的時(shí)間才能投入量產(chǎn)。所謂GAA晶體管即環(huán)繞柵極晶體管，它取代的是FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管），前者可以實(shí)現(xiàn)四邊充當(dāng)電流通道，二者則只有三邊。
三星本來(lái)想著通過(guò)搶占技術(shù)制高點(diǎn)“降維”打擊臺(tái)積電，沒(méi)想到后者堅(jiān)持在3nm使用FinFET后，結(jié)果更務(wù)實(shí)。
值得注意的是，在今年2月份曾有報(bào)道稱(chēng)，三星重要客戶高通明年將推出的3nm工藝應(yīng)用處理器，將交由臺(tái)積電代工。
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編輯：黃飛
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