本次也采用同樣的方法展開(kāi)探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為20170711_graf_12和20170711_graf_13，同樣按兩個(gè)步驟來(lái)推導(dǎo)。

開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響

此前的傳遞函數(shù)推導(dǎo)中，并沒(méi)有考慮過(guò)開(kāi)關(guān)（開(kāi)關(guān)晶體管）導(dǎo)通電阻的影響。但是眾所周知，實(shí)際上是肯定存在開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻的，而且對(duì)實(shí)際運(yùn)行也是有影響的。所以本次將探討“開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻”這個(gè)參數(shù)的影響。

下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來(lái)推導(dǎo)。

右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)圖上標(biāo)出了作為開(kāi)關(guān)的MOSFET的導(dǎo)通電阻RONp和RONn。

●第1步：考慮系統(tǒng)的穩(wěn)定狀態(tài)

① 線(xiàn)圈電流在一個(gè)周期內(nèi)不變

② 電容器的電荷量在一個(gè)周期內(nèi)不變

公式中中增加了導(dǎo)通電阻相關(guān)的項(xiàng)（紅色）。

●第2步：。求出對(duì)干擾的變化量，描述傳遞函數(shù)

基于上面的公式5-27、5-28計(jì)算示例如下。對(duì)于公式5-27、5-28，

代入

，

后如下：

然后，將公式5-31和5-32聯(lián)立，求

與

，得出如下結(jié)果。

從結(jié)果可以看出，一次項(xiàng)虛數(shù)有很大差異。這一點(diǎn)和在“所謂傳遞函數(shù)”的文章中所介紹的是一致的。下面請(qǐng)看特性結(jié)果。

最后，將考慮了導(dǎo)通電阻時(shí)和未考慮導(dǎo)通電阻時(shí)的TOTAL傳遞函數(shù)特性匯總?cè)缦隆?/p>

關(guān)鍵要點(diǎn)：

?開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻的影響基本上也按與以往同樣的步驟來(lái)推導(dǎo)。

?是否考慮導(dǎo)通電阻，其一次項(xiàng)虛數(shù)是不同的，這將影響到傳遞函數(shù)。

?實(shí)際上開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻是肯定存在的，所以傳遞函數(shù)中也要探討導(dǎo)通電阻的影響。