Tower推出第二代65納米BCD可擴(kuò)展功率LDMOS，將電壓擴(kuò)展至24V，Rdson降低20%；并在其180納米BCD平臺(tái)上增加深槽隔離（DTI）技術(shù)，使裸片尺寸減少40%，支持工作電壓高達(dá)125V

Tower將在德國(guó)紐倫堡舉行的2022年度PCIM會(huì)議上展示其最新的電源管理技術(shù)

以色列，米格達(dá)勒埃梅克，2022年5月9日——高價(jià)值模擬半導(dǎo)體代工解決方案的領(lǐng)先廠商Tower Semiconductor（NASDAQ/TASE：TSEM）今日宣布擴(kuò)大其電源管理平臺(tái)，發(fā)布第二代最先進(jìn)的65納米BCD，將工作電壓擴(kuò)大至24V，并將Rdson減少20%。公司還在其180納米BCD平臺(tái)上增加深槽隔離技術(shù)，可在高達(dá)125V的電壓下將芯片尺寸減小多達(dá)40%。這些全新擴(kuò)展?jié)M足了市場(chǎng)對(duì)更高電壓和更高功率IC日益增長(zhǎng)的需求，進(jìn)一步加強(qiáng)了Tower在功率IC領(lǐng)域的領(lǐng)先市場(chǎng)地位；根據(jù)Yole Développement（Yole）的數(shù)據(jù)，到2026年，該市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)255億美元。

Tower的65納米BCD平臺(tái)以其在功率性能、成本和集成競(jìng)爭(zhēng)力方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)而被譽(yù)為同類(lèi)最佳的90納米以下BCD技術(shù)。得益于針對(duì)16V器件LDMOS Rdson的電阻率降低，以及高至24V的電壓擴(kuò)展，更高的功率性能和/或達(dá)20%芯片尺寸縮減讓第二代65納米BCD大幅獲益。這些進(jìn)步有力地滿(mǎn)足了計(jì)算與消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)單片大功率轉(zhuǎn)換器的需求；其中包括用于CPU和GPU的大功率穩(wěn)壓器，以及充電器、大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，和功率轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

Tower的180納米BCD憑借在電壓覆蓋率、隔離方案、功率性能、裸片尺寸和掩模數(shù)方面的卓越優(yōu)勢(shì)，成為業(yè)界最廣泛、同類(lèi)最佳的平臺(tái)。180納米BCD深槽隔離方案（DTI）在單個(gè)IC內(nèi)提供了更高的抗噪能力；且在高電壓下具有更強(qiáng)靈活性，可以選擇多種隔離方案，并將裸片尺寸縮小40%。所有這些戰(zhàn)略特性都為市場(chǎng)上不斷增加的48V系統(tǒng)部署帶來(lái)助力；該類(lèi)系統(tǒng)要求IC支持高達(dá)120V或更高的電壓。該平臺(tái)還特別滿(mǎn)足了工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用的要求，包括柵極驅(qū)動(dòng)器、功率轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和車(chē)載48V系統(tǒng)，以及它們對(duì)具有多個(gè)電壓域且芯片尺寸更小IC中高階隔離的需求。
審核編輯：彭靜