近日，全球知名半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML發(fā)布文章稱，目前的技術(shù)足夠達(dá)到1nm制程，接下來至少十年都還能夠適用摩爾定律。

摩爾定律是英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾所總結(jié)出來的定律，他在整理觀察資料開始繪制數(shù)據(jù)時，發(fā)現(xiàn)了一個驚人的趨勢。每個新的芯片大體上包含其前任兩倍的容量，每個芯片產(chǎn)生的時間都是在前一個芯片產(chǎn)生后的18~24個月內(nèi)，如果這個趨勢繼續(xù)，計算能力相對于時間周期將呈指數(shù)式的上升。簡單描述該定律便是：集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過18個月便會增加一倍。

Moore的觀察資料，就是現(xiàn)在所謂的Moore定律，所闡述的趨勢一直延續(xù)至今，且仍不同尋常地準(zhǔn)確。人們還發(fā)現(xiàn)這不僅適用于對存儲器芯片的描述，也精確地說明了處理機(jī)能力和磁盤驅(qū)動器存儲容量的發(fā)展。該定律成為許多工業(yè)對于性能預(yù)測的基礎(chǔ)。不過自臺積電宣布2nm制程將要到2024年才能實現(xiàn)量產(chǎn)時，摩爾定律似乎不再有效了，如今ASML又發(fā)表文章稱摩爾定律依舊可以適用。

ASML稱，在過去的15年里，這些創(chuàng)新方法使摩爾定律依然生效且狀況良好。從整個行業(yè)的發(fā)展路線來看，它們將在未來十年甚至更長時間內(nèi)讓摩爾定律繼續(xù)保持這種勢頭。在元件方面，現(xiàn)有的包括gate-all-around FETs，nanosheet FETs，forksheet FETs，以及complementary FETs在內(nèi)的多種先進(jìn)技術(shù)至少能夠讓芯片的制程達(dá)到1nm水準(zhǔn)，并且光刻系統(tǒng)分辨率的進(jìn)步以及邊緣放置誤差對精度的衡量也會推動芯片實現(xiàn)更小的制程。

綜合整理自 芯智訊 中關(guān)村在線 IT之家 ASML官方

審核編輯 黃昊宇