詳細(xì)講解開(kāi)關(guān)電源功率變換器的各種拓?fù)潆娐罚ㄟ^(guò)實(shí)例詳細(xì)講解。
共分為12章,包括功率變換器的主要拓?fù)浣榻B和工程設(shè)計(jì)指南兩大部分內(nèi)容。其中,拓?fù)洳糠种饕ㄕ?、反激、?duì)稱驅(qū)動(dòng)橋式、隔離Boost
發(fā)表于 05-19 16:26
主要內(nèi)容包括:基本開(kāi)關(guān)電路、控制電路、電源輸入級(jí)、非隔離電路、變壓器隔離型變換器、無(wú)源器件的選擇、半導(dǎo)體的選擇、電感的選擇、變壓器的選擇、正
發(fā)表于 03-31 14:10
變換器實(shí)現(xiàn)方案進(jìn)行分類,文獻(xiàn)[3]探討了中小功率場(chǎng)合單相PFC的解決方案,以及在不同應(yīng)用場(chǎng)合PFC主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的最佳選取方案選取。文獻(xiàn)[4]探討了高功率場(chǎng)合PFC
發(fā)表于 03-13 13:50
場(chǎng)效應(yīng)管mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分
發(fā)表于 03-07 09:20
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場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)
發(fā)表于 01-08 13:44
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在設(shè)計(jì)場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路時(shí),降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲是至關(guān)重要的。以下是一些有效的措施來(lái)降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲: 一、電源噪聲的抑制 選擇穩(wěn)定的電源 :
發(fā)表于 12-09 16:17
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場(chǎng)效應(yīng)管的封裝類型多樣,選擇時(shí)需要考慮多個(gè)因素。以下是對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管封裝類型及其選擇的分析: 一、封裝類型 插入式封裝 晶體管外形封裝(TO) :早期的封裝規(guī)格,如TO-92、TO-220、TO-252
發(fā)表于 12-09 16:15
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場(chǎng)效應(yīng)管,特別是MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),在工業(yè)自動(dòng)化中扮演著重要角色。以下是場(chǎng)效應(yīng)管在工業(yè)自動(dòng)化中的幾個(gè)主要應(yīng)用: 一、電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制 功率開(kāi)關(guān) :
發(fā)表于 12-09 16:11
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場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,主要通過(guò)改變輸入端的電壓來(lái)控制輸出端的電流。場(chǎng)效應(yīng)管廣泛應(yīng)用于放大、開(kāi)關(guān)、電源管理等領(lǐng)
發(fā)表于 12-09 16:02
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射頻(RF)電路是電子工程中的一個(gè)重要分支,它涉及到無(wú)線電波的發(fā)射、接收和處理。隨著無(wú)線通信技術(shù)的飛速發(fā)展,RF電路的設(shè)計(jì)和性能要求越來(lái)越高。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)因其高頻率響應(yīng)、低噪聲特性和良好的線性
發(fā)表于 12-09 16:01
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更低的噪聲水平,適合用于音頻放大器和射頻放大器。 快速開(kāi)關(guān)特性 :MOSFET等場(chǎng)效應(yīng)管具有非常快的開(kāi)關(guān)速度,適合用于高速數(shù)字電路和開(kāi)關(guān)電源。 良好的線性特性 :
發(fā)表于 12-09 15:58
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屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。JFET使用PN結(jié)作為控制門(mén),而MOSFET使用金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。 2. 場(chǎng)效應(yīng)管的常見(jiàn)問(wèn)題 2.1 柵極電壓不穩(wěn)定 問(wèn)題描述: 柵極電壓波動(dòng)可能導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管工作不穩(wěn)定,影響電路性
發(fā)表于 12-09 15:57
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場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管在多個(gè)方面存在顯著的區(qū)別,以下是對(duì)這兩者的比較: 一、工作原理 場(chǎng)效應(yīng)管 : 導(dǎo)電過(guò)程主要依賴于多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng),因此被稱為單極型晶體管。 通過(guò)柵極電壓(uGS)來(lái)
發(fā)表于 12-09 15:55
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場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,它利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的流動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)管的主要類型有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)、金屬氧化
發(fā)表于 12-09 15:52
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通過(guò)改變溝道中的電場(chǎng)來(lái)控制源極和漏極之間的電流。 輸入阻抗 : 晶體管 :輸入阻抗相對(duì)較低,因?yàn)榛鶚O需要電流來(lái)控制。 場(chǎng)效應(yīng)管 :輸入阻抗非常高,因?yàn)闁艠O控制是通過(guò)電壓實(shí)現(xiàn)的,不需要電流。 功耗 : 晶體管 :在
發(fā)表于 12-03 09:42
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評(píng)論