最近，臺積電和三星電子在2nm制程方面動作不斷。

有新聞報道，日本將和美國合作，最早于2025年在日本啟動2nm制程國內(nèi)制造基地。

同時，臺積電預(yù)計將在2024年年底和2025年進行2nm制程的風(fēng)險試產(chǎn)，同時還透露，通過在中國臺灣、中國大陸和日本建設(shè)新晶圓廠或擴產(chǎn)，預(yù)計到2025年，臺積電的成熟制程的產(chǎn)能將擴大約50%。三星電子則同樣計劃在2025年實現(xiàn)2nm的量產(chǎn)。

臺積電表示相較于其N3E（3nm的低成本版）工藝，在相同功耗下，臺積電2nm工藝的性能將提升10~15%；而在相同性能下，臺積電2nm工藝的功耗將降低23~30%；晶體管密度僅提升了10%。

三星的計劃，3nm GAA工藝預(yù)計會在6月份就試驗性量產(chǎn)，相比5nm工藝，該工藝的性能提升15%，功耗降低30%，芯片面積減少35%。

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編輯：黃飛