據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電在年報(bào)中首度提及2nm技術(shù)。臺(tái)積電表述，公司3nm技術(shù)已進(jìn)入全面開(kāi)發(fā)階段，而3nm以下的技術(shù)已開(kāi)始定義并密集進(jìn)行先期開(kāi)發(fā)。

臺(tái)積電表示，當(dāng)臺(tái)積電公司采用三維電晶體之第六代技術(shù)平臺(tái)的3nm技術(shù)持續(xù)全面開(kāi)發(fā)時(shí)，公司已開(kāi)始開(kāi)發(fā)領(lǐng)先半導(dǎo)體業(yè)界的2nm技術(shù)，同時(shí)針對(duì)2nm以下的技術(shù)進(jìn)行探索性研究。

關(guān)于3nm制程技術(shù)，臺(tái)積電表示，相較于5nm制程技術(shù)，3nm制程技術(shù)大幅提升晶片密度及降低功耗并維持相同的晶片效能。臺(tái)積電的研發(fā)著重于基礎(chǔ)制程制定、良率提升、電晶體及導(dǎo)線效能改善以及可靠性評(píng)估。臺(tái)積電表示，今年將持續(xù)進(jìn)行3nm制程技術(shù)的全面開(kāi)發(fā)。

關(guān)于微影技術(shù)，臺(tái)積電表示，微影技術(shù)研發(fā)的重點(diǎn)在于5nm的技術(shù)轉(zhuǎn)移、3nm技術(shù)的開(kāi)發(fā)及2 nm以下技術(shù)開(kāi)發(fā)的先期準(zhǔn)備。5nm技術(shù)已經(jīng)順利地移轉(zhuǎn)，研發(fā)單位與晶圓廠合作排除極紫外光微影量產(chǎn)問(wèn)題。

針對(duì)3nm技術(shù)的開(kāi)發(fā)，極紫外光（EUV）微影技術(shù)展現(xiàn)優(yōu)異的光學(xué)能力，與符合預(yù)期的晶片良率。研發(fā)單位正致力于極紫外光技術(shù)，以減少曝光機(jī)光罩缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成本。

臺(tái)積電將在2nm及更先進(jìn)制程上將著重于改善極紫外光技術(shù)的品質(zhì)與成本。

本文整合自：TechWeb、摩爾芯聞

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