據媒體報道，臺積電在年報中首度提及2nm技術。臺積電表述，公司3nm技術已進入全面開發(fā)階段，而3nm以下的技術已開始定義并密集進行先期開發(fā)。

臺積電表示，當臺積電公司采用三維電晶體之第六代技術平臺的3nm技術持續(xù)全面開發(fā)時，公司已開始開發(fā)領先半導體業(yè)界的2nm技術，同時針對2nm以下的技術進行探索性研究。

關于3nm制程技術，臺積電表示，相較于5nm制程技術，3nm制程技術大幅提升晶片密度及降低功耗并維持相同的晶片效能。臺積電的研發(fā)著重于基礎制程制定、良率提升、電晶體及導線效能改善以及可靠性評估。臺積電表示，今年將持續(xù)進行3nm制程技術的全面開發(fā)。

關于微影技術，臺積電表示，微影技術研發(fā)的重點在于5nm的技術轉移、3nm技術的開發(fā)及2 nm以下技術開發(fā)的先期準備。5nm技術已經順利地移轉，研發(fā)單位與晶圓廠合作排除極紫外光微影量產問題。

針對3nm技術的開發(fā)，極紫外光（EUV）微影技術展現優(yōu)異的光學能力，與符合預期的晶片良率。研發(fā)單位正致力于極紫外光技術，以減少曝光機光罩缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成本。

臺積電將在2nm及更先進制程上將著重于改善極紫外光技術的品質與成本。

本文整合自：TechWeb、摩爾芯聞

責任編輯：符乾江