和強(qiáng)大的計(jì)算能力,成為4G智能模塊領(lǐng)域的性能標(biāo)桿。MT6789安卓核心板的亮點(diǎn)在于其采用了臺(tái)積電6nm工藝,這種先進(jìn)的制程技術(shù)相比傳統(tǒng)12nm或7nm工藝顯著優(yōu)化了
發(fā)表于 12-23 20:18
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最近扒了扒國(guó)產(chǎn)芯片的進(jìn)展,發(fā)現(xiàn)中芯國(guó)際(官網(wǎng)鏈接:https://www.smics.com)的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實(shí)驗(yàn)室技術(shù)” 了 —— 從消費(fèi)電子的中端處理器,到汽車電子
發(fā)表于 11-25 21:03
車規(guī)芯片 “龍鷹一號(hào)”,就是 7nm 制程,能支持 12 路視頻信號(hào)接入,還能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)泊車功能,截至 2023 年底已裝車 20 萬(wàn)片,適配吉利、一汽等數(shù)十款車型。以前這類芯片要么靠高
發(fā)表于 10-28 20:46
最近行業(yè)都在說“算力是AI的命門”,但國(guó)產(chǎn)芯片真的能接住這波需求嗎?
前陣子接觸到海思昇騰910B,實(shí)測(cè)下來(lái)有點(diǎn)超出預(yù)期——7nm工藝下算力直接拉到256 TFLOPS,比上一代提升了40%,但功耗
發(fā)表于 10-27 13:12
AMD 7nm Versal系列器件引入了可編程片上網(wǎng)絡(luò)(NoC, Network on Chip),這是一個(gè)硬化的、高帶寬、低延遲互連結(jié)構(gòu),旨在實(shí)現(xiàn)可編程邏輯(PL)、處理系統(tǒng)(PS)、AI引擎(AIE)、DDR控制器(DDRMC)、CPM(PCIe/CXL)等模塊之間的高效數(shù)據(jù)交換。
發(fā)表于 09-19 15:15
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據(jù)外媒韓國(guó)媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報(bào)道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn);三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動(dòng) SoC 芯片,目
發(fā)表于 09-04 17:52
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度亙核芯推出1470nm和1550nm兩大波長(zhǎng)系列芯片,其額定輸出功率達(dá)到7.5W,創(chuàng)業(yè)界新高!基于度亙核芯強(qiáng)大的平臺(tái)化技術(shù)優(yōu)勢(shì),形成了5.5W、6.5W、7.5W等系列產(chǎn)品。在芯片開
發(fā)表于 08-12 12:03
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- - 30 - AEC-Q100, ISO 26262 英偉達(dá)Xavier 英偉達(dá) 12nm - - 30 - AEC-Q100, ISO 26262 高通SA8155P 高通 7nm 95K 1000 4 - AEC-Q10
發(fā)表于 05-23 15:33
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Ultra,小米首款SUV小米yu7 等。 雷軍還透露,小米玄戒O1,采用第二代3nm工藝制程,力爭(zhēng)躋身第一梯隊(duì)旗艦體驗(yàn)。此次小米發(fā)布會(huì)的最大亮點(diǎn)之一肯定是小米自研手機(jī)SoC芯片「玄戒O1」,這標(biāo)志著小米在
發(fā)表于 05-19 16:52
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%左右開始,隨著進(jìn)入量產(chǎn)階段,良率會(huì)逐漸提高”。
星電子將在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 內(nèi)存芯片和 4nm 邏輯芯片
發(fā)表于 04-18 10:52
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中,無(wú)論是臺(tái)積電還是三星都在積極布局,或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片
發(fā)表于 03-14 00:14
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據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái),每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm
發(fā)表于 03-12 16:07
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A股上市,獲中國(guó)移動(dòng)、紅杉資本等投資,技術(shù)應(yīng)用于大模型訓(xùn)練與圖形渲染。
4. 昆侖芯(Kunlunxin) *領(lǐng)域 :AI芯片
亮點(diǎn) :前身為百度智能芯片部門,7nm工藝的昆侖芯2代已量產(chǎn),性能較前
發(fā)表于 03-05 19:37
近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新設(shè)計(jì)新版1b
發(fā)表于 01-22 14:04
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高達(dá)14億美元,不僅將超越當(dāng)前正在研發(fā)的2nm工藝技術(shù),更將覆蓋從1nm至7A(即0.7nm)的尖端工藝領(lǐng)域。NanoIC試驗(yàn)線的啟動(dòng),標(biāo)志著歐洲在半導(dǎo)
發(fā)表于 01-21 13:50
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評(píng)論