在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中,三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計劃于2027年量產(chǎn)的1.4
發(fā)表于 07-03 15:56
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當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時,臺積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻!據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報》報道,臺積電2nm芯片良品率已突破 90%,實現(xiàn)重大技術(shù)飛躍!
發(fā)表于 06-04 15:20
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)?b class='flag-5'>時間17日報道稱,自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)
發(fā)表于 04-18 10:52
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中,無論是臺積電還是三星都在積極布局,或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片采用臺
發(fā)表于 03-14 00:14
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據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都
發(fā)表于 03-12 16:07
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工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減,但三星在這兩大工廠的項目推進(jìn)上并未止步。 平澤P2工廠方面,三星計劃將部分3nm生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換到更為先進(jìn)的2n
發(fā)表于 01-23 11:32
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據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率
發(fā)表于 01-22 15:54
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據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星
發(fā)表于 01-22 14:27
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近日,據(jù)媒體報道,半導(dǎo)體領(lǐng)域的制程競爭正在愈演愈烈,臺積電計劃在明年大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝制程。這一消息無疑為整個行業(yè)注入了新的活力。 早前,有傳言稱臺積電將使用其2nm節(jié)點(diǎn)來制造蘋果的
發(fā)表于 12-26 11:22
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制程與成熟制程的并重發(fā)展。他指出,當(dāng)前三星代工部門最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實力。 同時,韓真晚也提到了三星電子在GAA工藝方
發(fā)表于 12-10 13:40
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1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī),加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報道,三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA EUV(極紫外)
發(fā)表于 10-31 10:56
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Rapidus,一家致力于半導(dǎo)體制造的先鋒企業(yè),正緊鑼密鼓地推進(jìn)其2027年量產(chǎn)2nm芯片的計劃。然而,這一雄心勃勃的目標(biāo)背后,是高達(dá)5萬億日元(約合336億美元)的資金需求。
發(fā)表于 10-14 16:11
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三星正加速其在先進(jìn)制程領(lǐng)域的投資步伐,計劃于明年第一季度在平澤一廠的“S3”代工線建成一條月產(chǎn)能達(dá)7000片晶圓的2nm生產(chǎn)線。此舉標(biāo)志著三星在推進(jìn)其技術(shù)路線圖方面邁出了重要一步。
發(fā)表于 10-11 16:09
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三星電子在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域再下一城,成功獲得美國知名半導(dǎo)體企業(yè)安霸的青睞,承接其2nm制程的ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng))芯片代工項目。
發(fā)表于 09-12 16:26
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