我們知道功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，它利用半導體單向?qū)щ姷奶匦?，改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等功能。根據(jù)可控性和其他使用因素，功率器件分成了很多種類別，其中常見的分類有：

MOS控制晶閘管MCT(MOS Controlled Thyristor)

MCT是一種新型MOS與雙極復合型器件。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動圖MCT的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在一起，形成大功率、高壓、快速全控型器件。實質(zhì)上MCT是一個MOS門極控制的晶閘管。它可在門極上加一窄脈沖使其導通或關(guān)斷，它由無數(shù)單胞并聯(lián)而成。

IGCT集成門極換流晶閘管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)

IGCT是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件，具有電流大、阻斷電壓高、開關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導通損耗等特點。是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件，適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)，而且造成本低，成品率高，有很好的應用前景。

IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動器在外圍以低電感方式連接，結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點。在導通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。

集成電力電子模塊IPEM(Intergrated Power Elactronics Modules)

IPEM是將電力電子裝置的諸多器件集成在一起的模塊。它首先是將半導體器件MOSFET，IGBT或MCT與二極管的芯片封裝在一起組成一個積木單元，然后將這些積木單元迭裝到開孔的高電導率的絕緣陶瓷襯底上，在它的下面依次是銅基板、氧化鈹瓷片和散熱片。在積木單元的上部，則通過表面貼裝將控制電路、門極驅(qū)動、電流和溫度傳感器以及保護電路集成在一個薄絕緣層上。

IPEM實現(xiàn)了電力電子技術(shù)的智能化和模塊化，大大降低了電路接線電感、系統(tǒng)噪聲和寄生振蕩，提高了系統(tǒng)效率及可靠性。

電力電子積木PEBB(Power Electric Building Block)

PEBB是在IPEM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的可處理電能集成的器件或模塊。PEBB并不是一種特定的半導體器件，它是依照最優(yōu)的電路結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計的不同器件和技術(shù)的集成。

它除了包括功率半導體器件外，還含有門極驅(qū)動電路、電平轉(zhuǎn)換、傳感器、保護電路、電源和無源器件。PEBB有能量接口和通訊接口，通過這兩種接口，幾個PEBB可以組成電力電子系統(tǒng)。這些系統(tǒng)可以像小型的DC-DC轉(zhuǎn)換器一樣簡單，也可以像大型的分布式電力系統(tǒng)那樣復雜。

一個系統(tǒng)中，PEBB的數(shù)量可以從一個到任意多個。多個PEBB模塊一起工作可以完成電壓轉(zhuǎn)換、能量的儲存和轉(zhuǎn)換、陰抗匹配等系統(tǒng)級功能，PEBB最重要的特點就是其通用性。

電子注入增強柵晶體管IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)

IEGT是耐壓達4kV以上的IGBT系列電力電子器件，通過采取增強注入的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動作、高耐壓、有源柵驅(qū)動智能化等特點，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進一步擴大電流容量方面頗具潛力。另外，通過模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應用中被寄予厚望。

超大功率晶閘管

晶閘管(SCR)自問世以來，其功率容量提高了近3000倍。近十幾年來，由于自關(guān)斷器件的飛速發(fā)展，晶閘管的應用領(lǐng)域有所縮小，但是，由于它的高電壓、大電流特性，它在HVDC、靜止無功補償(SVC)、大功率直流電源及超大功率和高壓變頻調(diào)速應用方面仍占有十分重要的地位。

該器件獨特的結(jié)構(gòu)和工藝特點是：門-陰極周界很長并形成高度交織的結(jié)構(gòu)，門極面積占芯片總面積的90%，而陰極面積僅占10%;基區(qū)空穴-電子壽命很長，門-陰極之間的水平距離小于一個擴散長度。上述兩個結(jié)構(gòu)特點確保了該器件在開通瞬間，陰極面積能得到100%的應用。此外，該器件的陰極電極采用較厚的金屬層，可承受瞬時峰值電流。

高功率溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT(TrenchIGBT)模塊

當今高功率IGBT模塊中的IGBT元胞通常多采用溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT。與平面柵結(jié)構(gòu)相比，溝槽柵結(jié)構(gòu)通常采用1μm加工精度，從而大大提高了元胞密度。由于門極溝的存在，消除了平面柵結(jié)構(gòu)器件中存在的相鄰元胞之間形成的結(jié)型場效應晶體管效應，同時引入了一定的電子注入效應，使得導通電阻下降。為增加長基區(qū)厚度、提高器件耐壓創(chuàng)造了條件。所以近幾年來出現(xiàn)的高耐壓大電流IGBT器件均采用這種結(jié)構(gòu)。

碳化硅與碳化硅(SiC)功率器件

在用新型半導體材料制成的功率器件中，最有希望的是碳化硅(SiC)功率器件。它的性能指標比砷化鎵器件還要高一個數(shù)量級，碳化硅與其他半導體材料相比，具有下列優(yōu)異的物理特點：高禁帶寬度，高飽和電子漂移速度，高擊穿強度，低介電常數(shù)和高熱導率。上述這些優(yōu)異的物理特性，決定了碳化硅在高溫、高頻率、高功率的應用場合是極為理想的半導體材料。

在同樣的耐壓和電流條件下，SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍，即使高耐壓的SiC場效應管的導通壓降，也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且，SiC器件的開關(guān)時間可達10nS量級，并具有十分優(yōu)越的FBSOA。SiC可以用來制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。

以上就是常見的功率半導體器件。電力電子變換器的功率等級覆蓋范圍非常廣泛，包括小功率范圍：如筆記本電腦、冰箱、洗衣機、空調(diào)等;中功率范圍電氣傳動、新能源發(fā)電等;大功率范圍：如高壓直流輸電系統(tǒng)等，科技的發(fā)展也對功率半導體器件提出了越來越多、越來越高的性能需求。

審核編輯：湯梓紅