半導(dǎo)體分立器件分類(lèi)及應(yīng)用領(lǐng)域

一、核心分類(lèi)

?基礎(chǔ)元件?

?二極管?：包括普通二極管（如硅/鍺二極管）、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）等。

?三極管?：如NPN/PNP型雙極型晶體管（BJT）、達(dá)林頓管等。

?功率器件?

?MOSFET?（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）：適用于高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。

?IGBT?（絕緣柵雙極型晶體管）：結(jié)合MOSFET和BJT特性，用于高壓大電流場(chǎng)景。

?晶閘管（可控硅）?：包括單向/雙向可控硅（SCR/Triac），用于交流調(diào)壓等場(chǎng)景。

?整流器與整流堆?：如橋式整流器、高壓整流堆。

?特種器件及傳感器?

?光電器件?：如光耦、光敏二極管/三極管。

?敏感器件?：涵蓋壓力、磁敏（霍爾器件）、氣敏、濕敏、離子敏感等傳感器。

?雪崩管、階躍恢復(fù)管等特殊功能器件?。

?其他功能器件?

?繼電器?：用于電路隔離控制。

?壓敏電阻?：過(guò)壓保護(hù)器件。

二、主要應(yīng)用領(lǐng)域

?汽車(chē)電子?：IGBT用于電動(dòng)汽車(chē)逆變器，TVS用于電路保護(hù)。

?消費(fèi)電子?：二極管、MOSFET應(yīng)用于電源管理和信號(hào)處理。

?工業(yè)與能源?：晶閘管用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)，高壓器件支撐光伏逆變器。

?通信與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備?：高頻三極管、場(chǎng)效應(yīng)管用于信號(hào)放大和切換。

?航天與國(guó)防?：特種傳感器、高壓器件適配極端環(huán)境需求。

三、技術(shù)參數(shù)與功能特征

?關(guān)鍵參數(shù)?：導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、擊穿電壓（BV）、漏電流（IR）、開(kāi)關(guān)速度等。

?功能特性?：

?單向?qū)щ娦?（二極管）；

?電流放大或控制功能?（三極管、場(chǎng)效應(yīng)管）；

?高壓/高溫穩(wěn)定性?（IGBT、高壓可控硅）。

審核編輯 黃宇