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      NP50P02QR 20V p通道增強模式MOSFET

      微雨問海棠 ? 來源：微雨問海棠 ? 作者：微雨問海棠 ? 2022-07-08 10:59 ? 次閱讀
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      描述

      NP50P02QR采用了先進的戰(zhàn)壕

      技術和設計，提供優(yōu)秀的RDS(ON)與

      門費用低。它可以用于各種各樣的

      應用程序。

      一般特征

      ?VDS = -20v, id = -50a

      RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -4.5 v

      RDS(上)(Typ) = 6.5Ω@VGS = -2.5 v

      ?用于超低RDS(ON)的高密度電池設計

      ?充分描述雪崩電壓和電流

      ?穩(wěn)定性好，均勻性好，EAS高

      ?優(yōu)秀的包裝，良好的散熱

      應用程序

      ?負荷開關

      包

      ?PDFN3 * 3-8L

      poYBAGLHnMeAO2MzAABbnWdI39Y200.png

      訂購信息

      pYYBAGLHnN2ANybsAAA23OQ95N8289.png

      絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLHnPCAYRYWAADFWW60wTI460.png

      電特性(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLHnRaACUYhAAJt53xFcP4772.png

      注:1:脈沖測試;脈沖寬度≦300ns，占空比≦2%。

      2:設計保證，不經(jīng)生產(chǎn)檢驗。

      熱特性

      pYYBAGLHnXuARi45AABG83sNjvQ964.png

      審核編輯 黃昊宇

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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