仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借 20V 耐壓、超低導(dǎo)通損耗及 50A 大電流承載能力，廣泛適用于各類(lèi)開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)等）。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開(kāi)說(shuō)明。

一、產(chǎn)品基本信息

MOT50N02D 為N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：

• 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓大電流供電場(chǎng)景；
• 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值7mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值12mΩ，低壓場(chǎng)景下導(dǎo)通損耗極低；
• 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：50A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達(dá)90A，滿足負(fù)載持續(xù)與短時(shí)過(guò)載需求。

二、核心特性

• 低電容與低柵極電荷：優(yōu)化的電容與柵極電荷特性，降低驅(qū)動(dòng)電路功耗，支持高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如 PWM 控制的 DC-DC 轉(zhuǎn)換）；
• 快速開(kāi)關(guān)能力：適配各類(lèi)開(kāi)關(guān)場(chǎng)景，如負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源切換等對(duì)開(kāi)關(guān)速度有要求的應(yīng)用；
• 雪崩能量保障：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量達(dá)135mJ，在感性負(fù)載開(kāi)關(guān)、異常過(guò)壓工況下可靠性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)性：無(wú)鹵設(shè)計(jì)，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造要求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：50W，實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合散熱措施（如 PCB 敷銅、散熱焊盤(pán)）保障長(zhǎng)期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+175℃，存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致；
• 熱特性：結(jié)到環(huán)境熱阻（\(R_{JA}\)）50℃/W，結(jié)到外殼熱阻（\(R_{JC}\)）3℃/W，需通過(guò)封裝與 PCB 設(shè)計(jì)優(yōu)化熱管理。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：采用TO-252 貼片封裝，每卷 2500 片，適配高密度電路板的大電流開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)；同時(shí)提供 TO-251 直插封裝（對(duì)應(yīng)型號(hào) MOT50N02C，70 片 / 管），滿足傳統(tǒng)插裝需求；
• 典型應(yīng)用：
  • DC-DC 轉(zhuǎn)換器：在 20V 級(jí)降壓 / 升壓轉(zhuǎn)換器中作為主開(kāi)關(guān)管，低損耗特性提升電源轉(zhuǎn)換效率；
  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)：用于各類(lèi)電子設(shè)備的功率負(fù)載切換，大電流能力支持設(shè)備高效啟動(dòng)；
  • 開(kāi)關(guān)類(lèi)系統(tǒng)：如工業(yè)控制、消費(fèi)電子中的電源開(kāi)關(guān)回路，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的功率切換。

五、信息來(lái)源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）