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NP2307DR 20V p通道增強模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源: 微雨問海棠 ? 作者: 微雨問海棠 ? 2022-07-08 11:08 ? 次閱讀
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描述

NP2307DR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和

工作電壓低至1.8V。這

該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM

應(yīng)用程序。

一般特征

?VDS = -20v, id = -8a

RDS(上)(Typ) = 15.6Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 20 mΩ@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負(fù)荷開關(guān)

?DFN2 * 2-6L-B

pYYBAGLHnlWAOdvYAACszz06iyw024.png

訂購信息

pYYBAGLHnm6Ad2qMAAA32Kcc6Zw188.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLHnoaAPkoDAACjcCjxHRQ125.png

pYYBAGLHnvuAX8DoAAA10nSnHw0320.png

熱阻評級

pYYBAGLHnxmANQKBAABPaJZJQmM843.png

注:

a.包裝有限b.表面安裝在1“x 1”FR4板上

C . t = 5 s d.穩(wěn)態(tài)條件下最大為80°C/W

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLHnzGADXBnAAIZa_H_qHM381.png


審核編輯 黃昊宇

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