chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

如何將 SiC 技術(shù)用于功率逆變器

HCPcry ? 來源:HCPcry ? 作者:HCPcry ? 2022-07-26 17:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

將 SiC 技術(shù)用于功率逆變器是增加扭矩和加速度以及提升汽車整體性能的好方法。

安森美半導(dǎo)體在電動(dòng)方程式世界錦標(biāo)賽中與梅賽德斯-EQ 方程式 E 合作開發(fā)下一代電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)。安森美半導(dǎo)體與梅賽德斯 AMG 的高功率性能 (HPP) 部門之間的技術(shù)合作為賽車提供了技術(shù)改進(jìn)。

在接受 EE Times 采訪時(shí),安森美半導(dǎo)體全球系統(tǒng)工程副總裁 Dave Priscak 強(qiáng)調(diào)了設(shè)計(jì)和測(cè)試如何在 Formula E 中齊頭并進(jìn),從而實(shí)現(xiàn)逆變器功率級(jí)的持續(xù)改進(jìn)。

“當(dāng)我們開始參加 Formula E 時(shí),我們作為贊助商加入,只與梅賽德斯車隊(duì) PETRONAS 合作——我們正在尋找一些方法來展示我們?yōu)殡妱?dòng)汽車 (EV) 市場(chǎng)所做的和正在做的事情。但很快,通過與他們的開發(fā)團(tuán)隊(duì)合作,我們意識(shí)到從工程的角度來看,我們可以互相學(xué)習(xí)很多東西。因此,它更像是一種伙伴關(guān)系,而不是贊助。我們的設(shè)計(jì)工程師正在與電動(dòng)方程式的動(dòng)力系統(tǒng)工程師合作,為電動(dòng)方程式開發(fā)下一代牽引逆變器和動(dòng)力傳輸系統(tǒng)。我們學(xué)到的大部分知識(shí)都可以應(yīng)用于商業(yè)解決方案,但扭矩比與您發(fā)現(xiàn)的有很大不同在一輛普通的汽車?yán)?,”普里斯克說。

電動(dòng)方程式賽車的核心是動(dòng)力裝置,即推進(jìn)系統(tǒng),它由三個(gè)元件組成:電池、逆變器和電機(jī)。逆變器是系統(tǒng)的大腦。它負(fù)責(zé)把從電池中取出的直流電轉(zhuǎn)換成高密度的交流電送至發(fā)動(dòng)機(jī)。然而,在減速期間,再生電機(jī)制動(dòng)被激活,電流沿反向路徑流動(dòng)。電動(dòng)方程式是唯一一項(xiàng)測(cè)試下一代電動(dòng)汽車最新技術(shù)的賽車賽事。

碳化硅技術(shù)

作為寬帶隙半導(dǎo)體,碳化硅表現(xiàn)出比硅更大的帶隙能量(3.2eV,約為硅的三倍,等于1.1eV)。因?yàn)樾枰嗟哪芰縼砑ぐl(fā)半導(dǎo)體導(dǎo)電帶中的價(jià)電子,所以可以實(shí)現(xiàn)更高的擊穿電壓、更高的效率和更好的高溫?zé)岱€(wěn)定性。SiC MOSFET 的主要優(yōu)點(diǎn)是低漏源導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) ),在相同擊穿電壓下比硅器件低 300-400 倍。

在逆變器中使用 SiC 技術(shù)的好處包括更小的電路和更輕的重量、改善重量分布和降低整體功耗。這是因?yàn)?SiC MOSFET 可以在更高的開關(guān)頻率下運(yùn)行,從而減小了逆變器中所需的許多電路元件的尺寸。SiC 器件還可以在比標(biāo)準(zhǔn)硅功率半導(dǎo)體更高的電壓和電流下工作,即使在高溫下也能提高功率密度并降低開關(guān)損耗。

賽車逆變器

Formula E 提供了有關(guān)如何最大限度地提高效率和延長(zhǎng)電池壽命的見解。Priscak 指出,如何在動(dòng)力系統(tǒng)中盡可能高效地傳遞能量是設(shè)計(jì)的重點(diǎn)。

賽車需要能夠承受劇烈沖擊、強(qiáng)烈振動(dòng)和極端溫度的技術(shù)。此外,半導(dǎo)體器件的效率越高,耗散的功率和浪費(fèi)的熱量就越少,從而提高了每瓦功率比。與此同時(shí),工程師們還致力于減少汽車的部件,以節(jié)省重量和空間。

正如 Priscak 指出的那樣,在 Formula E 領(lǐng)域,它幾乎完全是碳化硅。從電池到發(fā)動(dòng)機(jī)的功率級(jí)非常簡(jiǎn)單。然而,電機(jī)驅(qū)動(dòng)是一個(gè)非常復(fù)雜的數(shù)學(xué)算法,但功率轉(zhuǎn)換與當(dāng)前的電動(dòng)汽車并沒有太大區(qū)別。“問題在于,在 E 級(jí)方程式中,你必須在賽道上進(jìn)行大約 45 分鐘的加速和制動(dòng)。所以最大的挑戰(zhàn)是盡可能多地回收能量。這非常困難。因?yàn)槟阌写蠖痰谋l(fā)力,而電池?zé)o法吸收所有這些,”Priscak 說。

目前,動(dòng)力總成面臨的一些最大挑戰(zhàn)是能夠在制動(dòng)期間捕獲所有能量并實(shí)際為電池充電。比賽規(guī)則每場(chǎng)比賽只允許使用一個(gè)電池,因此我們的目標(biāo)是研究這項(xiàng)技術(shù),不僅要盡可能多地回收電池,還要盡可能高效地使用它。

電能存儲(chǔ)技術(shù)(通常被認(rèn)為是電動(dòng)汽車的最大推動(dòng)力和限制因素)性能是為電動(dòng)汽車電機(jī)提供電力的關(guān)鍵。有多種存儲(chǔ)電能的技術(shù),例如超級(jí)電容器、化學(xué)電池、固態(tài)電池等。鋰離子 (Li) 化學(xué)電池目前在性能和商業(yè)可行性之間提供了最實(shí)用的平衡。

創(chuàng)造下一代柵極驅(qū)動(dòng)器是安森美半導(dǎo)體關(guān)注的另一個(gè)領(lǐng)域,以最大化碳化硅 MOSFET 的導(dǎo)電面積?!安煌幵谟冢缥抑八f,比賽只需要持續(xù) 45 分鐘,而賽車必須持續(xù) 10 年。因此,通過突破碳化硅的性能極限,我們正在學(xué)習(xí)如何最大限度地延長(zhǎng)使用壽命。在 Formula E 中,我們專注于從數(shù)字處理器到電機(jī)的整個(gè)動(dòng)力系統(tǒng)。因此,不僅僅是碳化硅,還有柵極設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)、隔離柵,以及所有決定動(dòng)力總成效率的元素,”Priscak 說。

監(jiān)測(cè)在 Formula E 中至關(guān)重要。測(cè)量通過汽車循環(huán)的每一安培電流非常重要。每次加速、剎車或轉(zhuǎn)彎時(shí),您不僅需要了解損失了多少能量,還需要了解可以恢復(fù)多少能量。Priscak 指出,如果駕駛員過于激進(jìn),電池將永遠(yuǎn)無法用完。因此,需要監(jiān)控駕駛曲線,特別是加速和制動(dòng),分析傳動(dòng)系統(tǒng)的各個(gè)方面。

“在所有這一切中,溫度是一件大事,無論是從電池的角度來看,以確保終端在加速過程中不會(huì)變得太熱,還是在所有功率級(jí)監(jiān)控溫度。有很多傳感器不僅可以用于電流和電壓,還可以用于溫度,”Priscak 說。

碳化硅是一種非??焖俚?a href="http://www.brongaenegriffin.com/v/tag/873/" target="_blank">高壓開關(guān),Priscak 指出的最大挑戰(zhàn)是驅(qū)動(dòng)電機(jī)?!半姍C(jī)是一個(gè)大電感,討厭快速開關(guān)。如果你有一個(gè)快速開關(guān)進(jìn)入電機(jī),電機(jī)需要一個(gè)正弦波。碳化硅的開關(guān)速度比感應(yīng)負(fù)載所能承受的快得多。因此,我們驅(qū)動(dòng)電機(jī)的方式需要不斷創(chuàng)新,”Priscak 說。

Formula E 正在突破電力電子技術(shù)的極限,并帶來一系列新的 SiC 解決方案。電動(dòng)汽車將受益于新的 SiC 電源解決方案,因?yàn)樗哂懈?jiǎn)單的冷卻系統(tǒng)、更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更好的性能。它們還將延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的電池壽命,并且通過改進(jìn)的車載充電器 (OBC) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,電池充電速度將大大加快。芯片公司和 Formula E 之間的眾多合作伙伴關(guān)系將使電動(dòng)汽車受益于眾多工程解決方案,不僅來自 SiC 芯片制造商,而且來自 GaN 芯片制造商。

審核編輯:彭靜
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31279

    瀏覽量

    266702
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3874

    瀏覽量

    70187
  • 功率逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    14

    瀏覽量

    8391
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美SiC功率模塊NVXR22S90M2SPC:助力牽引逆變器新突破

    )推出的一款極具創(chuàng)新性的產(chǎn)品——NVXR22S90M2SPC碳化硅(SiC功率模塊。 文件下載: NVXR22S90M2SPC-D.PDF 產(chǎn)品概述 NVXR22S90M2SPC屬于用于牽引
    的頭像 發(fā)表于 04-28 17:45 ?877次閱讀

    使用PW8001高端功率分析儀對(duì)SiC逆變器實(shí)際測(cè)量結(jié)果的比較

    近年來,采用可實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)功率半導(dǎo)體Sic及GaN的高效逆變器研發(fā)不斷推進(jìn)。通過采用這些功率半導(dǎo)體,可實(shí)現(xiàn)逆變器 開關(guān)速度的高速化,扼流線圈
    的頭像 發(fā)表于 04-27 15:24 ?519次閱讀
    使用PW8001高端<b class='flag-5'>功率</b>分析儀對(duì)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>逆變器</b>實(shí)際測(cè)量結(jié)果的比較

    使用功率分析儀 PW8001對(duì)SiC功率器件的鐵路逆變器的效率評(píng)估

    使用功率分析儀 PW8001 和 AC/DC 高壓分壓器 VT1005,可以測(cè)量使用 SiC 功率半導(dǎo)體的逆變器的效率。 測(cè)試對(duì)象 支持高壓輸入/輸出的高效率
    的頭像 發(fā)表于 04-24 16:34 ?170次閱讀
    使用<b class='flag-5'>功率</b>分析儀 PW8001對(duì)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的鐵路<b class='flag-5'>逆變器</b>的效率評(píng)估

    功率分析儀PW8001測(cè)量 SiC/GaN 逆變器效率的應(yīng)用

    在能源的有效利用愈發(fā)被重視的當(dāng)下,Sic和GaN在電力電子儀器中的應(yīng)用也在持續(xù)加速。在開發(fā)使用Sic和GaN的高效率儀器中,要求以0.1%為單位準(zhǔn)確評(píng)估功率轉(zhuǎn)換效率的性能提升。 然而,測(cè)試人員把
    的頭像 發(fā)表于 04-20 16:32 ?1036次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>分析儀PW8001測(cè)量 <b class='flag-5'>SiC</b>/GaN <b class='flag-5'>逆變器</b>效率的應(yīng)用

    一文看懂 | 中國(guó)華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動(dòng)態(tài)【上】

    。 2025 年 11 月:聯(lián)合研制 β 相氧化鎵功率二極管取得突破,功率品質(zhì)因子超越 SiC 理論極限,驗(yàn)證下一代電力電子技術(shù)路線。 03 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體(北京) 2026 年 3
    發(fā)表于 03-24 13:48

    SiC MOSFET架構(gòu)的類型及其區(qū)別

    SiC MOSFET滿足了電力電子行業(yè)對(duì)更高效率、更高功率密度以及在極端溫度下運(yùn)行的要求,其應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋電動(dòng)汽車(EV)牽引逆變器、可再生能源系統(tǒng)和工業(yè)電源。本文深入討論不同的
    的頭像 發(fā)表于 03-19 14:31 ?257次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET架構(gòu)的類型及其區(qū)別

    SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)

    ℃),適用于高溫環(huán)境;此外,高禁帶寬度使 SiC 的本征載流子濃度更低,從而大幅減小了器件的漏電流。SiC 具有更高的熱導(dǎo)率,使 SiC 器件在相同散熱系統(tǒng)下可耗散掉更高的熱量,從而
    的頭像 發(fā)表于 12-05 10:05 ?7858次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b>MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)

    解析 onsemi NVVR26A120M1WSB SiC 功率模塊:電動(dòng)車牽引逆變器的理想之選

    在當(dāng)今電動(dòng)車和混合動(dòng)力車蓬勃發(fā)展的時(shí)代,牽引逆變器作為核心部件,對(duì)功率模塊的性能和可靠性提出了極高要求。onsemi 的 NVVR26A120M1WSB 碳化硅(SiC功率模塊憑借其
    的頭像 發(fā)表于 11-27 09:51 ?1822次閱讀
    解析 onsemi NVVR26A120M1WSB <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>功率</b>模塊:電動(dòng)車牽引<b class='flag-5'>逆變器</b>的理想之選

    安森美SiC MOSFET模塊在牽引逆變器的應(yīng)用

    牽引逆變器被稱為電驅(qū)系統(tǒng)的 “心臟”,為車輛行駛提供必需的扭矩與加速度。當(dāng)前,很多純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車均采用IGBT技術(shù)。而碳化硅(SiC)技術(shù)的引入,進(jìn)一步拓展了牽引
    的頭像 發(fā)表于 08-15 16:13 ?2745次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET模塊在牽引<b class='flag-5'>逆變器</b>的應(yīng)用

    SiC+Si混碳融合逆變器 · 從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析

    以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于SiC+Si多變量融合逆變器·從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析-原創(chuàng)文章,僅用于SysPro內(nèi)部使用,非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-本篇節(jié)選,完
    的頭像 發(fā)表于 08-15 08:32 ?4211次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>+Si混碳融合<b class='flag-5'>逆變器</b> · 從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析

    深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

    SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù),賦能客戶在三大核心維度實(shí)現(xiàn)飛躍性提升:效率躍升、空間減負(fù)、成本優(yōu)化與可靠性保障
    發(fā)表于 07-23 14:36

    基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:26 ?827次閱讀

    Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素

    Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
    的頭像 發(fā)表于 06-06 08:25 ?3458次閱讀
    Si-IGBT+<b class='flag-5'>SiC</b>-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>逆變器</b>設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素

    GaN與SiC功率器件深度解析

    本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯?duì)市售GaN與SiC功率晶體
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:28 ?2516次閱讀
    GaN與<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b>器件深度解析

    逆變器綜合設(shè)計(jì)大全

    逆變電源。毋須懷疑,隨 著計(jì)算機(jī)技術(shù)和各種新型功率器件的發(fā)展,逆變裝置也向著體積更小、效率更高、性能指標(biāo)更優(yōu) 越的方向發(fā)展。 1、逆變器的定義
    發(fā)表于 05-06 17:43