思瑞浦秉承獨立開發(fā)、自主創(chuàng)新的理念，自2019年深耕隔離技術(shù)以來，積累了豐富的發(fā)明專利，其中基礎(chǔ)隔離、傳輸電路、工藝優(yōu)化、新型封裝等技術(shù)發(fā)明專利共計9項。截至目前，已推出多款隔離系列產(chǎn)品，獲得客戶認可與好評。

針對工廠自動化、電力自動化、電機驅(qū)動、電源控制、新能源、醫(yī)療等應(yīng)用場景，思瑞浦隔離產(chǎn)品的隔離耐壓等級達到5kVrms以上，ESD靜電保護達到±8kV， 防閂鎖（Latch up）能力高達800mA（高溫125℃），性能與可靠性均處于領(lǐng)先。共模瞬態(tài)抑制（CMTI）達到200kV/μs，思瑞浦隔離產(chǎn)品的CMTI能力處于國際領(lǐng)先地位。

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思瑞浦隔離產(chǎn)品特性

思瑞浦隔離系列產(chǎn)品，均采用自主專利的隔離IP，隔離產(chǎn)品具備如下特性：

工作電壓范圍：2.25V – 5.5V

通訊速率：100Mbps Data Rate

低延時：12ns

耐壓能力：5kV RMS （WSOP16）

抗浪涌能力：10kV peak （WSOP16）

共模瞬態(tài)抑制能力：±200kV/μs CMTI

寬溫度范圍：?40°C to +125°C

封裝支持：SOP8、WSOP8、SOP16、QSOP16、WSOP16

可靠性防護能力：

±8kV IEC ESD ±800mA Latch up

完整安規(guī)認證報告：VDE、UL、TUV、CQC、CSA、CB

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思瑞浦隔離產(chǎn)品優(yōu)勢

隔離器的核心指標(biāo)：Breakdown Voltage

擊穿電壓Breakdown Voltage（BV）是隔離器的核心指標(biāo)， 思瑞浦的隔離產(chǎn)品Breakdown Voltage達到10kV，處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。

表1：Breakdown Voltage 對比

國際先進的抗沖擊保護能力

隔離產(chǎn)品的使用場景比較惡劣，經(jīng)常會遇到靜電和浪涌沖擊，對隔離產(chǎn)品的防護能力提出了很高的要求，思瑞浦隔離產(chǎn)品具備±8kV IC ESD和±6kV防浪涌能力（對應(yīng)±10kV peak），處于國際先進水平。

表2：抗沖擊保護能力對比

±200kV/μs國際領(lǐng)先共模瞬態(tài)抑制CMTI能力

CMTI即Common Mode Transient Immunity，共模瞬變抗擾度，衡量器件在共模電壓瞬變時依然能夠正常傳輸信號的能力，參數(shù)值是共模瞬變的最大Slew Rate，反映出隔離產(chǎn)品對共模瞬變干擾的抑制能力。如圖1所示，為數(shù)字隔離器CMTI測試模型框圖。

圖1： CMTI測試模型

在電機驅(qū)動等典型應(yīng)用中，使用PWM脈寬控制柵極驅(qū)動和MOS FET，后者用來驅(qū)動電機。MOS FET等功率器件往往工作在硬開關(guān)狀態(tài)下，若使用普通的硅MOS FET，產(chǎn)生的電壓跳變（dV/dt）干擾通常在40kV/μs以內(nèi)，大多數(shù)的隔離產(chǎn)品CMTI都可以滿足該需求。而同樣參數(shù)的碳化硅/氮化鎵器件，開關(guān)速度更快，特別是下降沿時會更加惡劣，在使用碳化硅MOS FET時，所產(chǎn)生共模干擾的最大下降斜率會達到200kV/μs，因此要求隔離產(chǎn)品具備200kV/μs以上CMTI能力。如圖2模擬CMTI下降沿測試電路，圖3顯示思瑞浦隔離器CMTI達到200kV/us以上，表格3的數(shù)據(jù)也是基于此條件而得出。

圖2：CMTI下降沿測試電路

圖3：CMTI下降沿測試波形

表3：CMTI性能對比

CMTI分為靜態(tài)和動態(tài)兩種，靜態(tài)CMTI衡量輸入穩(wěn)定時抗共模電壓瞬變干擾的能力，動態(tài)CMTI的測試中共模電壓瞬變出現(xiàn)在輸入信號跳變的邊沿處，情況更為惡劣。如果隔離產(chǎn)品的CMTI能力不夠，dV/dt干擾會對控制信號造成很大的影響。思瑞浦隔離產(chǎn)品具備 ±200kV/μs的靜態(tài)CMTI， 動態(tài)CMTI也高達±150kV/μs，優(yōu)于國內(nèi)外同類產(chǎn)品，處于國際領(lǐng)先水平。

TDDB測試展現(xiàn)高可靠性

經(jīng)時擊穿TDDB（Time dependent dielectric breakdown，）是業(yè)界通用的評測柵氧可靠性的實驗方法，基于實驗數(shù)據(jù)還可以建立柵氧使用壽命預(yù)測模型、柵氧不良品篩選模型等，滿足器件的可靠性要求。思瑞浦針對隔離器件建立了高壓TDDB實驗室，通過高壓高溫加速，測量大量樣品數(shù)據(jù)，長時間測量的方式嚴格評測隔離器件TDDB數(shù)據(jù)。如下TDDB結(jié)果表明思瑞浦隔離器件可以穩(wěn)定工作超過100年。

安規(guī)認證是幫助證明了隔離芯片在0時刻的安全等級，并不能證明隔離芯片在10年，甚至20年后的工作狀態(tài)，而VDE0884-11規(guī)范明確要求VIOWM（隔離芯片的工作耐壓）必須經(jīng)過TDDB驗證才能標(biāo)識。因此工程師在選型時隔離芯片時，推薦選擇VIOWM 完成TDDB測試的型號。

思瑞浦隔離產(chǎn)品是完全獨立開發(fā)，并擁有自主專利，具備高隔離電壓，高抗沖擊能力，相關(guān)技術(shù)指標(biāo)處于國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進水平，可以滿足大多數(shù)工業(yè)應(yīng)用場景的可靠性需求。隔離耐壓等級高、靜電保護與浪涌防護能力強、±200kV/μs國際領(lǐng)先的CMTI能力，全系列產(chǎn)品經(jīng)過TDDB嚴格測試，特別適合各種新能源等應(yīng)用場景，尤其是滿足第三代功率半導(dǎo)體碳化硅/氮化鎵的設(shè)計需求。應(yīng)用在工廠自動化、電力自動化、電機驅(qū)動、電源控制、新能源、醫(yī)療等場景，能保證足夠的設(shè)計余量，提高系統(tǒng)的魯棒性。

思瑞浦今年將持續(xù)推出更多的隔離系列產(chǎn)品：隔離運放、隔離驅(qū)動、隔離電源等，敬請期待！