現(xiàn)代世界是一個(gè)耗電的地方，2020 年的需求預(yù)計(jì)將超過(guò) 30 拍瓦[1]。推動(dòng)這一數(shù)字的備受矚目的應(yīng)用是 5G 蜂窩網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、數(shù)據(jù)中心的不斷擴(kuò)展以及現(xiàn)在的電動(dòng)汽車(chē)充電。電網(wǎng)上的所有這些負(fù)載都通過(guò)電源轉(zhuǎn)換器進(jìn)行路由，將線(xiàn)路交流電轉(zhuǎn)換為終端電路所需的直流電電平。也許令人驚訝的是，工業(yè)電機(jī)也是能源需求的巨大貢獻(xiàn)者，據(jù)非政府組織 CLASP [2] 稱(chēng)，占全球總消耗量的 53% 。這些也越來(lái)越多地由智能 DC-AC 逆變器或變頻驅(qū)動(dòng)器 (VFD) 驅(qū)動(dòng)，這些驅(qū)動(dòng)器在節(jié)能的同時(shí)改善了功能。

在所有這些應(yīng)用中，電力轉(zhuǎn)換效率是一個(gè)主要問(wèn)題，每增加一個(gè)百分點(diǎn)就代表著運(yùn)營(yíng)費(fèi)用的減少和對(duì)環(huán)境的影響更小。盡管過(guò)去通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步取得了顯著的收益，但由于效率曲線(xiàn)的指數(shù)性質(zhì)，這些收益越來(lái)越難以實(shí)現(xiàn)。因此，雖然從 99% 到 99.5% 的 0.5% 改進(jìn)聽(tīng)起來(lái)很容易實(shí)現(xiàn)，但實(shí)際上需要將顯示的功率損失減半?，F(xiàn)在需要考慮在整個(gè)系統(tǒng)中獲得收益的方法，而不是完全專(zhuān)注于 IC。雖然之前被忽視，

電容器也會(huì)導(dǎo)致功率損耗

在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，電容器最常用作“去耦”以吸收濾波器中的高頻紋波電流，降低中間直流總線(xiàn)或輸出上的紋波電壓，或在“緩沖器”網(wǎng)絡(luò)中限制半導(dǎo)體上潛在的破壞性瞬態(tài)電壓。在高功率總線(xiàn)或“直流鏈路”上，電容器可能會(huì)遇到高電壓、高溫以及數(shù)十或數(shù)百安培的高頻和低頻紋波電流的組合。作為緩沖器，條件可能與需要低寄生電感的高 dV/dt 水平的額外壓力相似。在高效諧振轉(zhuǎn)換器中還有一個(gè)相對(duì)較新的應(yīng)用，其中需要電容器來(lái)耦合諧振“槽”中的滿(mǎn)負(fù)載功率，需要高紋波電流額定值、溫度范圍內(nèi)的電容穩(wěn)定性以及寬直流和交流工作范圍。2 R 損耗會(huì)導(dǎo)致散熱和可能的熱失控。

在這些應(yīng)用中，薄膜或什至電解電容器類(lèi)型已被用于實(shí)現(xiàn)所需的高電容值，但組件的物理尺寸較大以最大限度地降低 ESR。然而，隨著開(kāi)關(guān)頻率隨著時(shí)間的推移逐漸上升，這意味著所需的電容水平已成比例地降低。這開(kāi)辟了采用具有高紋波電流額定值和極低 ESR 特性的多層陶瓷電容器 (MLCC) 的可能性。

MLCC 類(lèi)型的選擇很重要

MLCC 分為兩類(lèi)；I類(lèi)使用CaZrO 3電介質(zhì)，II 類(lèi)使用 BaTiO 3。在這些類(lèi)別中，有具有不同溫度穩(wěn)定性特性的類(lèi)型；例如，I 類(lèi)中的 C0G、NPO、U2J 具有良好的穩(wěn)定性，但單位體積的電容較低，而 II 類(lèi)中的 X7R 和 X5R 具有很高的實(shí)際電容值，但會(huì)隨工作溫度、直流偏置和“最后一次加熱后的時(shí)間”而變化（老化）。

I 類(lèi)類(lèi)型通常適用于緩沖器和諧振轉(zhuǎn)換器，例如用于無(wú)線(xiàn)充電，其中穩(wěn)定性和低 ESR 很重要，但所需的電容值通常較低。II 類(lèi)類(lèi)型 X7R 和 X5R 可用于需要數(shù)十甚至數(shù)百微法拉的場(chǎng)合，但它們的 ESR 值可能比 I 類(lèi)類(lèi)型高兩個(gè)數(shù)量級(jí)（圖 1）。

圖 1：X7R 和 C0G/U2J MLCC 隨頻率變化的 ESR 圖（來(lái)源：KEMET）

II 類(lèi) MLCC 的更高 ESR 值不可避免地導(dǎo)致更高的損耗和溫升。例如來(lái)自 KEMET 的 1812 封裝類(lèi)型之間的比較顯示，U2J 和 C0G MLCC 的上升不到 5°C，而 X7R 型上升 40°C，均在 5A rms 紋波電流下。來(lái)自 KEMET 的額定 150°C KC-LINK TM [3]范圍內(nèi)的I 類(lèi)類(lèi)型也比具有大約 2 倍斷裂模量 (MOR) 的等效 II 類(lèi) MLCC 更堅(jiān)固。這避免了在電容器結(jié)構(gòu)中需要引線(xiàn)框架，從而將等效串聯(lián)電感 (ESL) 降低到 1nH 以下。由于電容值現(xiàn)在在微法拉范圍內(nèi)，很明顯，I 類(lèi)類(lèi)型是最低損耗的最佳解決方案。

當(dāng)需要更高的電容值時(shí)，I 類(lèi) MLCC 可以并聯(lián)，而不必消耗更多的電路板空間；KEMET KONNEKT TM技術(shù)以標(biāo)準(zhǔn)方向或低損耗方向堆疊 1812 尺寸電容器，后一種排列提供最低的 ESR 和 ESL，以實(shí)現(xiàn)最小的損耗（圖 2）。例如，他們的 U2J 1.4μF 組件，由三個(gè) 0.47μF 類(lèi)型堆疊而成，標(biāo)準(zhǔn)方向的 ESR 為 1.3 毫歐，低損耗方向的 ESR 為 0.35 毫歐，ESL 同樣從 1.6nH 降低到 0.4nH。

圖 2：KEMET KONNEKT TM技術(shù)在相同尺寸的標(biāo)準(zhǔn)和低損耗方向上增加了電容

有時(shí)一切都與容量有關(guān)

在某些應(yīng)用中，給定體積內(nèi)的最大電容是優(yōu)先事項(xiàng)。一個(gè)例子是當(dāng)電源出現(xiàn)故障時(shí)需要在直流總線(xiàn)上保持。所需的電容C，保持時(shí)間T，而總線(xiàn)電壓從V1下降到V2由功率 P 加載由下式給出：

C = 2 x P x T/(V1 2 -V2 2 )

例如，對(duì)于數(shù)據(jù)中心總線(xiàn)上的 100W 負(fù)載和 10ms 保持時(shí)間從 48V 降至 36V，所需的 C 為 2000μF。

對(duì)于 MLCC，所需的許多 II 類(lèi)并聯(lián)部件的占用空間可能會(huì)令人望而卻步，尤其是當(dāng)它們?cè)趯?shí)際電容顯著下降的額定電壓和溫度附近運(yùn)行時(shí)。鋁電解電容器會(huì)更小但壽命有限且 ESR 高，但現(xiàn)在可以考慮的替代方案是鉭聚合物電容器，它的體積容量比 II 類(lèi) MLCC 好得多，但在施加的電壓和溫度下穩(wěn)定，ESR 高于II 類(lèi) MLCC，但仍?xún)?yōu)于鋁電解液。[4]。

電感也有損耗

電感器用于濾波器中的功率轉(zhuǎn)換，與電容器一樣，它們可以看到疊加有交流紋波的高連續(xù)電流。在使用同步整流的現(xiàn)代 AC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，紋波電流與 DC 值處于同一數(shù)量級(jí)是很常見(jiàn)的，例如，在數(shù)據(jù)中心可能是數(shù)百安培。AC 分量會(huì)產(chǎn)生磁滯和渦流磁芯損耗，這在很大程度上取決于頻率和磁芯材料，而 DC 分量會(huì)導(dǎo)致繞組線(xiàn)電阻的耗散。選擇具有高飽和磁通密度和低固有交流損耗的磁芯材料可以減少繞組匝數(shù)，從而最大限度地減少總直流電阻和直流損耗。金屬?gòu)?fù)合材料核心，如 METCOM 系列[5]KEMET 是一種流行的選擇，具有低 AC 和 DC 損耗以及在溫度和電流范圍內(nèi)的穩(wěn)定電感。

圖 3：具有模制金屬?gòu)?fù)合磁芯的低損耗電感器（KEMET METCOM 系列）

結(jié)論

隨著電源轉(zhuǎn)換器效率預(yù)期的提高，無(wú)源元件的損耗變得越來(lái)越成問(wèn)題。然而，可以使用新技術(shù)組件，這有助于設(shè)計(jì)人員更接近理論極限。

審核編輯 黃昊宇