chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

WAYON維安功率半導(dǎo)體新戰(zhàn)場(chǎng),淺談逆變器現(xiàn)狀

KOYUELEC光與電子 ? 來源: KOYUELEC光與電子 ? 作者: KOYUELEC光與電子 ? 2022-08-08 15:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

能源是國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要基礎(chǔ)之一。隨著環(huán)境污染問題日益突出,大力發(fā)展新能源和可再生清潔能源成為全球未來能源發(fā)展戰(zhàn)略要求。太陽能光伏發(fā)電作為一種取之不盡、用之不竭、潔凈安全的可再生能源,被認(rèn)為是21世紀(jì)化石能源的最佳替代者之一。

據(jù)能源部門統(tǒng)計(jì),2020年全球光伏逆變器的新增及替換整體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約136GW,且將在未來數(shù)年保持在平均20%以上的增長速度,至2025年全球光伏逆變器新增及替換整體市場(chǎng)將有望達(dá)到400GW的市場(chǎng)。

光伏逆變器作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分,其作用是將光伏組件產(chǎn)生的可變直流電壓轉(zhuǎn)換為市電頻率交流電,直接影響到電網(wǎng)的安全可靠運(yùn)行。目前,市面上常見的逆變器主要為集中式逆變器、組串式逆變器和微型逆變器。


202207061122100276.jpg

圖1 各種光伏逆變器結(jié)構(gòu)對(duì)比


微型逆變器主要應(yīng)用在低于300 W的的光伏并網(wǎng)系統(tǒng)中,通常微型逆變器的數(shù)量與光伏組件數(shù)量相同,每一組件的交直流變換和最大功率跟蹤功能單獨(dú)進(jìn)行,當(dāng)某塊電池板損壞或被遮擋的情況下,不影響其他逆變器的正常工作,可即插即用,能夠根據(jù)用于需求進(jìn)行安裝擴(kuò)展。

此外,微型逆變器的設(shè)計(jì)使用壽命長達(dá)25年,遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)逆變器,這使得使得其收益也高于一般的傳統(tǒng)光伏系統(tǒng)。

在雙碳背景下,分布式光伏成為擴(kuò)大我國光伏發(fā)電應(yīng)用規(guī)模的重要抓手,而微型逆變器作為分布式發(fā)電系統(tǒng)的主要技術(shù)方案之一,憑借其安全、高效、智能、可靠、便捷等優(yōu)勢(shì),逐步在分布式光伏應(yīng)用場(chǎng)景中成為優(yōu)選。預(yù)計(jì)到2025年,全球微型逆變器市場(chǎng)將增長至300億元左右,市場(chǎng)空間廣闊。


poYBAGLwtmyAAA3TAADbbnXFnRQ196.png

圖2 資料來源:華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院


逆變器的首要功能是直交流變化功能,其中,IGBT、SiC、MOSFET作為逆變器的核心元件,也隨著光伏的不斷發(fā)展得以進(jìn)一步打開市場(chǎng)空間。

針對(duì)光伏市場(chǎng)應(yīng)用,維安產(chǎn)品組合包括全系列的功率器件,具體包括高壓SJ-MOSFET、中壓SGT MOSFET和IGBT模組和第三代半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管SiC SBD,此外,維安還可以提供AC/DCDC/DC、LDO、保護(hù)器件等產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)完整的系統(tǒng)級(jí)方案。

不同結(jié)構(gòu)逆變器有不同電路框架,圖3為微型逆變器拓?fù)浼軜?gòu)圖。功率器件作為整個(gè)電路系統(tǒng)的關(guān)鍵器件,金額占比較高。

poYBAGLwtnGAYSmdAAD7YyWQxYE093.jpg

圖3 微型逆變器拓?fù)浼軜?gòu)圖


隨著全球光伏需求的快速增長,維安加快布局光伏行業(yè)業(yè)務(wù),除了微型逆變器,維安對(duì)組串逆變器及儲(chǔ)能變流器和相關(guān)的BMS這些未來景氣度較高的細(xì)分領(lǐng)域,都有相應(yīng)的產(chǎn)品和方案來配套。為方便快速選型,下表為維安在逆變器和儲(chǔ)能應(yīng)用中常用物料規(guī)格型號(hào)。


pYYBAGLwtnuAaQSUAAHjW-riBsQ854.jpg


審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    293

    文章

    4905

    瀏覽量

    211014
  • 光伏
    +關(guān)注

    關(guān)注

    49

    文章

    3788

    瀏覽量

    71158
  • 功率半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    23

    文章

    1312

    瀏覽量

    44155
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。 書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)
    發(fā)表于 07-11 14:49

    功率半導(dǎo)體與集成技術(shù):開啟能源與智能新紀(jì)元

    本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇,并對(duì)未來發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。功率
    的頭像 發(fā)表于 04-09 13:35 ?683次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>與集成技術(shù):開啟能源與智能新紀(jì)元

    APSME 2025功率半導(dǎo)體展:洞察行業(yè)發(fā)展機(jī)遇,攜手共創(chuàng)美好未來

    、高效的能源轉(zhuǎn)換和控制。那么,當(dāng)前功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀究竟如何呢? 【行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀】 近年來,功率半導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 03-28 09:24 ?317次閱讀

    意法合資工廠通線啟示:國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路

    近日,三光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計(jì)2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效
    的頭像 發(fā)表于 03-01 16:11 ?561次閱讀

    功率半導(dǎo)體展 聚焦 APSME 2025,共探功率半導(dǎo)體發(fā)展新征程

    2025 亞洲國際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦;展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng),打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采
    的頭像 發(fā)表于 02-13 11:49 ?402次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>展 聚焦 APSME 2025,共探<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>發(fā)展新征程

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?1030次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件的PCB設(shè)計(jì)

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?802次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

    基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(半導(dǎo)體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝,具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先
    的頭像 發(fā)表于 12-12 11:35 ?3853次閱讀

    功率半導(dǎo)體激光器的散熱秘籍:過渡熱沉封裝技術(shù)揭秘

    了更高的要求。過渡熱沉封裝技術(shù)作為一種有效的散熱解決方案,已經(jīng)成為高功率半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)的關(guān)鍵。本文將詳細(xì)探討高功率半導(dǎo)體激光器過渡熱沉封裝技術(shù)的研究
    的頭像 發(fā)表于 11-15 11:29 ?1913次閱讀
    高<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>激光器的散熱秘籍:過渡熱沉封裝技術(shù)揭秘

    Nexperia榮獲2024年度全球電子成就獎(jiǎng)之年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)

    在2024年度全球電子成就獎(jiǎng)的頒獎(jiǎng)典禮上,半導(dǎo)體憑借其1200 V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),榮獲“年度功率
    的頭像 發(fā)表于 11-12 11:05 ?964次閱讀

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 10-22 08:01 ?1730次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的熱阻

    功率半導(dǎo)體讓生活更美好

    功率半導(dǎo)體讓生活更美好
    的頭像 發(fā)表于 09-20 08:06 ?651次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>讓生活更美好

    逆變器的電容越大功率越大嗎

    。高效的電路設(shè)計(jì)能夠更有效地將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能,并在轉(zhuǎn)換過程中減少能量損失。 半導(dǎo)體器件 :逆變器中使用的半導(dǎo)體器件(如IGBT、MOSFET等)的規(guī)格和性能直接影響其功率輸出能
    的頭像 發(fā)表于 08-28 15:55 ?3932次閱讀

    功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體的區(qū)別

    功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們?cè)陔娮悠骷械膽?yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別: 材料類型:功率
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:07 ?1024次閱讀

    功率半導(dǎo)體的封裝方式有哪些

    功率半導(dǎo)體的封裝方式多種多樣,這些封裝方式不僅保護(hù)了功率半導(dǎo)體芯片,還提供了電氣和機(jī)械連接,確保了器件的穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)功率
    的頭像 發(fā)表于 07-24 11:17 ?2524次閱讀