chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

ASML下一代EUV光刻機High-NA來了!

SSDFans ? 來源:SSDFans ? 作者:SSDFans ? 2022-08-17 15:44 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

半導體行業(yè)花了十多年的時間來準備使用極紫外(EUV)光刻技術生產(chǎn)芯片所需的一切。看起來要達到下一個水平——具有高數(shù)值孔徑的EUV所需的時間要少得多。

需要更高的分辨率

目前,最先進的芯片是5/4納米級工藝,使用EUV光刻ASML的Twinscan NXE:3400C(及類似)系統(tǒng),具有0.33數(shù)值孔徑(NA)光學,提供13納米分辨率。這種分辨率對于7 nm/6 nm節(jié)點(36 nm ~ 38 nm)和5nm (30 nm ~ 32 nm)的單模式方法足夠好。但隨著間距低于30納米(超過5納米節(jié)點),13納米分辨率可能需要雙光刻曝光,這將在未來幾年被使用。

26d61b48-1dca-11ed-ba43-dac502259ad0.png

對于3nm后的節(jié)點,ASML及其合作伙伴正在研究一種全新的EUV工具——Twinscan EXE:5000系列,具有0.55 NA(High-NA)透鏡,能夠達到8nm分辨率,可以避免3nm及以上的多圖案。新的High-NA掃描儀仍在開發(fā)中,預計它們將非常復雜,非常大,而且昂貴——每臺掃描儀的成本將超過4億美元。High-NA不僅需要新的光學設備,還需要新的光源,甚至需要新的晶片來容納更大的機器,這將需要大量的投資。

2705eac6-1dca-11ed-ba43-dac502259ad0.png

但為了保持半導體的性能、功率、面積和成本(PPAc),領先的邏輯芯片和存儲設備制造商愿意采用新技術,High-NA EUV掃描儀對于后3納米節(jié)點至關重要。因此,對High-NA工具的需求非常高。

10 ~ 20套High-NA系統(tǒng)交付

幾周前,ASML披露其在2022年第一季度收到了多份來自logicDRAM客戶的High-NA Twinscan EXE:5200系統(tǒng)(EUV 0.55 NA)訂單。據(jù)路透社報道,最近該公司澄清說,他們已經(jīng)獲得了5個High-NA掃描儀的試點訂單,將于2024年交付,并“超過5個”訂單,用于從2025年開始交付具有更高生產(chǎn)率的后續(xù)型號。

有趣的是,早在2020 ~ 2021年,ASML就表示已經(jīng)收到了三家客戶的High-NA承諾,共提供多達12套系統(tǒng)。邏輯制造商通常是第一個采用前沿工具的,可以肯定的是,英特爾、三星代工和臺積電承諾在2020 ~ 2021年獲得預生產(chǎn)的High-NA掃描儀。此外,ASML已經(jīng)開始建造首個High-NA系統(tǒng),該系統(tǒng)將于2023年完成,并將被Imec和ASML客戶用于研發(fā)用途。

27152bc6-1dca-11ed-ba43-dac502259ad0.png

“在高NA EUV方面,我們正在取得良好進展,目前已經(jīng)開始在我們位于Veldhoven的新潔凈室中集成第一個High-NA系統(tǒng),”ASML首席執(zhí)行官Peter Wennink說。“我們在第一季度收到了多個EXE:5200系統(tǒng)訂單。本月,也就是4月,我們還收到了額外的EXE:5200訂單。通過這些預訂,我們現(xiàn)在收到了來自三個Logic和兩個Memory客戶的High-NA訂單。EXE:5200是ASML的下一代High-NA系統(tǒng),將為光刻性能和生產(chǎn)力提供下一步的發(fā)展?!?/p>

271fdf94-1dca-11ed-ba43-dac502259ad0.png

ASML的Twinscan EXE:5200比普通的Twinscan NXE:3400C機器要復雜得多,因此構建這些工具需要更長的時間。該公司希望在未來中期能夠交付多達20套High-NA系統(tǒng),這可能意味著其客戶將不得不競爭這些機器。

“我們也在與我們的供應鏈伙伴討論,以確保中期大約20個EUV 0.55NA系統(tǒng)的能力,”Wennink說。

英特爾率先采用預生產(chǎn)工具

到目前為止,唯一確認使用ASML High-NA工具的工藝技術是英特爾的18A節(jié)點,該節(jié)點曾計劃在2025年進入大批量生產(chǎn),大約在那時ASML開始交付其生產(chǎn)的High-NA EUV系統(tǒng)。但最近英特爾將18A的生產(chǎn)推遲到2024年下半年,并表示可以使用ASML的Twinscan NXE:3600D或NXE:3800E來生產(chǎn)18A,可能是通過多模式。

雖然英特爾的18A技術將大大受益于High-NA EUV工具,但看起來英特爾并不一定需要Twinscan EXE:5200機器用于該節(jié)點。在商業(yè)芯片上使用多模式意味著更長的產(chǎn)品周期、更低的生產(chǎn)率、更高的風險和潛在的更低的收益率(盡管后者不是一成不變的)。然而,英特爾似乎希望它的18A節(jié)點盡快到來,也許是因為它認為這是一個重要的工具,可以讓它從臺積電手中奪回工藝技術的領先地位。因此,如果工具按時完成,英特爾的更新計劃現(xiàn)在是在18A的生命周期中逐步采用High-NA工具。

當然,對于18A的0.33 NA EUV掃描儀的使用是否會為英特爾和英特爾代工服務的客戶提供足夠的生產(chǎn)力還有待觀察。但是,至少在2024年,英特爾將別無選擇,只能使用它現(xiàn)有的機器。

臺積電、三星、SK海力士、美光等半導體企業(yè)也將不可避免地采用High-NA EUV技術進行大規(guī)模生產(chǎn)。唯一的問題是這到底什么時候會發(fā)生。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 分辨率
    +關注

    關注

    2

    文章

    1129

    瀏覽量

    43403
  • 光刻技術
    +關注

    關注

    1

    文章

    151

    瀏覽量

    16574
  • ASML
    +關注

    關注

    7

    文章

    738

    瀏覽量

    43637

原文標題:ASML下一代EUV光刻機High-NA來了!

文章出處:【微信號:SSDFans,微信公眾號:SSDFans】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    中國打造自己的EUV光刻膠標準!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)芯片,直被譽為 人類智慧、工程協(xié)作與精密制造的集大成者 ,而制造芯片的重要設備光刻機就是 雕刻這個結晶的 “ 神之手 ”。但僅有光刻機還不夠,還需要光刻
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:53 ?7100次閱讀

    俄羅斯亮劍:公布EUV光刻機路線圖,挑戰(zhàn)ASML霸主地位?

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)?在全球半導體產(chǎn)業(yè)格局中,光刻機被譽為 “半導體工業(yè)皇冠上的明珠”,而極紫外(EUV光刻技術更是先進制程芯片制造的核心。長期以來,荷蘭 ASML
    的頭像 發(fā)表于 10-04 03:18 ?1.1w次閱讀
    俄羅斯亮劍:公布<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻機</b>路線圖,挑戰(zhàn)<b class='flag-5'>ASML</b>霸主地位?

    AI需求飆升!ASML光刻機直擊2nm芯片制造,尼康新品獲重大突破

    *1(L/S*2)高分辨率。扇出型面板級封裝(FOPLP)技術為何會獲得臺積電、三星等代工大廠的青睞?比較傳統(tǒng)的光刻機設備,尼康DSP-100的技術原理有何不同?能解決AI芯片生產(chǎn)當中的哪些痛點問題? 針對2nm、3nm芯片制造難題,光刻機龍頭企業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 07-24 09:29 ?8793次閱讀
    AI需求飆升!<b class='flag-5'>ASML</b>新<b class='flag-5'>光刻機</b>直擊2nm芯片制造,尼康新品獲重大突破

    看點:臺積電展示新一代芯片技術 特斯拉:努力在中國市場推出輔助駕駛

    ?(低成本方案,適配手機/筆記本),并宣布至2029年均無需采用ASML高價High-NA EUV光刻設備。??這意味著臺積電?即便不用阿斯麥昂貴的高數(shù)值孔徑極紫外
    的頭像 發(fā)表于 04-23 15:07 ?396次閱讀

    壟斷 EUV 光刻機之后,阿斯麥劍指先進封裝

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 當全球半導體產(chǎn)業(yè)陷入 “先進制程競賽” 的白熱化階段,極紫外(EUV光刻機作為高端芯片制造的 “皇冠上的明珠”,成為決定產(chǎn)業(yè)格局的核心力量。荷蘭阿斯麥(ASML)作為全球唯
    的頭像 發(fā)表于 03-05 09:19 ?2724次閱讀

    下一代EUV已來!ASML宣布已用于大規(guī)模量產(chǎn)

    行業(yè)芯事行業(yè)資訊
    電子發(fā)燒友網(wǎng)官方
    發(fā)布于 :2026年02月28日 09:31:43

    EUV光源重大突破!ASML:芯片產(chǎn)量將提升50%

    紫外光刻EUV)設備的公司。EUV設備堪稱芯片制造商生產(chǎn)先進計算芯片的“神器”,像臺積電、英特爾等行業(yè)巨頭都高度依賴它。EUV光刻機是以1
    的頭像 發(fā)表于 02-25 09:15 ?2591次閱讀

    澤攸科技 | EBL和EUV光刻機有何區(qū)別?如何影響半導體行業(yè)?

    從技術路徑上看,電子束光刻和大家熟悉的EUV光刻并不是同類問題的解法。電子束光刻本質上是種直
    的頭像 發(fā)表于 01-06 16:49 ?1059次閱讀
    澤攸科技 | EBL和<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻機</b>有何區(qū)別?如何影響半導體行業(yè)?

    國產(chǎn)高精度步進式光刻機順利出廠

    近日,深圳穩(wěn)頂聚芯技術有限公司(簡稱“穩(wěn)頂聚芯”)宣布,其自主研發(fā)的首臺國產(chǎn)高精度步進式光刻機已成功出廠,標志著我國在半導體核心裝備領域取得新進展。 此次穩(wěn)頂聚芯出廠的步進式光刻機屬于WS180i
    的頭像 發(fā)表于 10-10 17:36 ?2756次閱讀

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+半導體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術

    %。至少將GAA納米片提升幾個工藝節(jié)點。 2、晶背供電技術 3、EUV光刻機與其他競爭技術 光刻技術是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點的高端半導體芯片的關鍵技術。是將設計好的芯片版圖圖形轉移到硅晶圓上的
    發(fā)表于 09-15 14:50

    適用于下一代 GGE 和 HSPA 手機的多模/多頻段 PAM skyworksinc

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()適用于下一代 GGE 和 HSPA 手機的多模/多頻段 PAM相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有適用于下一代 GGE 和 HSPA 手機的多模/多頻段 PAM的引腳圖、接線圖、封裝
    發(fā)表于 09-05 18:34
    適用于<b class='flag-5'>下一代</b> GGE 和 HSPA 手機的多模/多頻段 PAM skyworksinc

    光刻機實例調試#光刻機 #光學 #光學設備

    光刻機
    jf_90915507
    發(fā)布于 :2025年08月05日 09:37:57

    ASML官宣:更先進的Hyper NA光刻機開發(fā)已經(jīng)啟動

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,日前,ASML 技術高級副總裁 Jos Benschop 表示,ASML 已攜手光學組件獨家合作伙伴蔡司,啟動了 5nm 分辨率的 Hyper NA 光刻機開發(fā)。
    發(fā)表于 06-29 06:39 ?2160次閱讀

    ASML光刻「芯 」勢力知識挑戰(zhàn)賽正式啟動

    ASML光刻「芯」勢力知識挑戰(zhàn)賽由全球半導體行業(yè)領先供應商ASML發(fā)起,是項面向中國半導體人才與科技愛好者的科普賽事。依托ASML
    的頭像 發(fā)表于 06-23 17:04 ?1438次閱讀
    <b class='flag-5'>ASML</b>杯<b class='flag-5'>光刻</b>「芯 」勢力知識挑戰(zhàn)賽正式啟動

    電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極

    出現(xiàn)誤差。傳統(tǒng)聚焦手段已不能滿足電子直寫光刻機對電子束質量的要求。 只有對聚焦電極改進才是最佳選擇,以下介紹該進后的電極工作原理。通過把電子束壓縮到中心線達到縮束的目的,使電子束分布在條直線
    發(fā)表于 05-07 06:03