兆易創(chuàng)新今日宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，在針對(duì)智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測(cè)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中，能顯著降低運(yùn)行功耗，有效延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。

隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，新一代智能可穿戴設(shè)備需要擁有更豐富的功能來(lái)滿足消費(fèi)者的需求，這種空間敏感型產(chǎn)品對(duì)系統(tǒng)功耗提出了更嚴(yán)苛的要求，希望進(jìn)一步提升產(chǎn)品的續(xù)航能力。

從系統(tǒng)設(shè)計(jì)層面來(lái)看，一些先進(jìn)工藝器件的工作電壓已低至1.2V，如果所需的Flash可支持1.2V的電壓操作，這對(duì)于主控而言，將能夠有效簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)并優(yōu)化系統(tǒng)成本。

應(yīng)此需求，兆易創(chuàng)新推出了GD25UF產(chǎn)品系列，該系列工作電壓可擴(kuò)展至1.14~1.6V，具有單通道、雙通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式，支持不同容量選擇，能夠滿足智能設(shè)備所需的代碼存儲(chǔ)要求。

在讀寫性能方面

GD25UF最高時(shí)鐘頻率STR 120MHz，DTR 60MHz，擁有10萬(wàn)次的擦寫壽命，數(shù)據(jù)有效保存期限可達(dá)20年。

在安全性方面

該產(chǎn)品具有128bit Unique ID來(lái)實(shí)現(xiàn)加密效果，為應(yīng)用帶來(lái)高安全保障。

同時(shí)，為進(jìn)一步滿足低功耗的需求，GD25UF產(chǎn)品系列特別提供了Normal Mode和Low Power Mode兩種工作模式。在Normal Mode下，器件讀取電流在四通道120MHz的頻率下低至6mA；在Low Power Mode下，器件讀取電流在四通道1MHz頻率下低至0.5mA，擦寫電流低至7mA，睡眠功耗低至0.1uA。

相比于1.8V供電的SPI NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal Mode下，相同電流情況下的功耗降低了33%，而在Low Power Mode下，相同頻率下的功耗降低了70%，有效延長(zhǎng)了設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。

另外GD25UF系列產(chǎn)品的供電電壓支持1.14~1.6V的寬電壓范圍，可顯著延長(zhǎng)單電池供電應(yīng)用的使用壽命。并且該系列產(chǎn)品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封裝，全溫度工作范圍覆蓋-40℃~85℃、-40℃~105℃、-40℃~125℃。

兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)器事業(yè)部執(zhí)行總監(jiān)陳暉先生表示：

“GD25UF系列產(chǎn)品進(jìn)一步豐富了兆易創(chuàng)新的Flash Memory產(chǎn)品線。其具備的1.2V低電壓和超低功耗模式可以幫助小容量電池供電設(shè)備提高續(xù)航能力，即使在不可避免的電池衰減過(guò)程中，也可以保持出色且穩(wěn)定的運(yùn)行狀態(tài)，增加應(yīng)用的可靠性。如今，電池續(xù)航能力已經(jīng)成為消費(fèi)者選購(gòu)產(chǎn)品的重要指標(biāo)，GD25UF系列產(chǎn)品的問世會(huì)是下一代可穿戴設(shè)備的理想選擇。作為國(guó)內(nèi)外鮮少擁有1.2V SPI NOR Flash產(chǎn)品線的企業(yè)，兆易創(chuàng)新走在了需求前端，為下一代應(yīng)用的設(shè)計(jì)開發(fā)緩解了壓力，從一定程度上縮短了客戶的研發(fā)成本，讓他們能夠在日益激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中保持領(lǐng)先地位?！?/p>

目前，兆易創(chuàng)新GD25UF系列可提供64Mb容量樣品，更多容量產(chǎn)品將陸續(xù)推出，客戶可聯(lián)絡(luò)銷售代表或授權(quán)代理商了解相關(guān)的信息。

審核編輯 ：李倩