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美“芯片法案”進(jìn)入實(shí)施階段,強(qiáng)行逆周期,面臨多方挑戰(zhàn)

Felix分析 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:吳子鵬 ? 2022-08-27 02:10 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)美東時(shí)間8月25日,美國總統(tǒng)拜登簽署了一項(xiàng)旨在實(shí)施《2022年芯片和科學(xué)法案》的行政命令,意味著備受關(guān)注的“美國芯片法案”將正式進(jìn)入實(shí)施階段。白宮在相關(guān)聲明中表示,這一行政命令兌現(xiàn)了政府的承諾,將全方位增強(qiáng)美國半導(dǎo)體在世界范圍內(nèi)的競爭優(yōu)勢。
近段時(shí)間,“芯片法案”的快速推進(jìn)說明美國對于重振該國本土半導(dǎo)體制造業(yè)是非常迫切的,同時(shí)也表明,中國芯片產(chǎn)業(yè)近幾年迅速崛起給美國帶來了很大壓力。在后續(xù)發(fā)展過程中,中美雙方的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都將面臨實(shí)質(zhì)性的待解難題。
美“芯片法案”強(qiáng)行逆周期
美國“芯片法案”以及相關(guān)的《芯片與科學(xué)法案》自2019年開始醞釀,此后兩年多的時(shí)間里,基本都是在完善此中的細(xì)則問題,最終形成了一份長達(dá)一千多頁,涉及2800億美元撥款的綜合法案。
從半導(dǎo)體發(fā)展大勢來看,美國“芯片法案”屬于違背大的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移周期,強(qiáng)行將半導(dǎo)體制造帶回美國本土。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今,已經(jīng)出現(xiàn)了兩次已經(jīng)完成的大規(guī)模轉(zhuǎn)移。其中,第一次發(fā)生在上世紀(jì)70年代末期和80年代初期,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由美國轉(zhuǎn)到日本,這一次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移以家電裝備產(chǎn)業(yè)為引導(dǎo),完成了半導(dǎo)體從美國向日本的擴(kuò)散;第二次則發(fā)生在80年代末和90年代初,由于日本經(jīng)濟(jì)泡沫,加上PC和消費(fèi)電子崛起,全球半導(dǎo)體進(jìn)一步擴(kuò)散到了韓國和中國臺灣地區(qū),且由于PC和后續(xù)消費(fèi)電子中的智能手機(jī)極為看重處理器,而處理器又倚重摩爾定律的發(fā)展,因此韓國和中國臺灣在半導(dǎo)體制造方面目前屬于一枝獨(dú)秀。
能夠看出,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移深受終端產(chǎn)業(yè)變遷的影響,近幾年P(guān)C和智能手機(jī)為主的消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)已經(jīng)出現(xiàn)了明顯的天花板效應(yīng),終端產(chǎn)業(yè)開始向著萬物互聯(lián)和新能源轉(zhuǎn)變,半導(dǎo)體制造也開始強(qiáng)調(diào)超越摩爾。在這個(gè)過程中,中國大陸地區(qū)憑借大力投資和政策引導(dǎo),在增強(qiáng)傳統(tǒng)芯片制造實(shí)力的同時(shí),開始謀劃半導(dǎo)體先進(jìn)制造、先進(jìn)封裝,以及第三代半導(dǎo)體。如果沒有外力干預(yù),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著明顯第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的勢頭,目的地為中國大陸。
綜合多方面因素考慮,美國顯然并不希望第三次半導(dǎo)體轉(zhuǎn)移順利完成,并且從發(fā)展軌跡來看,數(shù)次轉(zhuǎn)移之后,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)越來越偏離美國本土,這其實(shí)就是美國提出“芯片法案”的大背景。
不過很顯然,這是一個(gè)逆周期的行為。并且,從美國對日本半導(dǎo)體所做的事情來看,這其實(shí)也是美國“芯片霸權(quán)”的一種手段,韓國和中國臺灣的半導(dǎo)體制造業(yè)其實(shí)一樣有很深的危機(jī)意識。
此外,從手段來看,美國現(xiàn)階段對中國半導(dǎo)體采用的“招數(shù)”和當(dāng)年對日本半導(dǎo)體的“招數(shù)”并無差異,依然是打政策和貿(mào)易的組合拳。因此,這也就是此前很多國內(nèi)的專家和分析人士將美國的舉動形容為“華盛頓翻開舊的工具箱”。
美“芯片法案”面臨多方挑戰(zhàn)
綜合近一段時(shí)間以來國內(nèi)外分析人士對美國“芯片法案”的解讀,即便現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入了正式的實(shí)施階段,但面臨的阻礙是多方面且巨大的。
首先是下游產(chǎn)業(yè)的趨勢問題,我們從前兩次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,以及最近本該發(fā)生的半導(dǎo)體轉(zhuǎn)移上能夠看出,終端產(chǎn)業(yè)對推動半導(dǎo)體轉(zhuǎn)移有非常明顯的作用。然而,下一波趨勢中的終端產(chǎn)業(yè)基本都在中國大陸地區(qū)爆發(fā)了。
首先在萬物互聯(lián)方面,中國是全球最大的物聯(lián)網(wǎng)市場,是全球物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)發(fā)展的中心區(qū)域。從設(shè)備連接數(shù)量來看,根據(jù)GSMA Intelligence在2020年的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),中國在全球15億蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接中占比64%。在物聯(lián)網(wǎng)支出方面,IDC預(yù)計(jì),到2024年中國物聯(lián)網(wǎng)市場支出將達(dá)到約3000億美元,未來5年的復(fù)合增長率將達(dá)到13.0%,這一投資比例也將使得中國超越美國成為全球最大的物聯(lián)網(wǎng)支出市場。
在對于萬物互聯(lián)發(fā)展至關(guān)重要的5G方面,根據(jù)中國工業(yè)和信息化部的最新統(tǒng)計(jì),我國累計(jì)建成開通5G基站196.8萬個(gè),5G移動電話用戶達(dá)到4.75億戶,已建成全球規(guī)模最大的5G網(wǎng)絡(luò),已開通5G基站占全球5G基站總數(shù)的60%以上。
在全球雙碳目標(biāo)下,另一個(gè)大的主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)是新能源,其也是帶動第三代半導(dǎo)體最明顯的產(chǎn)業(yè)。目前,在光伏和新能源汽車領(lǐng)域,中國已經(jīng)居于明顯的領(lǐng)先位置。統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,目前中國光伏企業(yè)貢獻(xiàn)了全球76%的光伏產(chǎn)品產(chǎn)量,并且后續(xù)這一比例將持續(xù)攀升。目前,在全球光伏企業(yè)的統(tǒng)計(jì)中,至少有7家是中國企業(yè),有統(tǒng)計(jì)顯示為10家全是中國公司。
在新能源汽車方面,中國已成為全球最大的新能源汽車市場,在全球新能源汽車產(chǎn)能方面已經(jīng)超過了50%,在2022年1-5月份,中國生產(chǎn)的新能源汽車約40%銷往歐洲地區(qū)。
因此,美國現(xiàn)階段進(jìn)行半導(dǎo)體制造回籠,實(shí)際上是沒有太好的終端產(chǎn)業(yè)根基的,所瞄準(zhǔn)的更多會是上一周期里面的先進(jìn)制程,而先進(jìn)制程依托的PC和消費(fèi)電子已經(jīng)沒有太多增長潛能,因此美國此舉實(shí)際上是要從韓國和中國臺灣的相關(guān)廠商手里搶份額,但這些相關(guān)廠商卻又是美國“芯片法案”見效的捷徑。
除了終端產(chǎn)業(yè)的支撐問題以外,此前電子發(fā)燒友網(wǎng)也曾多次報(bào)道過,美國“芯片法案”在資金規(guī)模、人才儲備、行政效率和廠商抉擇等方面也面臨著巨大的挑戰(zhàn)。
這些挑戰(zhàn)中,人才儲備問題是目前美國“芯片法案”最棘手的問題。近幾年美國的留學(xué)政策收緊讓人才出現(xiàn)了斷檔問題,美國國際教育者協(xié)會主席埃絲特·布里默曾發(fā)布署名文章抨擊過這一問題,他指出,美國的《芯片法案》立法,并未觸及招聘美國半導(dǎo)體行業(yè)以及所有STEM領(lǐng)域所需人力資本中存在的真正障礙。
作為美國芯片制造主要的目標(biāo)之一,臺積電也曾吐槽過美國的人才短缺問題,該公司正在美國興建5nm工廠,預(yù)計(jì)在2023年Q1將芯片生產(chǎn)設(shè)備遷入美國新廠,然而由于半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中心長期在亞洲,并且臺積電的企業(yè)文化導(dǎo)致該公司在美國的招聘工資吸引力非常低,甚至對頂尖高校畢業(yè)生的招聘薪資只有英特爾的一半,這讓臺積電非常苦惱,已經(jīng)開始籌備在中國臺灣地區(qū)招聘人才然后轉(zhuǎn)移到美國,此舉的難度可想而知有多大。
總體而言,美國“芯片法案”無論是從資金上,還是從人才上來看,都面臨著僧多肉少的難題。
中國芯積極尋求突圍
近一段時(shí)間,為了阻止中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起,美國采取了大量的舉措,包括拉動全球64家半導(dǎo)體企業(yè)組建半導(dǎo)體聯(lián)盟(SIAC),拉動韓國、中國臺灣和日本組建CHIP4聯(lián)盟,制定和簽署美國“芯片法案”,以及各種對中國企業(yè)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制裁措施等等。國內(nèi)的半導(dǎo)體從業(yè)者認(rèn)為,美國多番舉動就像是對中國芯片產(chǎn)業(yè)多次呼喊“狼來啦”,而將“芯片法案”立法并實(shí)施則是真正的“狼來了”。
圍繞美國“芯片法案”還有一條規(guī)定,那就是獲得該法案補(bǔ)貼的半導(dǎo)體企業(yè),在未來的10年內(nèi),都不能在中國大陸新建或是擴(kuò)建先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠。并且,美國已經(jīng)將對中國的半導(dǎo)體設(shè)備限制提升到了14nm。
面對美國種種打壓行徑,中國并沒有坐以待斃,而是積極尋求突圍辦法。近期,兩條路徑較為受到產(chǎn)業(yè)界關(guān)注。
其中一個(gè)是Chiplet技術(shù),我們此前的文章已經(jīng)分析過,在國內(nèi)Chiplet技術(shù)主要以先進(jìn)封裝為抓手,以此進(jìn)一步挖掘成熟制程的潛力。目前,長電科技、華天科技、通富微電國內(nèi)三大封裝企業(yè)都是Chiplet熱門企業(yè)。
在芯片制造方面,國內(nèi)也將目光再一次聚焦到了FD-SOI上。FD-SOI(fully depleted silicon-on-insulator)即全耗盡型絕緣體上硅的平面工藝技術(shù),主要技術(shù)創(chuàng)新為超薄的埋氧層和非常薄的硅膜制作晶體管溝道,曾在半導(dǎo)體制程方面和FinFET齊名,被認(rèn)為是20nm以下的可選路徑之一。
目前,F(xiàn)D-SOI在28nm和22nm方面已經(jīng)證明了自己,尤其是低功耗方面的顯著優(yōu)勢,走向14nm已經(jīng)是產(chǎn)業(yè)趨勢,將會為圖像傳感器、物聯(lián)網(wǎng)芯片等芯片制造帶來性能加持。芯原股份創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民認(rèn)為,F(xiàn)D-SOI是中國大陸Fabless“換道超車”的機(jī)會。
小結(jié)
美國“芯片法案”正式實(shí)施之后,中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨著更加嚴(yán)峻的外部挑戰(zhàn)。不過,美國逆周期的行徑想要取得成功,面臨的阻礙也是多方面且巨大的?,F(xiàn)階段的情況是,中國已經(jīng)很難在芯片產(chǎn)業(yè)過往的路徑上繼續(xù)發(fā)展,需要更多的原始創(chuàng)新,包括更好地使用Chiplet和FD-SOI技術(shù)。
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