chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

海外大廠搶灘2023,國內(nèi)企業(yè)加速追趕碳化硅襯底8英寸節(jié)點(diǎn)

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:梁浩斌 ? 2022-09-07 07:56 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)襯底產(chǎn)能在近年成為了碳化硅行業(yè)痛點(diǎn),隨著電力電子行業(yè),包括電動(dòng)汽車、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電等新能源應(yīng)用市場的發(fā)展,碳化硅功率器件因?yàn)楦咝省⒏吣蛪旱葍?yōu)勢受到了追捧,導(dǎo)致產(chǎn)能嚴(yán)重供不應(yīng)求。增加產(chǎn)能的有效方法就是提高襯底尺寸,目前碳化硅襯底尺寸正在從6英寸往8英寸發(fā)展。

全球最大的碳化硅襯底供應(yīng)商Wolfspeed,今年4月剛剛開始在全球首個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠試產(chǎn),預(yù)計(jì)今年年底可以向客戶供貨。8英寸襯底雖然生產(chǎn)成本比6英寸高,但以32平方毫米的裸晶為例,每片8英寸晶圓上的裸晶數(shù)量增加近90%,且邊緣裸片的數(shù)量占比從14%減少至7%,綜合良率可達(dá)80%以上。因此綜合下來,8英寸襯底除了產(chǎn)能可以大幅增加之外,在單裸晶的成本上會(huì)占有一定優(yōu)勢。

最近晶盛機(jī)電宣布,公司成功生長出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體。翻看公司公告,在8月12日晶盛機(jī)電首顆8英寸N型碳化硅晶體就已經(jīng)成功出爐,表示成功解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問題。

碳化硅產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵是襯底,晶體制備又是碳化硅襯底的核心,碳化硅晶體通過切割、研磨、拋光、清洗等工序后就可以作為襯底。

可能很多人都聽說過第三代半導(dǎo)體是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“彎道超車”的機(jī)會(huì),但從碳化硅產(chǎn)業(yè)來看,國內(nèi)產(chǎn)業(yè)總體而言其實(shí)還是落后于歐美頭部廠商。

在襯底方面,國內(nèi)目前商業(yè)碳化硅襯底產(chǎn)品以4英寸小尺寸為主,近幾年逐步往6英寸推進(jìn)。在半絕緣型SiC襯底中,國內(nèi)天岳先進(jìn)在全球市場中占比達(dá)到30%,僅次于Wolfspeed和II-VI排名第三。

而國際廠商目前主流碳化硅襯底產(chǎn)品為6英寸,龍頭企業(yè)大多已經(jīng)完成8英寸襯底的研制,Wolfspeed預(yù)計(jì)今年年底可以向客戶供貨。

那么按照襯底尺寸的進(jìn)度,國際上4英寸碳化硅襯底量產(chǎn)時(shí)間相比國內(nèi)要早10年以上,6英寸也要相比國內(nèi)量產(chǎn)時(shí)間節(jié)點(diǎn)早7年左右,總體而言差距較大。不過從4英寸到6英寸,我們也能看到代差其實(shí)在縮短。

到了8英寸的階段,先來看看國際企業(yè)的情況。今年4月,業(yè)界龍頭Wolfspeed的全球最大碳化硅晶圓廠、全球首座8英寸碳化硅工廠正式開業(yè),預(yù)計(jì)今年年底可以向客戶供應(yīng)8英寸碳化硅襯底,并在2024年達(dá)產(chǎn),最終產(chǎn)能將會(huì)達(dá)到2017年的30倍。

今年5月,法國Soitec公司發(fā)布了其首款8英寸碳化硅襯底,目前正在開展第一輪關(guān)鍵客戶產(chǎn)品驗(yàn)證,有望2023年在柏林新工廠中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

II-VI早在2015年就展示了8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底,2019年又研發(fā)出半絕緣8英寸碳化硅襯底。不過量產(chǎn)進(jìn)度相比于Wolfspeed還稍微落后,2021年II-VI表示未來5年內(nèi),將碳化硅襯底的生產(chǎn)能力提高5至10倍,其中包括量產(chǎn)8英寸的襯底。

去年7月意法半導(dǎo)體宣布在瑞典北雪平工廠制造出首批8英存碳化硅襯底,不過大規(guī)模量產(chǎn)還要等2023年意大利的新工廠落成。羅姆也表示會(huì)在2023年開始量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。

國際大廠8英寸碳化硅襯底的量產(chǎn)時(shí)間集中在2023年附近,那么國內(nèi)情況如何?進(jìn)展較快的是中電科第二研究所全資子公司爍科晶體,他們在2020年宣布8英寸碳化硅襯底研發(fā)成功,隨后在去年8月宣布研制出8英寸碳化硅晶體后,今年1月又完成了8英寸N型(導(dǎo)電型)碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)。

中科院物理研究所今年5月成功研制出8英寸碳化硅導(dǎo)電單晶,可以用于制造碳化硅單晶襯底。該研究所目前與天科合達(dá)合作,通過企業(yè)將研究成果產(chǎn)業(yè)化,目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)4-6英寸碳化硅襯底的大批量生產(chǎn)和銷售,但8英寸顯然還處于研發(fā)階段。

除此之外,天岳先進(jìn)、露笑科技等國內(nèi)企業(yè)都宣布了研發(fā)8英寸碳化硅襯底的計(jì)劃,但目前為止還沒有明確的量產(chǎn)時(shí)間表。

如果將Wolfspeed在2019年11月完成首批8英寸碳化硅晶圓樣品制備作為國際上8英寸小批量生產(chǎn)的參考節(jié)點(diǎn),那么理想狀態(tài)下,國內(nèi)進(jìn)展最快的爍科晶體在8英寸產(chǎn)品上與國際差距不到三年,相比于6英寸量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)差距再大幅縮小。

但盲目追趕尺寸也并非理性,其實(shí)國內(nèi)碳化硅襯底普遍在良率、缺陷率上與國際上的領(lǐng)先產(chǎn)品還有差距,比如國內(nèi)6英寸碳化硅襯底良率普遍在30%-40%左右,Wolfspeed目前已經(jīng)可以做到60%左右了。所以對于國內(nèi)碳化硅襯底企業(yè)而言,目前最重要的是與下游客戶合作,共同改善產(chǎn)品缺陷或良率。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3213

    瀏覽量

    51386
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    加速!12英寸碳化硅襯底中試線來了!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12英寸碳化硅再迎來跨越式進(jìn)展!9月26日,晶盛機(jī)電宣布,首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞Su
    的頭像 發(fā)表于 09-29 08:59 ?4053次閱讀

    AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動(dòng),12英寸碳化硅靜待爆發(fā)

    替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層,并最晚在2027年廣泛應(yīng)用。 ? 碳化硅過去的主力市場是功率器件,但功率器件市場需求增速存在瓶頸,從6英寸8英寸的進(jìn)程花費(fèi)時(shí)間較長,除了
    的頭像 發(fā)表于 09-26 09:13 ?5966次閱讀

    重大突破!12 英寸碳化硅晶圓剝離成功,打破國外壟斷!

    9月8日消息,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè),于近日在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備,成功完成了12
    的頭像 發(fā)表于 09-10 09:12 ?1011次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,會(huì)顛覆AR眼鏡行業(yè)?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年以來,各家廠商都開始展示出12英寸SiC產(chǎn)品,包括晶錠和襯底,加速推進(jìn)12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近,天成半導(dǎo)體宣布成功研制出12
    的頭像 發(fā)表于 07-30 09:32 ?9368次閱讀

    12英寸SiC,再添新玩家

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時(shí)代后,業(yè)界并沒有停下腳步,開始投入到12英寸襯底的開發(fā)中。 ? 去年11月,天岳先進(jìn)率先出手,發(fā)布了行業(yè)首款12
    的頭像 發(fā)表于 05-21 00:51 ?6932次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,又有新進(jìn)展

    尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?2489次閱讀

    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

    )的壟斷與衰落 技術(shù)壟斷期:Wolfspeed(原CREE)曾長期主導(dǎo)全球碳化硅襯底市場,其物理氣相傳輸法(PVT)生長技術(shù)及6英寸襯底工藝占據(jù)絕對優(yōu)勢。2018年特斯拉采用
    的頭像 發(fā)表于 03-05 07:27 ?1046次閱讀
    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>崛起的發(fā)展啟示

    三安光電與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目通線

    三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導(dǎo)體有限公司,簡稱安意法),全面落成后預(yù)計(jì)總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠
    的頭像 發(fā)表于 02-27 18:12 ?1352次閱讀

    晶盛機(jī)電:6-8 英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)批量出貨

    端快速實(shí)現(xiàn)市場突破,公司8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售,12英寸三軸減薄拋光機(jī)拓展至國內(nèi)頭部封裝客戶,12
    的頭像 發(fā)表于 02-22 15:23 ?1559次閱讀

    環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價(jià)格趨于穩(wěn)定

    近日,環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場反彈仍不確定。中國臺(tái)灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:35 ?751次閱讀

    碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    一、引言 隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關(guān)鍵。BOW(翹曲度)和 WARP(彎曲度)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù),準(zhǔn)確測量這些參數(shù)對于保證器件性能至關(guān)重要
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:30 ?286次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對于測量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> BOW/WARP 的影響

    碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,
    的頭像 發(fā)表于 01-13 14:36 ?394次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> BOW/WARP 的影響

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時(shí)間內(nèi)的主流尺寸,其外延生長室的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    <b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b>單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延生長室結(jié)構(gòu)

    碳化硅襯底修邊處理后,碳化硅襯底TTV變化管控

    一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn) 修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分,以提高
    的頭像 發(fā)表于 12-23 16:56 ?487次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>修邊處理后,<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>TTV變化管控

    碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?5027次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>,進(jìn)化到12<b class='flag-5'>英寸</b>!