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大數(shù)據(jù)時(shí)代迎來(lái)新挑戰(zhàn),聚焦半導(dǎo)體存儲(chǔ)資深大咖解讀共創(chuàng)新紀(jì)元!

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2022-10-17 16:57 ? 次閱讀
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來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技SiSC

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自電子設(shè)備誕生的那一刻起,儲(chǔ)存芯片就作為數(shù)據(jù)保存的載體。隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代來(lái)臨,AIIoT的融合發(fā)展,數(shù)據(jù)量快速增加,存儲(chǔ)需求相應(yīng)急增。目前在集成電路市場(chǎng)上,獨(dú)立存儲(chǔ)芯片占集成電路總數(shù)量的約1/4。存儲(chǔ)芯片作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)物理介質(zhì),其可靠性、安全性尤為重要。它是各類電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)功能的主要部件,也是應(yīng)用最廣泛的基礎(chǔ)性通用芯片之一。同時(shí),云計(jì)算的開放性使得用戶數(shù)據(jù)安全性面臨較大挑戰(zhàn)。

DRAM、NAND FLASH等半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù),我國(guó)從無(wú)到有。存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造封裝測(cè)試、模組應(yīng)用等一系列存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)集群日漸成形。存儲(chǔ)芯片作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一個(gè)部分,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯產(chǎn)業(yè)的廠商期待與世界快速接軌。

2022年10月13日14:00-16:00第十四屆晶芯在線研討會(huì)之“大數(shù)據(jù)時(shí)代的半導(dǎo)體存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)安全”,由雅時(shí)國(guó)際商訊主辦、大會(huì)媒體《半導(dǎo)體芯科技》雜志社協(xié)辦、CHIP China晶芯研討會(huì)承辦的主題會(huì)議上,我社邀請(qǐng)到垂直存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈重量級(jí)企業(yè),分別從各自領(lǐng)域深度剖析半導(dǎo)體以及存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)、市場(chǎng)與應(yīng)用等趨勢(shì)。

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ACT雅時(shí)商訊總裁、《半導(dǎo)體芯科技》出版總監(jiān)麥協(xié)林先生在致辭中,向所有上線嘉賓表示歡迎和感謝,期待通過(guò)本次會(huì)議促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與企業(yè)間的聯(lián)動(dòng)。在這半天的直播時(shí)間里,共有近900名觀眾報(bào)名參加、近700人上線參與、近千條評(píng)論區(qū)實(shí)時(shí)互動(dòng)留言,3852次點(diǎn)贊鼓掌,高頻互動(dòng)問(wèn)答給大家更是留下了深刻的印象,反響熱烈。

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第一位演講嘉賓,華潤(rùn)微電子新型半導(dǎo)體器件首席專家 李少平。李博士一直在國(guó)際著名研究機(jī)構(gòu)與國(guó)際高科技芯片和MEMS傳感器企業(yè),從事非易失性存儲(chǔ)器芯片與MEMS芯片的開發(fā)。李博士為我們分享了《新型非易失性存儲(chǔ)芯片技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展》。其中具體闡述了新興非易失性存儲(chǔ)芯片的特點(diǎn)、產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀,MRAM與鐵電非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的現(xiàn)狀和進(jìn)展。以及非易失性存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。

李博士在MRAM,F(xiàn)eRAM和ReRAM等新型非易失性存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域均有建樹。2011年與團(tuán)隊(duì)一起在國(guó)際上最早提出采用Ta、W等非磁性重金屬薄膜并利用 Edelstein效應(yīng)制造垂直磁化SOT(自旋軌道轉(zhuǎn)矩)MRAM存儲(chǔ)器芯片。李博士認(rèn)為,開發(fā)領(lǐng)先的非易失性存儲(chǔ)器芯片的技術(shù),目標(biāo)在于發(fā)展下一代高密度, 高性能, 高可靠性芯片。短期目標(biāo)市場(chǎng)可替代部分NOR Flash;我們應(yīng)抓住全球非易失性存儲(chǔ)芯片技術(shù)開發(fā)調(diào)整的機(jī)遇,填補(bǔ)原創(chuàng)新型非易失性存儲(chǔ)芯片的技術(shù)空白(SOT與FTJ),為存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)崛起打下基礎(chǔ)。

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第二位演講嘉賓,深圳大學(xué)微電子研究院封測(cè)中心主任 黃雙武。黃教授獲得新加坡國(guó)立大學(xué)博士后,已在新加坡和美國(guó)工作18年,先后服務(wù)于日立化成(HCAP)、美光科技(Micron)、星科金朋(StatschipPAC)、新加坡微電子研究所(IME)、瑞士SFS集團(tuán)旗下Unisteel公司技術(shù)總監(jiān)。2014回國(guó)加入碩貝德無(wú)線科技(SPEED)負(fù)責(zé)TSV制造和指紋模組封裝技術(shù)開發(fā)。

黃教授深入淺出地為我們分享了《先進(jìn)封裝在存儲(chǔ)器件中的應(yīng)用》,詳細(xì)介紹了存儲(chǔ)芯片50年的技術(shù)發(fā)展歷程,講解了倒裝焊接(Flip Chip-BGA)、3D封裝扇出型晶圓級(jí)別封裝(FOWLP)、 SoC&SiP、3D IC、硅通孔等先進(jìn)封裝技術(shù),并探討了未來(lái)50年存儲(chǔ)芯片封裝技術(shù)的發(fā)展方向,就異質(zhì)異構(gòu)集成電路發(fā)展趨勢(shì)與面臨挑戰(zhàn)、大灣區(qū)的需求情況等進(jìn)行總結(jié)報(bào)告。

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第三位演講嘉賓,沛頓科技(深圳)有限公司首席技術(shù)官 何洪文。何博士給我們分享了半導(dǎo)體發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力,先進(jìn)封裝的市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)、先進(jìn)封裝面臨的挑戰(zhàn),以及存儲(chǔ)封裝的解決方案。

據(jù)預(yù)估,2030年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)萬(wàn)億,相比2021年復(fù)合增長(zhǎng)率6~7%。高端產(chǎn)品封裝市場(chǎng)增長(zhǎng)迅速; 國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片需求龐大、自給率低,新興應(yīng)用及政策推動(dòng)助力國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片快速發(fā)展。由于半導(dǎo)體工藝越來(lái)越接近極限,每一代工藝帶來(lái)的性能增益越來(lái)越小,先進(jìn)封裝將成為芯片性能提升的主要推動(dòng)力。先進(jìn)工藝的紅利逐漸減少,不斷縮減晶體管尺寸的技術(shù)路徑開始放緩,先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)研發(fā)遭遇技術(shù)瓶頸。同時(shí),隨著高端存儲(chǔ)芯片的演進(jìn),先進(jìn)封裝技術(shù)會(huì)更多地被應(yīng)用。對(duì)于半導(dǎo)體封測(cè)領(lǐng)域的企業(yè)來(lái)說(shuō),先進(jìn)封裝被稱為實(shí)現(xiàn)超越摩爾定律的有效途徑, HB/TSV等先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)高端產(chǎn)品廣泛應(yīng)用, Chiplet異構(gòu)集成提供低成本、高集成度的解決方案。本演講中何博士主要重點(diǎn)介紹了POPt、3D TSV、Hybrid Bonding等先進(jìn)封裝技術(shù)的挑戰(zhàn),并闡述了沛頓科技在存儲(chǔ)芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域的整體解決方案及技術(shù)規(guī)劃。

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第四位演講嘉賓,東芯半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理 陳磊。陳總向我們分享了國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)的現(xiàn)狀及分析,東芯半導(dǎo)體作為本土存儲(chǔ)Fabless芯片設(shè)計(jì)公司的自主創(chuàng)芯之路。

隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代來(lái)臨,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求巨大,汽車、新基建等產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,對(duì)存儲(chǔ)芯片性能提出了更高的要求。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)迎頭追趕。截至2021年,我國(guó)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模達(dá)到4519億元,同比增長(zhǎng)19.6%。其在國(guó)內(nèi)集成電路全產(chǎn)業(yè)規(guī)模占比43%。東芯半導(dǎo)體專注于存儲(chǔ)IC設(shè)計(jì),提供小容量NAND、NOR、DRAM存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案。其中,DS35X4GM-IB,是2021年推出的4Gb SPI NAND Flash,擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),是國(guó)內(nèi)第一顆2xnm的SPI NAND Flash產(chǎn)品,提供3.3V/1.8V兩種電壓,被廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域,5G通訊、企業(yè)級(jí)網(wǎng)關(guān)、網(wǎng)絡(luò)智能監(jiān)控、數(shù)字錄像機(jī)、數(shù)字機(jī)頂盒和智能手環(huán)等終端產(chǎn)品。該品一經(jīng)推出就獲得廣泛關(guān)注。

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直播間內(nèi)聽眾們紛紛提出了他們對(duì)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的一系列問(wèn)題,經(jīng)四位專家答疑后,集中問(wèn)答反饋將在后續(xù)公眾號(hào)推出,敬請(qǐng)期待。

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審核編輯 黃昊宇

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