引領(lǐng)高效能新紀(jì)元：傾佳力推基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業(yè)應(yīng)用

在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，對(duì)高效、高功率密度、高可靠性電源解決方案的需求日益迫切?；景雽?dǎo)體（BASiC Semiconductor）深耕第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，隆重推出新一代1200V SiC MOSFET模塊系列，包含BMF60R12RB3、BMF80R12RA3、BMF120R12RB3和BMF160R12RA3。這些模塊憑借卓越的性能，成為逆變焊機(jī)、感應(yīng)加熱、電鍍電源、高頻直流電源以及儲(chǔ)能變流器和DC/DC等尖端應(yīng)用的理想選擇。

傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)：為嚴(yán)苛應(yīng)用而生

此系列SiC MOSFET模塊采用先進(jìn)的半橋封裝（34mm），專(zhuān)為高頻、高效應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它們的核心優(yōu)勢(shì)包括：

極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)?）: 顯著降低模塊在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗，提升系統(tǒng)整體效率。例如，BMF60R12RB3的典型導(dǎo)通電阻為21.2mΩ ，而B(niǎo)MF160R12RA3更是低至7.5mΩ 。

低開(kāi)關(guān)損耗與低電感設(shè)計(jì): 模塊具備優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性，通過(guò)低電感封裝設(shè)計(jì)，有效抑制開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)壓，降低開(kāi)關(guān)損耗 。

高電流密度: 模塊芯片采用高電流密度設(shè)計(jì)，確保在緊湊的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出 。

銅基板: 采用銅基板設(shè)計(jì)，提供卓越的散熱性能，保證模塊在高溫環(huán)境下依然穩(wěn)定可靠 。

模塊型號(hào)概覽與應(yīng)用亮點(diǎn)

該系列產(chǎn)品覆蓋不同電流等級(jí)，為工程師提供靈活的選型空間，以匹配不同功率等級(jí)的應(yīng)用需求：

BMF60R12RB3 (1200V, 60A)：

憑借其低導(dǎo)通電阻（典型值21.2mΩ）和低開(kāi)關(guān)損耗，是逆變焊機(jī)和高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇 。其優(yōu)異的散熱設(shè)計(jì)確保在持續(xù)大電流工作下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。

BMF80R12RA3 (1200V, 80A)：

該模塊具備更高的額定電流能力，典型導(dǎo)通電阻為15mΩ 。適用于需要更高功率輸出的感應(yīng)加熱和儲(chǔ)能DC/DC應(yīng)用，能有效提高系統(tǒng)功率密度和效率。

BMF120R12RB3 (1200V, 120A)：

在75°C外殼溫度下，額定電流高達(dá)120A，典型導(dǎo)通電阻為10.6mΩ 。其出色的性能使其特別適合大功率的電鍍電源和儲(chǔ)能變流器，能顯著減少系統(tǒng)體積和重量。

BMF160R12RA3 (1200V, 160A)：

作為該系列中的旗艦產(chǎn)品，BMF160R12RA3在75°C外殼溫度下可承載160A的連續(xù)電流，典型導(dǎo)通電阻僅為7.5mΩ 。這使其成為最高功率等級(jí)應(yīng)用的首選，如大型逆變焊機(jī)、高頻直流電源以及高功率密度的儲(chǔ)能變流器。

結(jié)語(yǔ)

基本半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET模塊系列，通過(guò)將SiC材料的固有優(yōu)勢(shì)與優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)相結(jié)合，有效解決了傳統(tǒng)半導(dǎo)體在高頻、大功率應(yīng)用中的瓶頸。無(wú)論是需要高效、緊湊的逆變焊機(jī)，還是追求穩(wěn)定、可靠的儲(chǔ)能系統(tǒng)，該系列模塊都能提供卓越的解決方案，助力您的產(chǎn)品在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出。

深圳市傾佳電子有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動(dòng)者：

傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車(chē)連接器的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：

新能源：覆蓋光伏、儲(chǔ)能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；

交通電動(dòng)化：服務(wù)新能源汽車(chē)三電系統(tǒng)（電控、電池、電機(jī)）及高壓平臺(tái)升級(jí)；

數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。

公司以“推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國(guó)家“雙碳”政策（碳達(dá)峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。

需求SiC碳化硅MOSFET單管及功率模塊，配套驅(qū)動(dòng)板及驅(qū)動(dòng)IC，請(qǐng)搜索傾佳電子楊茜

審核編輯 黃宇