來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯

最近一月以來(lái)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格一路向下持續(xù)低迷，導(dǎo)致大多數(shù)終端存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格跌幅較大。據(jù)報(bào)道2022年第三季度，全球存儲(chǔ)IC制造霸主三星電子，自2019年以來(lái)利潤(rùn)下滑高達(dá)32%，SK海力士和美光利潤(rùn)分別下滑40%和45%。同期來(lái)自IC Insight預(yù)測(cè)，全球存儲(chǔ)IC銷(xiāo)售排名中，臺(tái)積電超越三星問(wèn)鼎，三星和Intel分別位列二三。

這一輪存儲(chǔ)芯片跌價(jià)，由多方面因素引起。首先，去年“缺芯”漲價(jià)廠商抬價(jià)囤貨，以期牟利；然而今年全球的PC，智能手機(jī)等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品需求疲軟，致使下游客戶(hù)以?xún)A售庫(kù)存為主，訂單減少使制造端存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能過(guò)剩，進(jìn)而連鎖價(jià)格下跌。

儲(chǔ)存芯片是各類(lèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品的核心，按產(chǎn)品掉電后是否保存數(shù)據(jù)，通常它分為易失性存儲(chǔ)和非易失性存儲(chǔ)。易失性存儲(chǔ)以RAM（隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器）為主，包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DRAM、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)SRAM，DRAM常見(jiàn)于我們的PC內(nèi)存；非易失性存儲(chǔ)以ROM（只讀存儲(chǔ)器）和Flash（閃存）為主，F(xiàn)lash分為NOR Flash和NAND Flash。NOR Flash容量小成本高；NAND Flash容量大成本低。就全球存儲(chǔ)產(chǎn)品需求細(xì)分而言，NAND Flash和DRAM需求量最大，其中NAND Flah占比39%；和DRAM占比61%，NOR Flash和ROM等占比3%。

隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代來(lái)臨，特別是AI與IoT的融合發(fā)展，存儲(chǔ)需求量快速增加。物聯(lián)網(wǎng)接入設(shè)備的系統(tǒng)與手機(jī)、計(jì)算機(jī)等相比更簡(jiǎn)單，處理數(shù)據(jù)更少，對(duì)存儲(chǔ)空間的要求較少，這使得NOR Flash大有用武之地。此外，存儲(chǔ)應(yīng)用的增長(zhǎng)點(diǎn)已經(jīng)從智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等消費(fèi)類(lèi)電子擴(kuò)展到互聯(lián)網(wǎng)、人工智能、云計(jì)算、安防領(lǐng)域，技術(shù)要求也越來(lái)越高。全球范圍內(nèi)，美、韓兩國(guó)存儲(chǔ)器芯片廠商位據(jù)頭部、技術(shù)領(lǐng)先。我們的NOR Flash芯片技術(shù)基本成熟，NAND Flash、DRAM芯片領(lǐng)域，我們?nèi)耘c國(guó)際領(lǐng)先水平有代差。

在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈中，設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)占總成本約30%；制造環(huán)節(jié)占比40%；封測(cè)環(huán)節(jié)占比30%。除在封裝環(huán)節(jié)我們已經(jīng)完全實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)以外，在設(shè)計(jì)和高端制造方面我們?nèi)孕璺e極追趕。

審核編輯 黃昊宇