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貿(mào)澤電子開售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

貿(mào)澤電子 ? 來源:貿(mào)澤電子 ? 作者:貿(mào)澤電子 ? 2022-10-27 16:33 ? 次閱讀
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技術日新月異,我們每天都走在創(chuàng)新的路上,獲取前沿的領域知識,并轉化為自己的成果,創(chuàng)造出更適合用戶的產(chǎn)品。在這一路上,貿(mào)澤電子始終會伴你左右,并隨時提供新的采購情報,希望借此能為你帶來更多創(chuàng)新和靈感。以下是本周新品情報,請及時查收:

可同時實現(xiàn)多功能性與低傳導損耗

UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

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貿(mào)澤電子即日起開售UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)750V UJ4C/SC SiC FET,采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場效應晶體管(SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率,同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關DC/DC轉換器、電池充電和IT/服務器電源等應用。

UJ4C/SC器件采用獨特的共源共柵SiC FET技術,其中常開SiC JFET與Si MOSFET封裝在一起形成常關SiC FET。這些FET降低了緊湊型內(nèi)部連接回路的電感,與包含的開爾文源極連接一起,可降低開關損耗,從而實現(xiàn)更高的工作頻率和系統(tǒng)功率密度。

UJ4C/SC系列的D2PAK-7L版本提供從9mΩ到60mΩ的導通電阻選項,實現(xiàn)了設計靈活性,同時保持充足的設計冗余和電路穩(wěn)健性。這些FET具有750V額定電壓、出眾的導通電阻×面積(RDS(on)× A)品質因數(shù)、較低的體二極管、超低柵極電荷,以及支持0V至15V柵極驅動的4.8V閾值電壓,可同時實現(xiàn)多功能性與低傳導損耗。

UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

關于貿(mào)澤電子

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原文標題:UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

文章出處:【微信號:貿(mào)澤電子,微信公眾號:貿(mào)澤電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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