前面很早就寫出了版圖中WPE、LOD效應(yīng)的推文： IC后端物理效應(yīng)--Well Proximity Effect（阱臨近效應(yīng)） 長(zhǎng)文--IC后端物理效應(yīng)--LOD Effect（擴(kuò)散區(qū)長(zhǎng)度效應(yīng)）| LOD與OSE的關(guān)系 可是PSE卻久久沒有發(fā)出來，為什么呢？因?yàn)樯婕暗降膬?nèi)容比較多，包含大學(xué)學(xué)到的固體物理、半導(dǎo)體工藝以及應(yīng)變硅工藝的內(nèi)容（這個(gè)在大學(xué)的時(shí)候貌似沒有學(xué)過，因?yàn)榻z毫沒有印象，查了查資料研究了一下）。

PSE（Poly spacing effect）的內(nèi)容應(yīng)該很多人都知道，也就是Poly的間距對(duì)器件的性能會(huì)產(chǎn)生影響。

如何在后端版圖上或者布局布線中降低PSE的影響有些人應(yīng)該也知道，比如在Std cell版圖中可以看到器件兩側(cè)有Dummy Poly的存在，另外在標(biāo)準(zhǔn)單元的兩側(cè)或者標(biāo)準(zhǔn)單元與Macro的交界處需要加一些End Cap。

但是具體為什么PSE會(huì)對(duì)器件的性能產(chǎn)生影響可能懂的人就不多了，或者大家的理解可能和我之前的理解一樣就是簡(jiǎn)單的認(rèn)為：如果旁邊沒有Dummy Poly或者End Cap那么Core邊界的器件兩側(cè)的環(huán)境就不一樣了，加工出來之后可能和Core中心的器件在物理尺寸或者其他方面有些不一樣，從而會(huì)影響器件的性能。

真的是這樣么？是不是太簡(jiǎn)單了呢？

后來查閱資料發(fā)現(xiàn)，前面的理解或者說猜測(cè)貌似是不對(duì)的。畢竟我們的版圖中也會(huì)添加一堆的Base Filler，里面就包含Dummy Poly，那為什么還專門在外圍添加一些End Cap呢，這肯定說明有一些物理效應(yīng)或者加工工藝只有引入End Cap才會(huì)避免，而引入Dummy Poly Filler是無法解決這種問題的。

那么PSE的真正原因是什么呢？下面根據(jù)我查閱資料的結(jié)果談下我的理解，如有疑問大家可以在公眾號(hào)下方探討哦，畢竟我不是做器件出身的。

PMOS和NMOS的尺寸比

另外，在開始講解之前還得提一下另外一個(gè)現(xiàn)象，因?yàn)檫@個(gè)與本推文要講解的內(nèi)容也非常相關(guān)。在學(xué)校的時(shí)候我們都知道，PMOS中的空穴遷移率比NMOS中電子的遷移率低，所以為了實(shí)現(xiàn)相同的電流輸出，我們需要將PMOS的寬度做的是NMOS寬度的2~3倍?？墒窃谙冗M(jìn)工藝下，這種要求已經(jīng)沒有了，兩種MOS的尺寸是一樣的，這是為什么呢？

這和前面講解的STI stress效應(yīng)以及本節(jié)要介紹的內(nèi)容也息息相關(guān)。

LOD以及OSE效應(yīng)回顧

在講解PSE之前，先回顧一下LOD以及OSE效應(yīng)，因?yàn)樗拖旅嬉v解的PSE有關(guān)系。

器件的性能會(huì)受到OD長(zhǎng)度以及STI寬度的影響，兩者其實(shí)都是STI應(yīng)力引起的效應(yīng)。

STI會(huì)對(duì)兩側(cè)的器件產(chǎn)生“壓應(yīng)力,Compress stress”使得OD的長(zhǎng)度發(fā)生變化（縮短）：

如下圖所示為PMOS和NMOS的電流（性能）隨OD長(zhǎng)度變化的曲線，橫坐標(biāo)為OD的長(zhǎng)度SA(SB)，縱坐標(biāo)是電流的大?。?/p>

從圖中可以得到如下結(jié)論： 隨著LOD以及OSE效應(yīng)的增強(qiáng)，PMOS的電流(性能)會(huì)提升，NMOS的電流(性能)會(huì)下降。這對(duì)于PMOS的性能是有好處的，可是對(duì)于NMOS的性能則是不利的。 根據(jù)前面的STI stress effect我們可以猜測(cè)，如果在器件的OD上面施加一個(gè)向外的拉應(yīng)力（Tensile stress），那么作用將會(huì)和上面相反，PMOS的電流(性能)會(huì)下降，NMOS的電流(性能)會(huì)提升。這對(duì)于PMOS的性能是不利的，可是對(duì)于NMOS的性能則是有幫助的。

因此，其實(shí)為了提高電路的性能，我們更希望在PMOS上施加一個(gè)壓應(yīng)力（Compress stress），在NMOS上施加一個(gè)拉應(yīng)力（Tensile stress）。

應(yīng)變硅工藝應(yīng)力引入機(jī)制 于是有人就想到，可以利用上面這種物理效應(yīng)來提升器件的性能。

在器件上面引入應(yīng)力的有兩種方法：

1、在PMOS源漏下內(nèi)嵌（embedded）一層SiGe(鍺硅)來產(chǎn)生壓應(yīng)力，這種也被稱為eSiGe (Embedded SiGe)。原因：襯底致雙軸應(yīng)力引入機(jī)制。

2、在器件上加一層CESL（接觸刻蝕停止層，比如SiN）來產(chǎn)生額外的拉/壓應(yīng)力。

原因：CESL致單軸應(yīng)力引入機(jī)制。

1、鍺硅工藝引入的壓應(yīng)力 當(dāng)鍺硅（SiGe）合金生在在Si襯底上時(shí)，由于Ge的晶格常數(shù)比Si大，所以其生長(zhǎng)平面上的晶格常數(shù)會(huì)減小以適應(yīng)Si襯底的晶格常數(shù)，由此會(huì)形成贋晶生長(zhǎng)，另外贋晶生長(zhǎng)會(huì)在SiGe上施加一個(gè)壓應(yīng)力。晶格失配程度會(huì)隨Ge組分的增加而隨之加深，當(dāng)超出一定厚度之后會(huì)形成大量的失配位錯(cuò)釋放應(yīng)力，如下圖所示：

引入的應(yīng)力會(huì)使得PMOS中空穴的遷移率增加（具體原因很復(fù)雜，其中一個(gè)原因來自于空穴有效質(zhì)量的減?。?。對(duì)于長(zhǎng)溝道鍺硅PMOS而言，與傳統(tǒng)體硅PMOS相比，遷移率可以提高至少50%。 這種技術(shù)以及后邊要講的另一種應(yīng)力引入機(jī)制廣泛使用在90nm及以后的工藝下（在5nm及以下工藝下可能不會(huì)采用了），如下圖所示（strain工藝）：

如下圖所示為FinFET工藝下PMOS源漏端淀積的SiGe示意圖：

下圖是實(shí)際芯片的截面圖，從中可以看到源漏端的SiGe：

另外，工藝上采用這種技術(shù)后，PMOS的性能也會(huì)受到Metal Gate與OD邊界的距離也就是Length of Diffusion(LOD)的影響，這個(gè)可能是LOD效應(yīng)的另一個(gè)原因。





審核編輯：劉清