需要實時測量芯片的工作電流時，較通用的想法是在電源端串聯(lián)一個萬用表，根據(jù)萬用表的電流值得到芯片的工作電流;今天分享一種測量工作電流的方法僅供參考。

一：現(xiàn)象及原理分析

前段時間由于要做MCU芯片替代，從FAE手中拿到了一個開發(fā)板，在開發(fā)板的手冊介紹中發(fā)現(xiàn)有MCU電流測量的位置。如下圖中橢圓框內(nèi)的標(biāo)注。

在傳統(tǒng)的想法中以為測量芯片電流的方法是：在電流回路中串聯(lián)萬用表。這個開發(fā)板直接預(yù)留兩個點怎么測量電流的呢? 懷著好奇的心態(tài)，打開了開發(fā)板的原理圖。發(fā)現(xiàn)在MCU的3.3V供電位置，串聯(lián)了5毫歐的電阻。

瞬間明白了，該開發(fā)板測量MCU電流的方法是：先測量5毫歐電阻的電壓，通過歐姆定律進而計算出芯片的工作電流。

二：總結(jié)

原理很簡單，可以做到測量芯片的電流，但這種測量方式有一定的劣勢：優(yōu)劣勢分析如下：

1、需要使用高精度萬用表測試;如MCU芯片電流為200mA，5毫歐電阻上實際測量到的電壓為1mV。實際使用時也可以選用50毫歐等阻值更大的電阻;

2、這種測量方式由于會受到電阻精度的影響，計算出的電流精度不如直接串聯(lián)萬用表進行測試的精度高。

3、需要計算待測量電路的理論最大電流，進而選擇合適功率的采樣電阻;采樣電阻功率太小可能會造成電阻發(fā)熱嚴重導(dǎo)致測量誤差變大;

4、優(yōu)點：對精度要求較高的場合，可以將采樣電阻(5毫歐電阻)去掉，通過在TP1和TP3位置串聯(lián)萬用表實現(xiàn)高精度測量;

5、本文分享的方法僅供思路擴展;對于要求測量精度不高的場合可以使用此種測試方法;對要求精度較高的場合不太適用;

審核編輯：湯梓紅