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Ansys多物理場解決方案榮獲臺積電N4工藝技術和FINFLEX?架構認證

jf_0T4ID6SG ? 2022-11-17 15:31 ? 次閱讀
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Ansys憑借實現(xiàn)靈活的功耗/性能權衡,通過臺積電N3E工藝技術創(chuàng)新型FINFLEX架構認證

主要亮點

Ansys Redhawk-SC與Ansys Totem電源完整性平臺榮獲臺積電N3E工藝技術的FINFLEX架構認證

此外,該認證也可擴展到臺積電N4工藝技術

Ansys宣布Ansys電源完整性解決方案榮獲臺積電FINFLEX創(chuàng)新架構以及N4工藝技術認證,持續(xù)深化與臺積電的長期技術合作。憑借臺積電FINFLEX架構,Ansys RedHawk-SC和Totem的客戶能夠在性能-功耗方面進行精細的權衡,從而在不影響性能的情況下降低芯片功耗水平。這對于減少機器學習5G移動和高性能計算(HPC)等眾多半導體應用對環(huán)境的影響至關重要。此次最新合作,建立在最近Ansys平臺獲得的臺積電N3E工藝認證的基礎上。

臺積電設計基礎架構管理事業(yè)部主管Dan Kochpatcharin表示:“我們的FINFLEX創(chuàng)新技術具有無與倫比的靈活性,提供了顯著的芯片設計優(yōu)勢與靈活性,可以優(yōu)化高性能、低功耗或?qū)崿F(xiàn)兩者之間的最佳平衡。我們與Ansys在臺積電3nm工藝技術方面的最新合作,讓雙方客戶可以輕松發(fā)揮FINFLEX技術的優(yōu)勢,并對RedHawk-SC和Totem提供的電源完整性和可靠性簽核驗證結(jié)果充滿信心。

臺積電的FINFLEX架構使Ansys RedHawk-SC和Totem客戶能夠做出精細的速度-功耗權衡,在不犧牲性能的情況下減少芯片的功耗

基于臺積電N3E工藝技術,臺積電FinFlex架構可為芯片設計人員提供三種面向標準單元實現(xiàn)方案的FIN配置選項:第一種可提供最高性能和最快時鐘頻率;第二種可提供平衡的效率和性能;第三種可實現(xiàn)超級功耗效率并具有最低漏電和最高密度。利用這樣的配置選項,芯片設計人員通過使用同一套設計工具集,就可以為芯片上的各個關鍵功能塊選擇最佳的速度-性能選項。

Ansys副總裁兼半導體、電子和光學事業(yè)部總經(jīng)理John Lee表示:“Ansys開發(fā)的多物理場仿真與分析工具軟件集成平臺,將電源管理作為重點,以最大限度降低半導體的設計和運營成本。我們與臺積電持續(xù)合作,共同推動未來技術可持續(xù)發(fā)展的目標,讓雙方客戶能夠在提升芯片性能的同時降低功耗?!?/p>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:Ansys多物理場解決方案榮獲臺積電N4工藝技術和FINFLEX?架構認證

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