chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

美光科技在日本廣島開始量產(chǎn)尖端存儲器DRAM

廠商快訊 ? 來源:愛集微 ? 作者:姜羽桐 ? 2022-11-28 10:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

最新消息,據(jù)日本共同社報道,美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲器公司”,已于16日在該市廣島工廠啟動最尖端DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)的量產(chǎn)。

據(jù)悉,量產(chǎn)的最新產(chǎn)品名為“1β”,與上代產(chǎn)品相比電力效率和記憶密度分別提升了約15%和約35%,主要面向智能手機出貨。廣島工廠是美光在2013年收購爾必達時所獲,于2019年建設新廠房等,致力于尖端技術產(chǎn)品DRAM的生產(chǎn)。

當日,美光科技同時宣布,為應對市場狀況,公司將內(nèi)存DRAM和閃存NAND晶圓生產(chǎn)開工率比2022財年第四季度降低約20%。

路透社消息指出,美光科技在今年9月透露,日本政府將向其提供465億日元的補貼,用于美光科技投資廣島工廠以制造先進存儲芯片的項目。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • DRAM
    +關注

    關注

    40

    文章

    2373

    瀏覽量

    188184
  • 美光科技
    +關注

    關注

    0

    文章

    221

    瀏覽量

    24216
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    PSRAM融合SRAM與DRAM優(yōu)勢的存儲解決方案

    PSRAM(偽靜態(tài)隨機存儲器)是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復雜刷新控制的易用特性,又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設計
    的頭像 發(fā)表于 11-11 11:39 ?378次閱讀

    科技與聯(lián)想車計算引領車載存儲新篇章

    智能駕駛邁入千兆帶寬時代的產(chǎn)業(yè)拐點,聯(lián)想與全球存儲技術領導者科技于9月19日北京中關村東升科技園萬麗酒店聯(lián)合舉辦Micron-Len
    的頭像 發(fā)表于 09-28 16:45 ?4230次閱讀

    FeRAM存儲器伏逆變器中的應用優(yōu)勢

    隨著全球二氧化碳減排的推進,可再生能源,尤其是太陽能發(fā)電的重要性日益凸顯。伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)可將太陽能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎設施,因此對可靠性、易維護性和使用壽命有所要求,F(xiàn)eRAM(鐵電體
    的頭像 發(fā)表于 08-08 14:41 ?1460次閱讀
    FeRAM<b class='flag-5'>存儲器</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光</b>伏逆變器中的應用優(yōu)勢

    鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲器開始送樣

    融合現(xiàn)有存儲單元與先進的 CMOS 技術,實現(xiàn)投資效益最大化 ? 全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布,其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術的 512Gb TLC存儲器開始
    發(fā)表于 07-28 15:30 ?468次閱讀

    簡單認識高帶寬存儲器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,是一種基于 3D 堆疊技術的高性能 DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)。其核心設計是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?2383次閱讀

    半導體存儲芯片核心解析

    ,是信息時代的基石。 2. 核心分類:斷電后數(shù)據(jù)還在嗎? 這是最根本的分類依據(jù): 易失性存儲器:斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。 特點:速度快,通常用作系統(tǒng)運行的“工作臺”。 代表:DRAM (動態(tài)隨機存取存儲器
    發(fā)表于 06-24 09:09

    存儲器IC的應用技巧 【日 桑野雅彥】

    UV-EPROM的結構與使用方法,閃速存儲器的結構與使用方法,EEPROM的結構與使用方法, SRAM的結構與使用方法, 特殊的SRAM的結構與使用方法 ,DRAM的結構與使用方法,
    發(fā)表于 04-16 16:04

    存儲器IC的應用技巧 [日 桑野雅彥]

    本書主要介紹了UV-EPROM的結構和使用方法,閃速存儲器的結構和使用方法,EEPROM的結構和使用方法, SRAM的結構與使用方法,特殊的SRAM的結構與使用方法,DRAM的結構與使用方法,
    發(fā)表于 03-07 10:52

    宣布 1γ DRAM 開始出貨:引領內(nèi)存技術突破,滿足未來計算需求

    率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設計的 1γ(1-gamma)第六代(10 納米級)DRAM 節(jié)點 DDR5 內(nèi)存樣品。得益于此前 1α(1-alpha)
    發(fā)表于 02-26 13:58 ?484次閱讀

    量產(chǎn)12層堆棧HBM,獲英偉達供應合同

    近日,科技宣布即將開始量產(chǎn)其最新的12層堆棧高帶寬內(nèi)存(HBM),并將這一高性能產(chǎn)品供應給領先的AI半導體公司英偉達。這一消息的發(fā)布,標志著
    的頭像 發(fā)表于 02-18 14:51 ?1149次閱讀

    存儲器工藝概覽:常見類型介紹

    ? 動態(tài)隨機存取存儲器DRAM)是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的核心組件,廣泛應用于個人計算機、服務、移動設備及高性能計算領域。本文將探討DRAM的基本工作原理、
    的頭像 發(fā)表于 02-14 10:24 ?1276次閱讀
    <b class='flag-5'>存儲器</b>工藝概覽:常見類型介紹

    閃速存儲器屬于RAM還是ROM,閃速存儲器一般用來做什么的

    在數(shù)字存儲技術的快速發(fā)展中,閃速存儲器(Flash Memory)以其獨特的性能和廣泛的應用領域,成為了連接隨機存取存儲器(RAM)與只讀存儲器(ROM)之間的重要橋梁。本文將深入探討
    的頭像 發(fā)表于 01-29 16:53 ?1559次閱讀

    高速緩沖存儲器是內(nèi)存還是外存,高速緩沖存儲器是為了解決什么

    高速緩沖存儲器(Cache)是內(nèi)存的一種特殊形式,但它與通常所說的主存儲器(RAM)有所不同。計算機存儲體系中,Cache位于CPU和主存儲器
    的頭像 發(fā)表于 01-29 11:48 ?3117次閱讀

    科技70億美元打造新加坡存儲芯片廠

    隨著人工智能技術的迅猛發(fā)展,對先進存儲芯片的需求日益增長。在此背景下,科技宣布將在新加坡投資70億美元,擴建其制造業(yè)務,以滿足市場需求。 周三,
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:34 ?1398次閱讀

    科技計劃大規(guī)模擴大DRAM產(chǎn)能

    據(jù)業(yè)內(nèi)消息,科技預計今年將繼續(xù)積極擴大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼,近期將具體落實對現(xiàn)有
    的頭像 發(fā)表于 01-07 17:08 ?1222次閱讀