PCIe 4.0 SSD的代數(shù)劃分

DIY玩家們應(yīng)該都知道，芯片組方面從AMD X570開始就支持PCIe 4.0 SSD，而PCIe 4.0 SSD真正開始爆發(fā)則是在intel 11代發(fā)布之后，像三星980 Pro/WD SN850這樣的高性能SSD能更好地發(fā)揮PCIe 4.0帶寬優(yōu)勢(shì)，而第三代則以致態(tài)TiPro7000和WD SN770為代表，致態(tài)TiPro7000不僅有PCIe 4.0的高帶寬優(yōu)勢(shì)，還大幅降低了訪問延遲，升了系統(tǒng)響應(yīng)速度，而WD SN770則是憑借主控性能的提高，僅僅是依靠HMB的無緩方案就可以達(dá)到第二代SN850/980 Pro旗艦的實(shí)用性能水平。

而我們本次評(píng)測(cè)的致態(tài)TiPlus7100則是第四世代PCIe 4.0 SSD的首發(fā)，其和三星990 Pro及SK海力士P44 Pro將會(huì)是新一世代高性能SSD的代表。

規(guī)格解析

致態(tài)TiPlus7100一共提供了512GB/1TB/2TB三種規(guī)格，順序讀速度都為7000MB/s，順序?qū)懹捎谕ǖ罃?shù)關(guān)系，512GB為3600MB/s，1TB/2TB為6000MB/s，讀寫IOPS也是1TB/2TB稍高。在寫入壽命方面三個(gè)容量為300/600/1200TBW，在業(yè)界產(chǎn)品中也是屬于比較高的水平，同時(shí)也提供5年質(zhì)保。

致態(tài)TiPlus7100采用單面顆粒設(shè)計(jì)，正面有4個(gè)顆粒位置，1TB版本有兩個(gè)顆粒，顆粒編號(hào)為YMN09IC1B1RCAD，末尾的D代表的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的第四代顆粒，也就是晶棧 ?Xtacking?3.0架構(gòu)顆粒，09代表單Die 512Gb，單個(gè)顆粒8個(gè)Die，容量512GB，這樣2個(gè)顆粒就可以組成1TB容量，即使是2TB單面4顆粒就可以搞定，這樣空間兼容性更好。

當(dāng)然晶棧?Xtacking?3.0架構(gòu)提升的不僅僅是密度，性能方面也有很大的進(jìn)化，X3-9070的I/O傳輸速率達(dá)到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0規(guī)范，相比上一代產(chǎn)品提高了50%的性能。

測(cè)試平臺(tái)和說明

由于SSD測(cè)試4K性能有極強(qiáng)的CPU性能敏感性，我們本次使用13900K+Z790的最強(qiáng)平臺(tái)進(jìn)行測(cè)試。對(duì)比組SSD也全部選擇的是原廠正片。

性能測(cè)試

CrystalDiskMark性能測(cè)試

我們使用CrystalDiskMark測(cè)試致態(tài)TiPlus7100的理論峰值性能，分別使用Z790和X670E平臺(tái)，在X670E平臺(tái)，順序讀取速度更高，最高可以達(dá)到7442 MB/s。但其他性能，特別是4K性能，都還是在Z790平臺(tái)上更高，最為重要的4K單隊(duì)列讀寫可達(dá)94.5和370MB/s，也完全是4.0有緩旗艦水平。

AS SSD BENCHMARK性能測(cè)試

AS SSD BENCHMARK測(cè)試和CDM十分接近，但也有差別，其順序讀寫的隊(duì)列低，數(shù)值比CDM低，但其有讀寫延遲測(cè)試和總分統(tǒng)計(jì)，能夠更直觀的比較性能。致態(tài)TiPlus7100的整體性能明顯要好于上一代的旗艦三星980 Pro/PM9A1和WD SN850，與同類似定位的SN770相比要快25%。

線性寫入測(cè)試

我們使用AIDA64磁盤測(cè)試的線性寫入，主要測(cè)試致態(tài)TiPlus7100 SLC緩存的容量，緩內(nèi)速度和緩?fù)馑俣?，在大概?60GB是SLC緩存內(nèi)，大概可以保持5200MB/s的寫入速度，后續(xù)有2次階梯狀的下降，45%之后就穩(wěn)定在650MB/s，這是穩(wěn)定的緩?fù)馑俣取?/p>

為了方便對(duì)比我們拿出了上一代旗艦級(jí)代表作之一的980 Pro進(jìn)行陪跑，在整體曲線上980 Pro沒有像TiPlus7100那樣穩(wěn)定，SLC緩存空間大約在110GB左右，寫入速度能夠保持在4000 MB/s。但緩?fù)獾闹睂戨A段980 Pro幾乎都保持在了1000~2000 MB/s之間，要優(yōu)于TiPlus7100的650MB/s。

PCMARK 10存儲(chǔ)測(cè)試

我們?cè)賮磉M(jìn)行PCMARK10的存儲(chǔ)測(cè)試，PCMARK 10不同于其他理論測(cè)試項(xiàng)目，其測(cè)試的是真實(shí)系統(tǒng)啟動(dòng) Office、Adobe 還有戰(zhàn)地V 使命召喚 守望先鋒圖片復(fù)制這樣真實(shí)應(yīng)用的性能，整個(gè)測(cè)試過程會(huì)寫入204GB數(shù)據(jù)，測(cè)試三次，對(duì)于真實(shí)應(yīng)用性能有很高的參考價(jià)值。

致態(tài)TiPlus7100在PCMARK 10完整存儲(chǔ)測(cè)試中，得分接近4000分，無論是帶寬還是延遲都明顯優(yōu)于SN850和980 Pro。

除開基準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目，我們也進(jìn)行了模擬實(shí)際使用的性能測(cè)試，這部分測(cè)試我們均在裝滿50%的情況下進(jìn)行。

最終幻想14載入速度測(cè)試

我們使用FF14 Benchmark設(shè)置4K最高畫質(zhì)進(jìn)行測(cè)試，記錄測(cè)試重啟后程序加載的時(shí)間，測(cè)試5次，去掉最高和最低取平均值，完成時(shí)間越短越好。

這個(gè)測(cè)試項(xiàng)目除了老SN850/SN770比較拉，其他都在6.3秒左右，致態(tài)TiPlus7100完成時(shí)間最短，不過這個(gè)游戲Benchmark加載數(shù)據(jù)量較少，如果是大型3A，那這個(gè)性能差距就會(huì)被放大。

文件復(fù)制測(cè)試

我們?cè)偻P復(fù)制賽博朋克2077游戲客戶端文件，用diskbench測(cè)試復(fù)制平均速度。整個(gè)測(cè)試文件容量為71.5GB，以封裝的大文件為主，也有些零碎的小文件，這主要測(cè)試的是SLC Cache內(nèi)的混合寫入性能。

致態(tài)TiPlus7100測(cè)試速度在2287.8 MB/s，低于SN850，大幅領(lǐng)先于980 Pro和SN770。

功耗和溫度

從功耗控制策略看，致態(tài)TiPlus7100的最大功耗為6.5W，明顯低于上一代旗艦9W的水平。

溫度方面，在無輔助散熱狀態(tài)下的跑分場(chǎng)景中，TiPlus7100全程最高僅為58度。不過平時(shí)無論是日用還是游戲，其溫度還是會(huì)更為接近待機(jī)溫度。對(duì)于臺(tái)式機(jī)用戶來說如果加裝散熱片，溫度還能低上不少。

新世代的性價(jià)比卷王

帶DRAM的才可能是旗艦SSD，帶DRAM緩存的比DRAMless好。這是不少消費(fèi)者的固有印象，這樣的規(guī)律適用于同代產(chǎn)品，就如雙發(fā)的J20比J31好一樣。但這樣的規(guī)律僅僅適用于同代產(chǎn)品，如果跨代比較，還會(huì)出現(xiàn)新一代的DRAMless優(yōu)于上一代的DRAM旗艦的情況，比如我稍早測(cè)試的WD SN770性能不僅完全吊打上一代的SN750，甚至在不少方面性能都要優(yōu)于SN850，這樣基本就可以類比成F-35（SN770）吊打F-15，不少方面甚至優(yōu)于F-22（SN850）。

致態(tài)TiPlus7100也一樣，作為新一代的DRAMless方案的產(chǎn)品性能基本超過了上一代三星980 Pro /WD SN850的性能水平，相比類似定位的SN770也有十分明顯的性能優(yōu)勢(shì)。更重要的是致態(tài)TiPlus7100的價(jià)格相比競(jìng)品有很大的優(yōu)勢(shì)，我覺得對(duì)于普通用戶而言，性能好又穩(wěn)定就夠了。

審核編輯：湯梓紅