STT-MRAM非易失存儲(chǔ)器特點(diǎn)及應(yīng)用
STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
STT-MRAM的優(yōu)點(diǎn)
?足夠快，可以作為工作記憶→更換psRAM和SRAM
?非易失性，無需電源即可維護(hù)數(shù)據(jù)→替換nvSRAM、NOR
?無電容器，無需電池→更換nvSRAM+Super Cap。和SRAM+電池
MRAM產(chǎn)品應(yīng)用
?工業(yè)、汽車、航空電子和航天應(yīng)用
-寬溫度范圍，低軟錯(cuò)誤率，比Flash更可靠
?物聯(lián)網(wǎng)和關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)
-斷電時(shí)立即備份
-無需從Flash啟動(dòng)
-無需復(fù)制到DRAM或SRAM
?醫(yī)療系統(tǒng)
-快速數(shù)據(jù)記錄
?企業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
-寫入緩沖區(qū)、元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、索引存儲(chǔ)器
?更換LP SRAM、NOR閃存、EEPROM
?豐富的嵌入式應(yīng)用程序
-在高性能多處理器系統(tǒng)中替換大緩存
-用于AI系統(tǒng)的分布式持久存儲(chǔ)器
-更換eFlash、eSRAM和eDRAM
審核編輯：湯梓紅
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易失性存儲(chǔ)器：斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
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代表：DRAM (動(dòng)
發(fā)表于 06-24 09:09
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