chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

高導熱率氮化硅散熱基板材料的研究進展

jf_tyXxp1YG ? 來源:知網(wǎng) 熱管理材料 ? 作者:知網(wǎng) 熱管理材料 ? 2022-12-06 09:42 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

摘要:針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題,主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述,最后總結(jié)了高熱導率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢。

b7b6ec4e-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b7db8658-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b7fcda88-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b8168c80-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b8483dd4-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b8649a60-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b8931ce6-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b8bbc4c0-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b8e2942e-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b9051f76-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b92c6ebe-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b96384bc-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b9848d24-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b9aa7994-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b9c606fa-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b9ea1522-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b9ff77be-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

ba258a3a-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

ba454f28-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

ba704ed0-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

ba8756fc-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

bae56dbe-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

bafe4bc2-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

bb2e8fc6-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

bb493aec-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

參考文獻:

DOI:10.13957/j.cnki.tcxb.2018.01.002

AMB(Active Metal Brazing)

bb73a0e8-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

陶瓷與金屬AMB

審核編輯 :李倩


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 散熱基板
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    19

    瀏覽量

    6027
  • 介電性能
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    4

    瀏覽量

    1743
  • 氮化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    90

    瀏覽量

    642

原文標題:高導熱率氮化硅散熱基板材料的研究進展

文章出處:【微信號:中科聚智,微信公眾號:中科聚智】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    AMB覆銅陶瓷基板迎爆發(fā)期,氮化硅需求成增長引擎

    原理是在高溫真空環(huán)境下,利用含有鈦、鋯、鉿等活性元素的金屬焊料,與氮化鋁(AlN)或氮化硅(Si?N?)陶瓷表面發(fā)生化學反應(yīng),生成可被液態(tài)釬料潤濕的穩(wěn)定反應(yīng)層,從而將純銅箔牢固焊接在陶瓷基板上。 ? 相比傳統(tǒng)的DBC(直接鍵合銅
    的頭像 發(fā)表于 12-01 06:12 ?1841次閱讀

    高抗彎強度氮化硅陶瓷晶圓搬運臂解析

    對比其他工業(yè)陶瓷材料的優(yōu)缺點,接著介紹制品的生產(chǎn)制造過程及適用工業(yè)應(yīng)用,以展示其在現(xiàn)代科技中的重要性。 氮化硅陶瓷搬運臂 氮化硅陶瓷的物理化學性能突出,主要體現(xiàn)在高強度、高硬度和優(yōu)異的耐環(huán)境性上。在物理性能方面,
    的頭像 發(fā)表于 11-23 10:25 ?2006次閱讀
    高抗彎強度<b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷晶圓搬運臂解析

    氮化硅陶瓷封裝基片

    氮化硅陶瓷基片:高頻電磁場封裝的關(guān)鍵材料 氮化硅陶瓷基片在高頻電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。其獨特的電阻與低介電損耗特性,有效解決了
    的頭像 發(fā)表于 08-05 07:24 ?660次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷封裝基片

    熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷逆變器散熱基板

    )等還原性氣氛環(huán)境。氮化硅(Si3N4)陶瓷憑借其卓越的綜合性能,特別是優(yōu)異的耐還原性氣體能力,成為此類嚴苛工況下的理想基板材料。 ? 氮化硅陶瓷基板 一、
    的頭像 發(fā)表于 08-03 11:37 ?1181次閱讀
    熱壓燒結(jié)<b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷逆變器<b class='flag-5'>散熱</b><b class='flag-5'>基板</b>

    氮化硅陶瓷基板:新能源汽車電力電子的散熱革新

    在新能源汽車快速發(fā)展的今天,電力電子系統(tǒng)的性能提升已成為行業(yè)競爭的關(guān)鍵。作為核心散熱材料的 陶瓷基板 ,其技術(shù)演進直接影響著整車的能效和可靠性。在眾多陶瓷材料中,
    的頭像 發(fā)表于 08-02 18:31 ?4196次閱讀

    氮化硅陶瓷逆變器散熱基板:性能、對比與制造

    氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能,成為現(xiàn)代大功率電子器件(如IGBT/SiC模塊)散熱基板的理想候選材料
    的頭像 發(fā)表于 07-25 17:59 ?1201次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷逆變器<b class='flag-5'>散熱</b><b class='flag-5'>基板</b>:性能、對比與制造

    氮化硅大功率電子器件封裝陶瓷基板

    氮化硅陶瓷導熱基片憑借其優(yōu)異的綜合性能,在電子行業(yè),尤其是在功率密度、高可靠性要求領(lǐng)域,正扮演著越來越重要的角色。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 17:58 ?631次閱讀

    氮化硅陶瓷射頻功率器件載體:性能、對比與制造

    氮化硅陶瓷憑借其獨特的物理化學性能組合,已成為現(xiàn)代射頻功率器件載體的關(guān)鍵材料。其優(yōu)異的導熱性、絕緣性、機械強度及熱穩(wěn)定性,為功率、高頻率電子設(shè)備提供了可靠的解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 07-12 10:17 ?1.4w次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷射頻功率器件載體:性能、對比與制造

    從氧化鋁到氮化鋁:陶瓷基板材料的變革與挑戰(zhàn)

    在當今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代,陶瓷基板材料作為電子元器件的關(guān)鍵支撐材料,扮演著至關(guān)重要的角色。目前,常見的陶瓷基板材料主要包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、碳
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:53 ?1192次閱讀
    從氧化鋁到<b class='flag-5'>氮化</b>鋁:陶瓷<b class='flag-5'>基板材料</b>的變革與挑戰(zhàn)

    氮化硅AMB陶瓷覆銅基板界面空洞的關(guān)鍵技術(shù)與工藝探索

    在現(xiàn)代電子封裝領(lǐng)域,氮化硅(Si?N?) AMB陶瓷覆銅 基板憑借其卓越的熱導率、低熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)異的電氣絕緣性能,逐漸成為高端電子設(shè)備的關(guān)鍵材料。然而,銅/陶瓷界面的空洞問題卻成
    的頭像 發(fā)表于 07-05 18:04 ?1859次閱讀

    化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

    化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
    的頭像 發(fā)表于 06-24 09:15 ?1456次閱讀
    氧<b class='flag-5'>化硅</b>薄膜和<b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜工藝詳解

    通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜

    傳感器等的鈍化層使用。氮化硅的導電帶隙約為 5eV,比熱氧化物低很多,但它沒有淺施主和受主能級,所以表現(xiàn)為絕緣體。由于SiN具有約為1014Ω?cm的電阻和107V/cm的介電強度,它通常作為絕緣層
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:07 ?937次閱讀
    通過LPCVD制備<b class='flag-5'>氮化硅</b>低應(yīng)力膜

    氮化硅在芯片制造中的核心作用

    在芯片制造這一復雜且精妙的領(lǐng)域中,氮化硅(SiNx)占據(jù)著極為重要的地位,絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開它的參與。從其構(gòu)成來看,氮化硅屬于無機化合物,由硅元素與氮元素共同組成。這種看似普通的元素組合,卻蘊含著諸多獨特的性質(zhì),在芯片制造流程里發(fā)揮著不可替代的作用 。
    的頭像 發(fā)表于 04-22 15:23 ?2116次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>在芯片制造中的核心作用

    LED燈具散熱設(shè)計中導熱界面材料的關(guān)鍵作用

    隨著LED照明技術(shù)向功率、小型化方向發(fā)展,散熱問題已成為制約產(chǎn)品壽命與光效的核心瓶頸。研究表明,LED芯片每降低10℃工作溫度,其使用壽命可延長約2倍。在散熱系統(tǒng)設(shè)計中,
    發(fā)表于 02-08 13:50

    LPCVD氮化硅薄膜生長的機理

    可以看出, SiH4提供的是Si源,N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高,氫原子往往從氮化硅薄膜中去除,因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD反應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 02-07 09:44 ?1092次閱讀
    LPCVD<b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜生長的機理