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半導(dǎo)體集成電路破壞性物理分析詳細(xì)科普!

科準(zhǔn)測(cè)控 ? 來(lái)源:科準(zhǔn)測(cè)控 ? 作者:科準(zhǔn)測(cè)控 ? 2022-12-12 09:49 ? 次閱讀
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破壞性物理分析(Destructive Physical Analysis,簡(jiǎn)稱(chēng)DPA)是為了驗(yàn)證元器件的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料和制造質(zhì)量是否滿足預(yù)定用途或有關(guān)規(guī)范的要求,對(duì)元器件樣品進(jìn)行剖析,以及在剖析前后進(jìn)行一系列分析的全過(guò)程。DPA對(duì)提高元器件的綜合使用品質(zhì)及使用效能具有十分重要的作用。

今天__【科準(zhǔn)測(cè)控】__就從半導(dǎo)體集成電路破壞性物理分析作用、意義、適用對(duì)象、DPA目的、用途以及標(biāo)準(zhǔn)這幾個(gè)點(diǎn)進(jìn)行介紹,一起往下看吧!

破壞性物理分析作用

對(duì)電子元器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析,對(duì)其表面及內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢查。破壞性物理分析(DPA)是拆卸,測(cè)試和檢查電子零件以驗(yàn)證內(nèi)部設(shè)計(jì),材料,構(gòu)造和工藝的過(guò)程。 此樣本檢查過(guò)程用于幫助制造達(dá)到所需標(biāo)準(zhǔn)的電子組件。 破壞性物理分析還可以有效地用于發(fā)現(xiàn)過(guò)程缺陷以識(shí)別工廠問(wèn)題。

半導(dǎo)體集成電路破壞性物理分析有物理試驗(yàn)和切片分析兩種方法,可以檢驗(yàn)樣品是否存在不符合有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求的拒收缺陷,給出合格與否的結(jié)論??捎糜陔娮赢a(chǎn)品的結(jié)構(gòu)分析和缺陷分析,對(duì)比優(yōu)選產(chǎn)品、鑒別產(chǎn)品真?zhèn)蝺?yōu)劣,確定產(chǎn)品種類(lèi)。

破壞性物理分析意義

1、整機(jī)企業(yè):獲得索賠、改變?cè)骷┴浬獭⒏倪M(jìn)電路設(shè)計(jì)、改進(jìn)電路板制造工藝、提高測(cè)試技 術(shù)、設(shè)計(jì)保護(hù)電路的依據(jù)

2、元器件廠:了解元器件的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、工藝質(zhì)量情況,獲得有針對(duì)性改進(jìn)品設(shè)計(jì)和工藝的依據(jù)。

3、海關(guān)與元器件進(jìn)出口單位:可準(zhǔn)確了解元器件產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)、正確進(jìn)行產(chǎn)品分類(lèi)。

科準(zhǔn)測(cè)控W260推拉力機(jī)

適用對(duì)象

1、元件(片式電感器、電阻器、LTCC 元件、片式電容器、繼電器、開(kāi)關(guān)、連接器等)。

2、分立器件(二極管、三極管、MOSFET 等)。

3、微波器件。

4、電路板及其組件。

覆蓋所有元器件種類(lèi),常見(jiàn)的有集成電路、繼電器及二、三極管(塑封五項(xiàng)、塑封七項(xiàng)、空封六項(xiàng)、空封七項(xiàng)、空封九項(xiàng))、片式電阻器、其他類(lèi)電阻、片式電容器、電解電容、其他類(lèi)電容、電感和變壓器、濾波器、連接器、開(kāi)關(guān)、聲表面波器件、晶體諧振器、晶體振蕩器、其他門(mén)類(lèi).

__DPA目的 __

預(yù)防失效,防止有明顯或潛在缺陷的元器件裝機(jī)使用。

確定元器件生產(chǎn)生產(chǎn)方在設(shè)計(jì)及制造過(guò)程中存在的偏離和工藝缺陷

提出批次處理意見(jiàn)和改進(jìn)措施

檢驗(yàn)、驗(yàn)證供貨方元器件的質(zhì)量

DPA用途

使用前及時(shí)發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品隱含缺陷。

判斷批次產(chǎn)品的品質(zhì)(一致性)。

提供選用高可靠元器件的依據(jù),保證整機(jī)設(shè)備的可靠性。

判斷電子元器件產(chǎn)品的工藝、結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)和材料是否合格。

DPA常用標(biāo)準(zhǔn)

GJB 4027A-2006 軍用電子元器件破壞性物理分析方法

GJB 548B-2005 微電子器件試驗(yàn)方法和程序

GJB 128A-97 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法

GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗(yàn)方法

MIL-STD-1580-2003 電子、電磁和機(jī)電產(chǎn)品的破壞性物理分析

MIL-STD-883H-2010 微電子器件試驗(yàn)方法

MIL-STD-750D 半導(dǎo)體分析器件試驗(yàn)方法

以上就是關(guān)于半導(dǎo)體集成電路破壞性物理分析作用、意義、適用對(duì)象、DPA目的、用途以及標(biāo)準(zhǔn)的介紹了,希望對(duì)大家能有所幫助??茰?zhǔn)測(cè)控專(zhuān)注于推拉力測(cè)試機(jī)研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售。廣泛用于與LED封裝測(cè)試、IC半導(dǎo)體封裝測(cè)試、TO封裝測(cè)試、IGBT功率模塊封裝測(cè)試、光電子元器件封裝測(cè)試、大尺寸PCB測(cè)試、MINI面板測(cè)試、大尺寸樣品測(cè)試、汽車(chē)領(lǐng)域、航天航空領(lǐng)域、軍工產(chǎn)品測(cè)試、研究機(jī)構(gòu)的測(cè)試及各類(lèi)院校的測(cè)試研究等應(yīng)用。如果您有遇到任何有關(guān)半導(dǎo)體集成電路等問(wèn)題,歡迎給我們私信或留言,科準(zhǔn)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)也會(huì)為您免費(fèi)解答!

審核編輯:湯梓紅

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