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二三極管在65W快充產(chǎn)品中的應(yīng)用

合科泰半導(dǎo)體 ? 來源:合科泰半導(dǎo)體 ? 2022-12-22 14:17 ? 次閱讀
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隨著USB-C接口和PD快充在手機以及電腦上的普及,充電器產(chǎn)品性能也不斷提高,從單口發(fā)展到多口,氮化鎵技術(shù)的成熟等,65W快充產(chǎn)品的性能提高,體積卻在進一步縮小。效率提升的快充產(chǎn)品深得用戶喜愛,它還能支持多個設(shè)備同時充電,65W快充逐漸成為市場的香餑餑。根據(jù)某款國內(nèi)知名品牌的65W快充實測結(jié)果顯示,采用65W快充給其一款旗艦機充電,半小時充到35%,一小時充三分之二,近兩小時可充滿。

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據(jù)了解,市場上的65W快充產(chǎn)品可能的BOM表有電源控制芯片、升降壓轉(zhuǎn)換器、快充協(xié)議芯片、變壓器、光耦、二極管、三極管、MOS管、整流橋電阻、電感、電容、LED燈、保險絲、散熱片、變壓器等。

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65W快充內(nèi)部驅(qū)動板功能圖

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目前,市面上的很多主流65W快充產(chǎn)品兼容最新的PD3.0/QC3.0快充,支持100-240V寬幅電壓,過流、過載、過壓、溫度保護,這對分立器件產(chǎn)品的要求也是非常高的。如65W快充產(chǎn)品對這個開關(guān)管的低檔要求是:30V/ 30A/10mΩ/ ,合科泰可用于VBUS開關(guān)N-MOS管封裝是PDFN5X6和PDFN3333。65W快充產(chǎn)品對這個開關(guān)管的低檔要求是:P-MOS/ -30V/-30A / 15mΩ/ ,合科泰現(xiàn)有產(chǎn)品采用PDFN333封裝的VBUS開關(guān)P-MOS管。

65W快充產(chǎn)品具備非常好的性能,它對整流橋、次級同步整流MOS以及開關(guān)MOS等產(chǎn)品的要求如下所示:

一、整流橋堆在65W快充產(chǎn)品應(yīng)用中的要求:
1、耐壓:600V~1000V之間,主流是1000V,
2、電流:>3A,主流是6A,
3、壓降:<1 V,越小越好,
4、封裝體積:主流是MBS/MBF,
5、熱功耗:與導(dǎo)阻有關(guān),與封裝有關(guān),
6、結(jié)電容Cj:<12pF,越小越好,

二、次級同步整流MOS在65W快充產(chǎn)品應(yīng)用中的要求:
1、N-MOS,
2、耐壓:60V~150V之間,主流是100V,
3、電流:>40A,越大越好,
4、導(dǎo)阻:<15mΩ,越小越好,主流在4~8mΩ之間,
5、熱功耗:與導(dǎo)阻有關(guān),與封裝有關(guān),
6、開關(guān)速度快:越快越好,滿足工作頻率150KHz以上,
7、封裝體積:主流是PDFN3333/SOP8/PDFN5X6,

三、開關(guān)MOS在65W快充產(chǎn)品應(yīng)用中的要求:
1、N-MOS,
2、耐壓:600V~700V之間,主流是650V,
3、電流:>10A,越大越好,
4、導(dǎo)阻:<500mΩ,越小越好,
5、熱功耗:與導(dǎo)阻有關(guān),與封裝有關(guān),
6、開關(guān)速度快,越快越好,滿足工作頻率150KHz以上,
7、封裝體積:主流是TO-252,QFN6*8mm,

65W快充驅(qū)動板各功能模塊所用到的分立器件
整流電路:整流橋或4*整流二極管
PFC升壓電路:開關(guān)二級管、整流管、開關(guān)管N-MOS
初級高頻轉(zhuǎn)換電路:整流管、開關(guān)二級管、穩(wěn)壓管、開關(guān)管N-MOS
次級同步整流電路:整流管N-MOS、肖特基二極管、LT431
協(xié)議輸出電路:VBUS開關(guān)管MOS

合科泰熱銷型號

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合科泰可選型號

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審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:二三極管在65W快充產(chǎn)品中的應(yīng)用

文章出處:【微信號:合科泰半導(dǎo)體,微信公眾號:合科泰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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