引言

65W PD 快充幾乎已經成為智能手機的標配了，但是快充所面臨的高效率、小體積、不燙手需求矛盾，仍然是工程師面臨的主要問題。傳統的快充同步整流方案效率不僅低，封裝體積也太大，很難滿足消費者對超便攜快充的期待。而合科泰 HKTG50N03 N 溝道 MOSFET，憑著超低阻、微型封裝的特性，替65W快充提供平衡方案。

65W PD 快充的四大技術痛點

1. 效率與散熱的尖銳矛盾

65W 功率下，同步整流環(huán)節(jié)損耗占比超 30%—— 傳統肖特基方案效率僅 92%-93%，滿負載功耗超過 3W，導致充電器表面溫度超過 60℃(用戶體感燙手，實測滿意度低于 60%)。

2. 體積與功率密度的兩難抉擇

消費者對 “便攜性” 需求強烈，要求 PCB 面積控制在 30mm×30mm 以內(約巴掌大小)—— 傳統 TO-252 封裝(7.6mm×7.1mm)占位面積達 60mm2，在高密度布局中會擠壓其他功能模塊空間，導致方案難以落地。

3. 多電壓輸出的適配困境

PD 協議支持 5V/9V/12V/20V 多檔輸出，低壓大電流場景(5V/6.5A)要求極低導通電阻，而高壓輸出時(20V)感性負載切換產生 30V 以上電壓尖峰 —— 普通低壓 MOS 管(耐壓 20V)易擊穿，高壓型號(耐壓 60V)導通電阻 > 15mΩ，不適合低壓場景。

4. 可靠性與一致性挑戰(zhàn)

快充需通過嚴苛環(huán)境與壽命測試：-40℃~125℃寬溫范圍內，柵極閾值電壓漂移 > 3V 會導致低溫導通不良;高溫(60℃環(huán)境)下結溫超 150℃觸發(fā)保護，造成 “功率跳水”——3000 次 “插撥 - 滿負載” 循環(huán)測試對器件穩(wěn)定性提出極高要求。

HKTG50N03 MOSFET 核心優(yōu)勢特性

1. 超低阻高效率，破解散熱難題

導通電阻 RDS (ON)=6.8mΩ@VGS=10V(較同類產品降低 30%)，同步整流效率提升至 97.5% 以上 —— 我們實測在 3.25A 工況下，功耗僅 0.8W，表面溫度可控制在 55℃以內(用戶體感溫熱，滿意度提升至 95%)。

2. 微型封裝，突破體積限制

采用 PDFN5X6 貼片封裝(5mm×6mm)，占位面積僅 30mm2(較 TO-252 減少 50%)—— 底部裸露焊盤設計，熱阻低至 RθJC=1.8℃/W，配合 20mm2 銅皮散熱，滿負載結溫控制在 110℃以內(無需降額即可輸出 65W)。

3. 寬壓兼容，覆蓋全檔位輸出

漏源電壓 VDS=30V(針對 20V 輸出提供 50% 耐壓余量)，可抵御 30V 以上尖峰 —— 完美適配 PD 多檔輸出：在 5V/6.5A 低壓大電流場景下，6.8mΩ 低阻特性確保損耗 < 0.28W;20V/3.25A 高壓場景下開關損耗 < 0.1W。

4. 工業(yè)級可靠性，全溫域穩(wěn)定

柵極閾值電壓 VGS (th)=1.0V~3.0V，-40℃~125℃全溫域內漂移量 < 0.5V—— 通過 1000 小時高溫反偏(HTOL)測試(125℃，VDS=24V)，失效概率 < 0.1ppm(滿足 3000 次循環(huán)測試要求)。

合科泰助力快充技術升級

通過 HKTG50N03 的 6.8mΩ 超低阻、微型封裝及全溫域可靠性，合科泰可助力 PD快充實現效率提升、PCB面積控制、供應多種瓦數PD快充。我們提供FAE技術支持與失效分析服務、多種產品矩陣。合科泰半導體致力于為快充行業(yè)提供 “高效率、小體積、高可靠” 的功率器件解決方案，助力廠商打造下一代旗艦快充產品!歡迎聯系獲取詳細技術資料。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設計、生產、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術及專精特新企業(yè)。專注提供高性價比的元器件供應與定制服務，滿足企業(yè)研發(fā)需求。

產品供應品類：覆蓋半導體封裝材料、電阻/電容/電感等被動元件;以及MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件，電源管理IC及其他，一站式配齊研發(fā)與生產所需。

兩大智能生產制造中心：華南和西南制造中心(惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡)配備共3000多臺先進設備及檢測儀器;2024年新增3家半導體材料子公司，從源頭把控產能與交付效率。

提供封裝測試OEM代工：支持樣品定制與小批量試產，配合100多項專利技術與ISO9001、IATF16949認證體系，讓“品質優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。

合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅動”為核心，為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。