系統(tǒng)工程師努力采用更小的電源解決方案尺寸,以便在PCB上為其產(chǎn)品的獨特功能留出足夠的空間。內(nèi)部補償是一種減小電源解決方案尺寸的技術(shù);但是,這種方法確實有一些權(quán)衡。本應用筆記探討了不同的內(nèi)部補償技術(shù),并重點介紹了最有效的方法。
介紹
用于當今設(shè)計的PCB已經(jīng)非常擁擠,特別是為了適應最終產(chǎn)品的關(guān)鍵功能。這是 為什么系統(tǒng)工程師努力縮小電源解決方案的尺寸。有多種技術(shù)可以減少 電源解決方案的大小。其中一種技術(shù)是內(nèi)部補償,其中繁瑣的外部反饋 補償網(wǎng)絡(luò)集成到IC中。
然而,內(nèi)部補償并非沒有缺點。此方法會影響電源解決方案環(huán)路的帶寬和 穩(wěn)定性。讓我們仔細看看各種內(nèi)部補償技術(shù),其中一種提供寬環(huán)路帶寬 實現(xiàn)高集成度,無需犧牲環(huán)路的帶寬和穩(wěn)定性。
簡單的內(nèi)部補償
圖1所示為典型電源電路及其反饋環(huán)路和外部補償電路。補償 電路針對特定工作條件(輸入電壓、輸出電壓、開關(guān)頻率和輸出)進行了優(yōu)化 電容器)。當一個或多個電路工作參數(shù)發(fā)生變化時,補償電路值必須 根據(jù)新的電路工作條件進行了更改以優(yōu)化回路性能。
圖1.顯示外部補償?shù)?a href="http://www.brongaenegriffin.com/tags/降壓轉(zhuǎn)換器/" target="_blank">降壓轉(zhuǎn)換器原理圖。
簡單的內(nèi)部補償基本上集成了該補償電路,該電路針對一個特定的 工作狀態(tài),進入IC。帶有此內(nèi)部補償電路的IC工作正常,直到一個或多個 操作參數(shù)更改。圖2所示為具有簡單內(nèi)部補償?shù)碾娫唇鉀Q方案。
圖2.顯示簡單內(nèi)部補償?shù)慕祲恨D(zhuǎn)換器原理圖。
內(nèi)部補償針對一種特定的工作條件進行了優(yōu)化。在這種特定的操作條件下, 這個轉(zhuǎn)換器效果很好。但是,它也僅限于這種操作條件。當 工作條件變化(例如,改變 VO, F西 南部和/或 CO值)。
智能、寬帶寬內(nèi)部補償
圖3所示為采用智能、寬帶寬內(nèi)部補償?shù)慕祲恨D(zhuǎn)換器原理圖。這 技術(shù)允許調(diào)整以適應不同的電路條件,并保留優(yōu)化的環(huán)路帶寬 廣泛的工作電路參數(shù)。它還最大限度地減少了外部元件的數(shù)量,從而產(chǎn)生了高度 集成式緊湊型電源解決方案。
圖3.顯示智能、寬帶寬內(nèi)部補償?shù)慕祲恨D(zhuǎn)換器原理圖。
簡單的內(nèi)部補償示例
在這里,我們舉一個降壓轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)簡單內(nèi)部補償技術(shù)的示例。圖4a、圖4b和表1提供了原理圖、評估板和物料清單(BOM)。
圖 4a.顯示簡單內(nèi)部補償?shù)慕祲恨D(zhuǎn)換器原理圖。
圖 4b.具有簡單內(nèi)部補償?shù)慕祲恨D(zhuǎn)換器評估板。
表 1.用于具有簡單內(nèi)部補償?shù)慕祲恨D(zhuǎn)換器的BOM
指示器 | 描述 | 數(shù)量 |
---|---|---|
C04, C05 | 電容, CERM, 0.022μF, 100V, +/-5%, X7R, 0805 | 2 |
加拿大商業(yè)協(xié)會 | 電容, CERM, 4.7μF, 50V, +/-10%, X5R, 0805 | 1 |
開機式 | 電容, CERM, 0.47μF, 16V, +/-10%, X7R, 0805 | 1 |
CFF | 電容, CERM, 100pF, 50V, +/-5%, C0G/NP0, 0603 | 1 |
CIN1 | 電容, CERM, 0.47μF, 100V, +/-10%, X7R, 0805 | 1 |
CIN2 | 電容, CERM, 1μF, 100V, +/-10%, X7R, 1210 | 1 |
CIN3 | 電容, CERM, 10μF, 100V, +/-20%, X7S, 2220 | 1 |
二氧化碳1、二氧化碳 | 電容, CERM, 47μF, 10V, +/-10%, X7R, 1210 | 2 |
視場角 | 電容, CERM, 1μF, 25V, +/-10%, X5R, 0805 | 1 |
.CSS | 電容, CERM, 0.047μF, 50V, +/-10%, X7R, 0603 | 1 |
CVCC1 | 電容, CERM, 2.2μF, 10V, +/-10%, X7R, 0603 | 1 |
L_60V_HC | 電感器, 屏蔽鼓磁芯, 鐵氧體, 10μH, 5.35A, 0.0189O, SMD, 線圈電子 DR125-100-R 1? | 1 |
其他電阻器 | 0603 | 8 |
U1 | 3.5- 60V 2A 降壓轉(zhuǎn)換器 | 1 |
這種特殊的降壓轉(zhuǎn)換器采用固定頻率峰值電流模式控制。該器件在內(nèi)部進行補償。 開關(guān)頻率可通過一個外部電阻器 RT 在 200kHz 至 2.2MHz 范圍內(nèi)進行設(shè)置。它默認為 500kHz,沒有 RT。內(nèi)部補償針對 24V 輸入、3.3V 輸出、500kHz 開關(guān)頻率和 2 x 47μF 陶瓷。雖然該轉(zhuǎn)換器在此特定工作條件下運行良好,但它也僅限于此操作 條件。當工作條件發(fā)生變化(例如,改變 VO, F西 南部和/或 CO值)。
通過觀察轉(zhuǎn)換器對負載階躍瞬態(tài)的響應,我們可以看到簡單內(nèi)部補償?shù)木窒扌浴?在各種電路工作條件下。圖5a顯示了原始配置(2 x 47μF)的測試結(jié)果,而 圖5b顯示了輸出電容量兩倍(4 x 47μF)的結(jié)果。
圖 5a.負載瞬態(tài)性能 - 簡單補償,原始配置 (CO– 2 x 47μF)。
圖 5b.負載瞬態(tài)性能 - 補償簡單,輸出電容翻倍(CO– 4 x 47μF)。
在圖5a和圖5b中,紫色跡線是輸出負載電流步進從1A到2A,然后回 1A.綠色跡線是輸出電壓,顯示響應負載變化的偏差。理想的轉(zhuǎn)換器沒有 負載變化時的電壓偏差(即綠線是平坦的)。更快的轉(zhuǎn)換器具有較小的電壓偏差。 穩(wěn)定的轉(zhuǎn)換器具有性能良好的輸出電壓波形,可以從偏差中平穩(wěn)恢復。
該原始電路(2 x 47μF)具有150mV峰峰值(pk-pk)電壓偏差。當輸出電容加倍至 4 x4 7μF,我們預計電壓偏差將減小一半。但由于簡單內(nèi)部的限制 補償,輸出電容的增加會因此降低轉(zhuǎn)換器環(huán)路帶寬,從而對轉(zhuǎn)換器環(huán)路帶寬產(chǎn)生不利影響 影響轉(zhuǎn)換器性能。因此,我們在本例中測量了134mV pk-pk。
因此,通過簡單(有限)的內(nèi)部補償,將輸出電容加倍只會降低輸出負載瞬態(tài) 反應PK-PK略微達到89%。這 11% 的減少數(shù)字并不能證明增加 輸出電容。系統(tǒng)工程師堅持原始轉(zhuǎn)換器性能。嘗試提高輸出電壓 偏差性能進一步導致成本和尺寸呈指數(shù)級增長。
智能、寬帶寬內(nèi)部補償示例
圖6a、圖6b和表2顯示了降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖、評估板和BOM 具有智能、寬帶寬內(nèi)部補償?shù)霓D(zhuǎn)換器。
圖 6a.具有寬帶寬內(nèi)部補償?shù)慕祲恨D(zhuǎn)換器。
圖 6b.具有寬帶寬內(nèi)部補償?shù)慕祲恨D(zhuǎn)換器評估板。
表 2.具有寬帶寬內(nèi)部補償?shù)慕祲恨D(zhuǎn)換器BOM
指示器 | 描述 | 數(shù)量 |
---|---|---|
C1 | 2.2μF ±10%, 100V X7R 陶瓷電容器 (1210) | 1 |
C2 | 2.2μF ±10%, 10V X7R 陶瓷電容器 (0603) | 1 |
C3 | 5600pF ±10%, 25V X7R 陶瓷電容器 (0402) | 1 |
C4 | 47μF ±10%, 10V X7R 陶瓷電容器 (1210) | 1 |
C5 | 0.1μF ±10%, 16V X7R 陶瓷電容器 (0402) | 1 |
C7 | 47μF、80V 鋁電解電容器 (D = 10mm) | 1 |
L1 | 6.8μH、5A 電感器。線藝MSS1048-682NL。 太陽湯電NS10165T6R8NNA?? | 1 |
其他電阻器 | 0402 | 5 |
U1 | 4.5V-60V、2.5A、高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器,帶內(nèi)部補償 | 1 |
該特定轉(zhuǎn)換器也是一種固定頻率峰值電流模式控制器件。但是,它具有智能, 寬帶寬內(nèi)部補償。其評估套件的開關(guān)頻率默認為450kHz。內(nèi)部 補償針對 24V 輸入、3.3V 輸出、450kHz 開關(guān)頻率和 47μF 陶瓷輸出電容器進行了優(yōu)化。 請注意,這只是前面討論的另一塊板上輸出電容量的一半。此降壓轉(zhuǎn)換器 只需一半的輸出電容即可獲得相當?shù)妮敵鏊矐B(tài)響應,因為它很寬 環(huán)路帶寬。
要檢查智能、寬帶寬內(nèi)部補償?shù)男阅?,請觀察轉(zhuǎn)換器對負載階躍的響應 在各種電路工作條件下瞬態(tài)。圖7a顯示了原始配置(47μF)下的測試結(jié)果, 而圖7b顯示了輸出電容量(2 x 47μF)兩倍時的結(jié)果。
圖 7a.負載瞬態(tài)性能 - 原始配置中的智能、寬帶寬補償 (Co= 47μF, R3 = 127k, R4 = 47.5k)。
圖 7b.負載瞬態(tài)性能 - 智能、寬帶寬補償,輸出電容翻倍 (Co= 2 x 47μF, R3 = 52.3k, R4 = 19.6k)。
原始電路(47μF)的峰峰值電壓偏差為176mV。當輸出電容加倍至2 x 47uF時, 在 84mV 峰峰值時,電壓偏差降至 48%,這得益于其智能、寬帶寬的內(nèi)部補償。這 每次偏差后輸出電壓的良好恢復波形也顯示出非常穩(wěn)定的環(huán)路操作。 此外,與簡單的內(nèi)部補償解決方案相比,該轉(zhuǎn)換器最初只需要一半的量 的輸出電容,由于其寬環(huán)路帶寬,可實現(xiàn)相當?shù)妮敵鏊矐B(tài)響應。
表3顯示了簡單內(nèi)部補償降壓轉(zhuǎn)換器與 智能、寬帶寬內(nèi)部補償。
表 3.比較兩種類型的降壓轉(zhuǎn)換器
簡單的內(nèi)部補償 | 智能、寬帶寬內(nèi)部補償 | |||
---|---|---|---|---|
輸出電容 | VO偏差,包-包 | 輸出電容 | VO偏差,包-包 | |
原始配置 | 2 x 47μF | 150mV | 47微呋喃 | 176mV |
輸出電容翻倍 | 4 x 47μF | 134mV | 2 x 47μF | 84mV |
VO 偏差百分比降低 | - | 11% | - | 52% |
請注意,在測量輸出電壓負載瞬態(tài)響應時,應使用低噪聲示波器探頭。圖8顯示了用于測量這些電壓的方法。本實驗中使用的設(shè)備包括:
電源: HP6032A
電子負載:安捷倫 6060B?
示波器:泰克TDS3034B?
使用的其他設(shè)置:
負載階躍壓擺率:1A/μs
輸出電壓探頭帶寬,通道4:20MHz
輸出電流探頭帶寬,通道3:300MHz
圖8.用于測量輸出電壓負載瞬態(tài)響應的低噪聲探頭技術(shù)。
總結(jié)
對于集成度更高的電源解決方案,內(nèi)部補償有助于減少外部元件數(shù)量和電路 復雜性。簡單的內(nèi)部補償會降低系統(tǒng)性能,還會導致環(huán)路不穩(wěn)定。 MAX17503以及Maxim的許多Himalaya轉(zhuǎn)換器和功率模塊產(chǎn)品均提供智能、寬帶寬內(nèi)部補償,可實現(xiàn)兩全其美:高集成度,同時保持最佳環(huán)路帶寬和控制環(huán)路穩(wěn)定性,通過最小化外部輸出電容要求來減小尺寸和成本。
審核編輯:郭婷
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