長(zhǎng)電科技積極推動(dòng)傳統(tǒng)封裝技術(shù)的突破，率先在晶圓級(jí)封裝、倒裝芯片互連、硅通孔 (TSV) 等領(lǐng)域中采用多種創(chuàng)新集成技術(shù)，以開發(fā)差異化的解決方案，幫助客戶在其服務(wù)的市場(chǎng)中取得成功。

長(zhǎng)電科技近期在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司已經(jīng)實(shí)現(xiàn) 4nm 工藝制程手機(jī)芯片的封裝。公司在芯片和封裝設(shè)計(jì)方面與客戶展開合作，提供滿足客戶對(duì)性能、質(zhì)量、周期和成本要求的產(chǎn)品。

公司的全面晶圓級(jí)技術(shù)平臺(tái)為客戶提供豐富多樣的選擇，幫助客戶將 2.5D 和 3D 等各類先進(jìn)封裝集成到智能手機(jī)和平板電腦等高級(jí)移動(dòng)設(shè)備中，幫助不同客戶實(shí)現(xiàn)更高的集成度、模塊的功能和更小的尺寸的封裝技術(shù)要求。在提升散熱性能的技術(shù)方案中，公司和業(yè)界客戶一起提倡芯片、封裝及系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)成本和性能的共同最優(yōu)化。

在成品制造技術(shù)上，公司將芯片背面金屬化技術(shù)應(yīng)用到先進(jìn)封裝中可以顯著提升系統(tǒng)導(dǎo)熱性。長(zhǎng)電科技開發(fā)的背面金屬化技術(shù)不僅可以改善封裝散熱，同時(shí)能夠根據(jù)設(shè)計(jì)需要增強(qiáng)封裝的電磁屏蔽能力。公司已將芯片背面金屬化技術(shù)及其制造工藝應(yīng)用到大批量量產(chǎn)產(chǎn)線中去。

封裝技術(shù)從 2D 封裝向更先進(jìn)的 2.5D 和 3D 封裝設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變。為了滿足這些需求，各種類型的堆疊集成技術(shù)被用于將多個(gè)具有不同功能的芯片集成到越來越小的尺寸中。

長(zhǎng)電科技面向高密度多維異構(gòu)集成應(yīng)用的 XDFOI 系列工藝已經(jīng)按計(jì)劃在本月進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段，長(zhǎng)電科技 XDFOI 系列技術(shù)可以為高性能計(jì)算應(yīng)用提供多層極高密度走線和極窄節(jié)距凸塊互聯(lián)，并可集成多顆芯片、高帶寬內(nèi)存和無源器件，在優(yōu)化成本的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更好的性能及可靠性。

公開信息顯示長(zhǎng)電科技成立于1972年，主營(yíng)業(yè)務(wù)包括有：集成電路封裝測(cè)試、分立器件制造銷售,產(chǎn)品主要應(yīng)用于通訊類、家電類、資訊類、工業(yè)自動(dòng)化等方面。是全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)企業(yè)，擁有3200多項(xiàng)專利。長(zhǎng)電科技在中國(guó)、韓國(guó)和新加坡設(shè)有六大生產(chǎn)基地和兩大研發(fā)中心。

（綜合整理）