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非晶態(tài)納米棒用于高電流密度下電催化中性水分解

清新電源 ? 來(lái)源:新威 ? 2022-12-30 10:41 ? 次閱讀
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01

導(dǎo)讀

電解水技術(shù)已被認(rèn)為是獲得氫氣(H2)的最有前途的技術(shù)之一。目前,電解水設(shè)備通常在酸性和堿性條件下運(yùn)行,這會(huì)使得電催化劑存在腐蝕問(wèn)題,且對(duì)環(huán)境不友好,穩(wěn)定性差。中性電解水系統(tǒng)因無(wú)污染、成本低、易于大規(guī)模應(yīng)用等優(yōu)勢(shì)成為最有前途的制氫趨勢(shì)之一。然而,合理設(shè)計(jì)應(yīng)用于中性溶液中高效、低成本和穩(wěn)定的雙功能電催化劑仍是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。

非晶態(tài)材料指其內(nèi)部原子為非周期性排列的材料,其本身的無(wú)序性可以產(chǎn)生豐富的"懸空鍵"和缺陷,這些缺陷可以提供更多的電解水活性位點(diǎn),改變?nèi)毕葜車碾娮臃植?,提高催化活性。非晶材料因各向同性可以在不改變晶格結(jié)構(gòu)的情況下為離子遷移提供更多途徑,有利于促進(jìn)電荷和質(zhì)量轉(zhuǎn)移。因此,設(shè)計(jì)非晶態(tài)催化劑或非晶態(tài)/晶態(tài)復(fù)合材料是開發(fā)高活性和穩(wěn)定的中性電解水催化劑的有效策略。

02

成果背景

近期,Angew. Chem. Int. Ed.期刊上發(fā)表了一篇題為“Amorphous Mo-doped NiS0.5Se0.5Nanosheets@Crystalline NiS0.5Se0.5Nanorods for High Current-density Electrocatalytic Water Splitting in Neutral Media”的文章,該工作采用一步水熱法制備了非晶態(tài)Mo摻雜NiS0.5Se0.5納米片和晶態(tài)NiS0.5Se0.5納米棒(Am-Mo-NiS0.5Se0.5)用于高電流密度下電催化中性水分解。在磷酸鹽緩沖溶液中,Am-Mo-NiS0.5Se0.5在10和1000 mA cm?2時(shí)的析氫反應(yīng)(HER)和析氧反應(yīng)(OER)的過(guò)電位分別為48 mV和209 mV和238 mV和514 mV。

03 關(guān)鍵創(chuàng)新

Am-Mo-NiS0.5Se0.5富缺陷非晶態(tài)結(jié)構(gòu)中的Ni位具有較高的電子態(tài)密度,增強(qiáng)了H2O的結(jié)合能,從而優(yōu)化了H的吸附/脫附能壘,降低了OER決速步驟的吸附能。

04

核心數(shù)據(jù)解讀

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圖1 (a)TEM圖像,(b,c)HRTEM圖像,(d)SAED圖案,(e)納米片的結(jié)構(gòu)模型;(f)Am-Mo-NiS0.5Se0.5納米棒的HRTEM圖像,f的插圖是相應(yīng)的SAED圖案;(g)Am-Mo-NiS0.5Se0.5的STEM EDS元素映射。

Am-Mo-NiS0.5Se0.5的形貌顯示,納米棒上均勻地包裹著一層超薄的納米片。包裹的納米片結(jié)構(gòu)有利于電解液的浸入,且利于暴露更多的活性位點(diǎn)用于電子傳輸。此外,與二維納米片相比,這種包裹的納米片結(jié)構(gòu)具有更好的分散性和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。在超薄納米片中觀察到明顯無(wú)序的原子排列,且SAED圖案為漫反射環(huán)狀,都證實(shí)了Am-Mo-NiS0.5Se0.5中的納米片為非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。

而在納米棒中觀察到0.20nm的晶格間距,為NiS0.5Se0.5晶體的(102)晶面,SAED圖案也顯示出明顯的衍射斑點(diǎn),這揭示了NiS0.5Se0.5納米棒具有高結(jié)晶性。EDS元素圖譜顯示,Mo主要分布在納米片上,表明Mo摻雜在NiS0.5Se0.5納米片中,而在納米棒中沒(méi)有摻雜Mo。

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圖2(a)TEM圖像,(b)Cr-Mo-NiS0.5Se0.5的HRTEM圖像,b的插圖是相應(yīng)的SAED圖案,(c)納米片的結(jié)構(gòu)模型;(d)納米棒的HRTEM圖像,d的插圖是相應(yīng)的SAED圖案。

為了研究非晶態(tài)/晶態(tài)結(jié)構(gòu)對(duì)催化性能的影響,作者通過(guò)控制水熱和熱處理過(guò)程合成了晶態(tài)Mo-NiS0.5Se0.5納米片@晶態(tài)NiS0.5Se0.5納米棒(Cr-Mo-NiS0.5Se0.5)作為對(duì)照組與Am-Mo-NiS0.5Se0.5進(jìn)行比較。Cr-Mo-NiS0.5Se0.5的形貌與Am-Mo-NiS0.5Se0.5相似。

在Cr-Mo-NiS0.5Se0.5納米片的HRTEM圖像中可以觀察到有規(guī)律的原子排列,面間距為0.27nm,對(duì)應(yīng)于NiS0.5Se0.5的(101)晶面。而CrMo-NiS0.5Se0.5納米棒,晶格間距為0.20nm,對(duì)應(yīng)于NiS0.5Se0.5的(102)晶面。Cr-Mo-NiS0.5Se0.5納米片和納米棒的SAED圖案都為衍射點(diǎn)組成的環(huán)。上述結(jié)果說(shuō)明可控的水熱和熱處理過(guò)程只能影響NiS0.5Se0.5納米片的結(jié)晶度,而不能影響其形態(tài)和組成。

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圖3(a)Mo 3d,(b)Ni 2p的XPS圖案;(c)Ni K邊XANES光譜;Am-Mo-NiS0.5Se0.5和Cr-Mo-NiS0.5Se0.5的(d)FT曲線,(e)正電子壽命光譜和(f)ESR光譜。

如圖3a的XPS圖譜所示,Am-Mo-NiS0.5Se0.5中鉬的價(jià)態(tài)為正四價(jià)和正六價(jià)。且在226.1 eV處有一個(gè)與Mo-S配體有關(guān)的峰。與高度結(jié)晶的樣品相比,Am-Mo-NiS0.5Se0.5的Mo4+峰發(fā)生明顯正移,表明非晶態(tài)結(jié)構(gòu)中Mo原子周圍的電子減少。Ni 2p顯示Am-Mo-NiS0.5Se0.5的結(jié)合能發(fā)生0.3 eV的負(fù)移,表明Ni原子周圍發(fā)生電子積累。以上變化表明,Am-Mo-NiS0.5Se0.5中電子分布發(fā)生了改變。

在Am-Mo-NiS0.5Se0.5和Cr-Mo-NiS0.5Se0.5中獲得的Ni K-邊的X射線吸收結(jié)構(gòu)(XANES)光譜形狀相似,表明它們的配位環(huán)境相似。與Cr-Mo-NiS0.5Se0.5相比,Am-Mo-NiS0.5Se0.5的白線強(qiáng)度明顯下降,表明Am-Mo-NiS0.5Se0.5中的Ni原子的價(jià)態(tài)較低。

Cr-Mo-NiS0.5Se0.5中Ni K邊的擴(kuò)展X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(EXAFS)的傅里葉變換顯示,與CrMo-NiS0.5Se0.5相比,以1.82和2.12 ?為中心的峰對(duì)應(yīng)的Ni-S和Ni-Se配位峰強(qiáng)度下降,表明Am-MoNiS0.5Se0.5的非晶化程度更高。正電子湮滅光譜(PAS)表明Am-Mo-NiS0.5Se0.5比Cr-Mo-NiS0.5Se0.5具有更長(zhǎng)的壽命,主要因?yàn)榍罢呓Y(jié)構(gòu)中存在大量缺陷。電子自旋共振(ESR)也證實(shí)了Am-Mo-NiS0.5Se0.5中S/Se空位的密度更高。

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4(a)HER極化曲線,(b)Am-Mo-NiS0.5Se0.5、Cr-Mo-NiS0.5Se0.5、NF和20%商業(yè)Pt/C的Tafel圖;(c)報(bào)道的HER催化劑在中性介質(zhì)中的過(guò)電位(@100 mA cm-2)和Tafel斜率;(d)電流密度與掃描速率的線性擬合,(e)Am-Mo-NiS0.5Se0.5和Cr-Mo-NiS0.5Se0.5的TOF;(f)Am-Mo-NiS0.5Se0.5在20000次CV循環(huán)前后的極化曲線。

在1.0M的PBS緩沖溶液中研究了Am-Mo-NiS0.5Se0.5的電催化HER活性。Am-Mo-NiS0.5Se0.5在10 mA cm-2時(shí)的過(guò)電位僅為48 mV。且在300和1000 mA cm-2的高電流密度下,Am-MoNiS0.5Se0.5顯示出133和209 mV的過(guò)電位,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于商用Pt/C(153和447 mV)和Cr-MoNiS0.5Se0.5(205和295 mV)。

Am-Mo-NiS0.5Se0.5的Tafel斜率(52 mV dec-1)也明顯低于Pt/C(36 mV dec-1)、Cr-Mo-NiS0.5Se0.5(71 mV dec-1)和NF(177 mV dec-1),表明Am-Mo-NiS0.5Se0.5擁有卓越的催化動(dòng)力學(xué)。Am-Mo-NiS0.5Se0.5在中性溶液中具有良好的HER活性,這主要?dú)w因于非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的形成,導(dǎo)致了更多的空位和更高的電子態(tài)密度。

圖4d表明Am-Mo-NiS0.5Se0.5比Cr-Mo-NiS0.5Se0.5(91.81 mF cm-2)擁有更高的電化學(xué)表面積(ECSA)(117.65 mF cm-2),主要?dú)w因于Am-Mo-NiS0.5Se0.5中存在更多缺陷。Am-Mo-NiS0.5Se0.5的周轉(zhuǎn)頻率(TOF)在-100 mV時(shí)可以達(dá)到0.482 s-1。在10 mA cm-2的條件下,Am-Mo-NiS0.5Se0.5在300h后沒(méi)有檢測(cè)到明顯的活性衰減,這種出色的穩(wěn)定性可能歸因于獨(dú)特的形態(tài)和非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。

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5(a)Am-Mo-NiS0.5Se0.5、Cr-Mo-NiS0.5Se0.5、NF和商業(yè)IrO2的OER極化曲線;(b)Am-Mo-NiS0.5Se0.5、Cr-Mo-NiS0.5Se0.5和商業(yè)IrO2在1.6V時(shí)的電流密度比較;(c)Am-Mo-NiS0.5Se0.5、Cr-Mo-NiS0.5Se0.5、NF和商用IrO2的Tafel圖;(d)基于ECSA的歸一化LSV,(e)Am-Mo-NiS0.5Se0.5和Cr-Mo-NiS0.5Se0.5的TOF;(f)Am-Mo-NiS0.5Se0.5在20000次CV循環(huán)前后的極化曲線。

在1.0M的PBS溶液中也測(cè)試了Am-Mo-NiS0.5Se0.5的OER性能。Am-Mo-NiS0.5Se0.5只需要238 mV的過(guò)電位就可以提供10 mA cm-2的電流密度。在高電流密度(1,000 mA cm-2)下Am-Mo-NiS0.5Se0.5顯示出比商業(yè)IrO2和Cr-Mo-NiS0.5Se0.5低很多的過(guò)電位(514 mV)。

Am-Mo-NiS0.5Se0.5還具有較低的Tafel斜率,僅為48 mV dec-1。Am-Mo-NiS0.5Se0.5的TOF在1.7V時(shí)可以達(dá)到0.202 s-1,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于Cr-Mo-NiS0.5Se0.5(0.054 s-1)和IrO2(0.015 s-1)。Am-Mo-NiS0.5Se0.5優(yōu)秀的OER活性可以歸因于非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的豐富缺陷和電子結(jié)構(gòu)的改變,使它擁有更多的活性位點(diǎn)和更高的內(nèi)在活性。

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6(a)在10 mA cm-2的電流密度下實(shí)現(xiàn)HER和OER所需的電位;(b)全解水極化曲線作為對(duì)比;(c)工作的過(guò)電位(@10 mA cm-2)與之前報(bào)道的各種催化劑在中性介質(zhì)中的比較;(d)Am-Mo-NiS0.5Se0.5在20000次CV循環(huán)前后的極化曲線。

在10 mA cm-2時(shí)Am-Mo-NiS0.5Se0.5的全水電解性能(1.52 V )顯著優(yōu)于Cr-Mo-NiS0.5Se0.5(1.66 V)和Pt/C||IrO2(1.64 V)。在室溫下,該電解池(Am-Mo-NiS0.5Se0.5)僅需要1.98 V的槽電壓就可以達(dá)到1000 mA cm-2的電流密度進(jìn)行水分解。與大多數(shù)已報(bào)道的催化劑相比,Am-Mo-NiS0.5Se0.5具有更好的電解水催化活性。此外,從圖6d中可以看出,Am-Mo-NiS0.5Se0.5在10mA cm-2下測(cè)量300 h時(shí)具有出色的穩(wěn)定性,遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于Pt/C||IrO2。

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7.(a)Cr-Mo-NiS0.5Se0.5和(b)Am-Mo-NiS0.5Se0.5的價(jià)帶結(jié)構(gòu);(c)Am-Mo-NiS0.5Se0.5和Cr-Mo-NiS0.5Se0.5的DOS;(d)水在Am-MoNiS0.5Se0.5和Cr-Mo-NiS0.5Se0.5的計(jì)算吸附自由能。AmMo-NiS0.5Se0.5和Cr-Mo-NiS0.5Se0.5上(e)HER和(f)OER的計(jì)算自由能圖。

Cr-MoNiS0.5Se0.5晶體的價(jià)帶結(jié)構(gòu)存在0.4 eV的帶隙,這證明了d-d和d-p轉(zhuǎn)換之間具有較大能壘。而Am-Mo-NiS0.5Se0.5不存在帶隙,促進(jìn)了快速d-d電子轉(zhuǎn)換,以實(shí)現(xiàn)卓越的性能。態(tài)密度(PDOS)圖顯示,與Cr-Mo-NiS0.5Se0.5相比,Am-Mo-NiS0.5Se0.5的Ni位點(diǎn)的d帶上移,反映了電子傳輸能力和化學(xué)活性的提高。

計(jì)算了H2O在Am-Mo-NiS0.5Se0.5和Cr-Mo-NiS0.5Se0.5表面的吸附能(?EH2O),Am-Mo-NiS0.5Se0.5擁有比Cr-Mo-NiS0.5Se0.5低得多的?EH2O,表明非晶態(tài)結(jié)構(gòu)有利于Volmer步驟。

此外,HER和OER過(guò)程的計(jì)算吸附自由能顯示在圖7e,f中。圖7e顯示Am-Mo-NiS0.5Se0.5在Ni位點(diǎn)的?GH為-0.13 eV,Am-Mo-NiS0.5Se0.5在Mo位點(diǎn)的?GH為-0.22 eV,低于Cr-Mo-NiS0.5Se0.5中的Ni位點(diǎn)(?GH=-0.3 eV)和Mo位點(diǎn)(?GH=-0.59 eV)。

這些結(jié)果表明,在Am-Mo-NiS0.5Se0.5中,Ni位點(diǎn)是HER過(guò)程中的活性位點(diǎn),并且Am-Mo-NiS0.5Se0.5上吸附H的過(guò)程比Cr-Mo-NiS0.5Se0.5上更容易。

05

成果啟示

本文通過(guò)水熱法合成了Am-Mo-NiS0.5Se0.5。Am-Mo-NiS0.5Se0.5在中性溶液中表現(xiàn)出出色的HER和OER催化活性和穩(wěn)定性。突出的催化活性是由于其非晶態(tài)結(jié)構(gòu)具有高密度的不飽和位點(diǎn),改變了金屬原子的局部電子結(jié)構(gòu),減少了HER和OER過(guò)程中氫和氧中間反應(yīng)物的結(jié)合能。

總的來(lái)說(shuō),這項(xiàng)工作通過(guò)設(shè)計(jì)和合成非晶態(tài)/晶態(tài)復(fù)合材料,為HER和OER提供了一種高活性和穩(wěn)定的過(guò)渡金屬化合物材料,這將促進(jìn)未來(lái)在中性環(huán)境下整體水分解的應(yīng)用。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:Angew:非晶態(tài)鉬摻雜NiS0.5Se0.5納米片@結(jié)晶態(tài)NiS0.5Se0.5納米棒用于中性電解水

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    一種新型的<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>晶態(tài)</b>NbP半金屬薄膜

    AN77-適用于電流應(yīng)用的高效率、高密度多相轉(zhuǎn)換器

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN77-適用于電流應(yīng)用的高效率、高密度多相轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
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    AN77-適<b class='flag-5'>用于</b>大<b class='flag-5'>電流</b>應(yīng)用的高效率、高<b class='flag-5'>密度</b>多相轉(zhuǎn)換器

    OptiFDTD應(yīng)用:用于光纖入波導(dǎo)耦合的硅納米錐仿真

    介紹 在約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1] 耦合器由折射率比材料組成,是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] 錐形耦合器實(shí)際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式
    發(fā)表于 01-08 08:51

    OptiFDTD應(yīng)用:用于光纖入波導(dǎo)耦合的硅納米錐仿真

    介紹 在約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1] 耦合器由折射率比材料組成,是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] 錐形耦合器實(shí)際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式
    發(fā)表于 12-11 11:27

    如何提高系統(tǒng)的魯

    保持其核心功能的能力。一個(gè)魯的系統(tǒng)能夠抵御故障,從錯(cuò)誤中恢復(fù),并在不確定的環(huán)境中保持穩(wěn)定。 二、系統(tǒng)設(shè)計(jì)階段的魯性考量 模塊化設(shè)計(jì) :通過(guò)將系統(tǒng)分解為獨(dú)立的模塊,可以隔離故障,減少系統(tǒng)其他部分的影響。 冗余設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 11-11 10:17 ?3307次閱讀

    實(shí)時(shí)原位監(jiān)測(cè)光電催化過(guò)程中反應(yīng)物濃度與熱效應(yīng)的微光纖傳感器技術(shù)

    電催化技術(shù),可在溫和的條件實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能到化學(xué)能的轉(zhuǎn)化,并且不產(chǎn)生二次污染,是解決當(dāng)前環(huán)境和能源問(wèn)題的一個(gè)重要途徑。在催化過(guò)程中,催化劑表面反應(yīng)物濃度的變化和熱效應(yīng)的產(chǎn)生是表征
    的頭像 發(fā)表于 11-09 09:55 ?2.3w次閱讀
    實(shí)時(shí)原位監(jiān)測(cè)光<b class='flag-5'>電催化</b>過(guò)程中反應(yīng)物濃度與熱效應(yīng)的微光纖傳感器技術(shù)

    中國(guó)科大在納米級(jí)空間分辨紅外成像研究中取得新進(jìn)展

    技術(shù)僅能獲取催化材料表面的系綜平均信息,無(wú)法實(shí)現(xiàn)對(duì)真實(shí)活性位點(diǎn)在納米尺度的高空間分辨鑒別。因此,基于突破光學(xué)衍射極限的原子力顯微鏡-紅外光譜聯(lián)用技術(shù),在高空間分辨率對(duì)材料形貌和表面吸附物種進(jìn)行微區(qū)分析,有望
    的頭像 發(fā)表于 11-08 06:27 ?632次閱讀
    中國(guó)科大在<b class='flag-5'>納米</b>級(jí)空間分辨紅外成像研究中取得新進(jìn)展

    中國(guó)科大在納米級(jí)空間分辨紅外成像及催化研究中取得新進(jìn)展

    位點(diǎn)在納米尺度的高空間分辨鑒別。因此,基于突破光學(xué)衍射極限的原子力顯微鏡-紅外光譜聯(lián)用技術(shù),在高空間分辨率對(duì)材料形貌和表面吸附物種進(jìn)行微區(qū)分析,有望為辨別和追蹤催化表界面真實(shí)活性位點(diǎn)提供一種新的研究范式。
    的頭像 發(fā)表于 11-04 06:25 ?557次閱讀