1、IGBT的工作原理和退飽和

1.1 IGBT 和 MOSFET結構比較

為了理解IGBT進入退飽和的過程機理，我們有必要簡單比較下MOSFET和IGBT結構上的區(qū)別：簡單來看，IGBT在MOSFET的基本結構上增加了一個P+層提供空穴載流子，這樣可以和漏極N+區(qū)域的電子在基區(qū)N-進行電導調制，從而降低IGBT在大電流條件下的導通壓降。 IGBT通過其FET結構控制在基區(qū)的載流子（電子和空穴），從而控制IGBT的導通和關斷。

圖1-1 MOSFET結構圖

圖1-2 IGBT 結構圖

1.2 IGBT 和 MOSFET 在對飽和區(qū)的定義差別

這里有一個概念需要稍稍澄清下，MOSFET和IGBT關于“飽和區(qū)”的定義有一定的差異，其實也可以認為是單載流子器件和雙載流子器件的差異。

如圖1-3， MOSFET的區(qū)域定義：①正向阻斷區(qū)（也稱為截止區(qū)，夾斷區(qū)）； ②恒流區(qū)（也稱飽和區(qū)、有源區(qū)、線性放大區(qū)）； ③歐姆區(qū)（也稱為可變電阻區(qū)、非飽和區(qū)）； ④雪崩擊穿區(qū)； ⑤反向導通區(qū)

如圖1-4， IGBT的區(qū)域定義：①正向阻斷區(qū)（截止區(qū)）； ②有源區(qū)（線性放大區(qū)）； ③飽和區(qū)； ④雪崩擊穿區(qū)； ⑤反向阻斷區(qū)

對于飽和區(qū)的定義，兩種器件的有一定的差異，主要是由于兩種器件的載流子類型和導電方式的不同。 MOSFET作為單載流子器件，參與導電的為電子； IGBT電子和空穴都參與了導電，分為電子電流和空穴電流。

MOSFET 在區(qū)域③，電流溝道完全導通，電流受外圍電路控制，未能到達飽和狀態(tài)； 隨著電流的增加，VDS電壓也增加，VDS>VGE-VGE(th)，溝道被“預夾斷”，MOSFET進入區(qū)域②，源極N+無法提供更多的電子，IDS電流電流達到飽和狀態(tài)。

IGBT 飽和區(qū)的定義和BJT類似，在區(qū)域③，ICE電流不受門級信號的控制（類似于BJT集電極電流不受基極電流控制），由外圍電路阻抗決定； 隨著電流的增加，進入區(qū)域②以后，IGBT的門級能夠控制去N-區(qū)域復合的電子，從而控制ICE電流，稱為線性區(qū)。

從特性曲線上看，在一定的門級電壓條件下，ICE電流上升到一定大小，出現(xiàn)了明顯的“拐點”，該拐點即是IGBT的退飽和點； 在拐點左側IGBT進入“飽和區(qū)”，在拐點右側IGBT進入“線性區(qū)”，IGBT由飽和區(qū)進入線性區(qū)，我們稱為“退飽和”。

圖1-3 MOSFET 特性曲線

圖1-4 IGBT 特性曲線

1.3 IGBT 退飽和過程和保護

退飽和的半導體機理可以簡單等效為MOSFET部分的門級的“預夾斷”。 如圖1-5所示，隨著電流的增加，MOSFET的導電溝道關閉，導電通道阻抗迅速增加，IGBT進入退飽和，VCE電壓迅速增加。

這里需要注意的是，“預夾斷”并不等同于溝道關閉。 在預夾斷之前，溝道內的載流子不受門級的控制，外圍電路對集電極電流ICE起到控制作用。 當門極電壓Vge≥Vge(th)，且Vce>Vge-Vge(th)時，進入退飽和區(qū)域以后，此時流入到N-基區(qū)的電子電流In受到門極電壓的控制，進而限制了IGBT內部PNP晶體管的基極電流，最終空穴電流Ip也受到限制，因此該區(qū)域的IGBT集電極電流Ic會進入“線性區(qū)”。

進入“線性區(qū)”后，IGBT的Vce電壓迅速上升，利用該特性，可以設計退飽和檢測電路。 如圖1-6所示，當VCE電壓迅速升高二極管Ddesat截止，DESAT電壓被充電到閾值電壓，從而觸發(fā)驅動芯片對IGBT進行關斷。

圖 1-5 IGBT等效電路

圖 1-6 DESAT檢測電路

2、電感短路和直通短路

2.1 短路類型

在實際應用過程中，IGBT的負載往往是感性負載。 隨著短路電感大小的不同，IGBT的短路波形也會存在明顯的區(qū)別。 如果短路回路中電感很小，那么母線電壓VDC直接加到IGBT兩端，我們稱為“一類短路”。 如圖2-1，IGBT不存在一個導通過程，直接進入退飽和狀態(tài)。

如果短路回路中存在一定感值的電感，那么母線電壓壓降會落在電感兩端，電流呈現(xiàn)一定斜率的線性規(guī)律增加，到達一定的值后IGBT進入退飽和，這時候才會將電感上的電壓“搶”到IGBT兩端。 如圖2-2，可以說電感上的電壓比較“軟”，很容易就被IGBT搶過來。

圖2-1 IGBT的一類短路波形

圖2-2 IGBT的二類短路波形

2.2 橋臂直通短路

一般我們在實施一類短路測試的時候，通常會在對管（陪測管）并聯(lián)“粗短銅排”。 一方面，短路掉對管，排除對管開關動作對被測管的影響，更能準確的評估測試管的特性； 另外一方面，可以利用對管的二極管進行續(xù)流，防止測試過程中反壓導致測試管的擊穿。

在實際應用中，橋臂直通短路通常是在兩個管子都開啟了DESAT保護功能進行的。 橋臂直通（忽略回路電感），上下管的IGBT具有相同的電流，如果上下管IGBT特性一致，兩個管子應該將各自承受一半的母線電壓。

對于模塊封裝形式的IGBT，由于內部Layout的關系，很難做到上下管的對稱封裝結構。 以HPDriver 為例（圖2-3），紅色為上管電流路徑，綠色為下管電流路徑。 由于存在三個IGBT Chip并聯(lián)，下管電流的等效電阻要大于上管電流的等效電阻。 因此在上下管晶圓上存在分壓不均的問題，下管的分壓要大于上管。 如果在相同的DESAT電路參數(shù)條件下，下管始終優(yōu)先觸發(fā)保護。

如圖2-4，下橋IGBT保持開啟，斷開驅動互鎖信號，上橋實施短路。 VCE電壓在短路器件始終未能抬升，這部分電壓被下管IGBT“搶走”了，并且很快下管進入DESAT保護，限制短路電流的進一步增加（即使這時候還沒有到上管觸發(fā)DESAT保護），而上管的DESAT觸發(fā)信號就比下管慢了很多。

從這個角度看，雙保險的DESAT保護能夠快速對短路進行響應，對橋臂直通短路的保護是有利的。

圖 2-3 HPD IGBT內部

圖2-4 上橋直通短路波形