chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IGBT應(yīng)用中有哪些短路類型?

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2024-02-18 10:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

IGBT應(yīng)用中有哪些短路類型?

IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。在實(shí)際應(yīng)用中,IGBT可能會(huì)遭遇多種短路類型。下面,我將詳細(xì)介紹IGBT應(yīng)用中常見的短路類型。

1. IGBT內(nèi)部開路短路

這種短路是指IGBT內(nèi)部出現(xiàn)了開路或短路的情況。其中,IGBT的開路指IGBT的關(guān)鍵部件之一,即PN結(jié)(N型硅片和P型硅片)出現(xiàn)斷裂,導(dǎo)致電流無法通過。而短路則是指PN結(jié)短路或者IGBT內(nèi)部導(dǎo)線短路,導(dǎo)致電流難以正常流動(dòng)。這種短路可能由于材料、制造工藝、熱應(yīng)力等原因引起。

2. IGBT外部開路短路

這種短路是指IGBT外部的電路元件或連接線路出現(xiàn)了開路或短路的情況。例如,由于焊接不良、接線松動(dòng)或連接線斷裂等原因,導(dǎo)致電流無法正常通道或者出現(xiàn)了異常通道。這種短路可能由維修、安裝或操作不當(dāng)、環(huán)境振動(dòng)等原因引起。

3. IGBT熱短路

IGBT在工作過程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量,如果散熱不良導(dǎo)致IGBT溫度過高,可能會(huì)引發(fā)熱短路。熱短路是指IGBT內(nèi)部的熱量無法正確傳導(dǎo)、散熱,導(dǎo)致溫度罩過高,進(jìn)而引發(fā)短路。這種短路可能由于設(shè)計(jì)不當(dāng)、冷卻系統(tǒng)故障、工作負(fù)載超過額定值等原因引起。

4. IGBT電壓短路

IGBT在正常工作時(shí),負(fù)責(zé)切換高電壓和高電流。如果IGBT無法正常打開或關(guān)閉,可能會(huì)導(dǎo)致電壓短路。電壓短路是指IGBT無法有效地隔離高壓和低壓之間的電路,導(dǎo)致高壓和低壓電源短路。這種短路可能由于IGBT驅(qū)動(dòng)電路故障、過電壓沖擊或者IGBT的電流增益失效等原因引起。

5. IGBT電流短路

IGBT在工作過程中需要承受較大的電流負(fù)載。如果IGBT無法正??刂齐娏?,可能會(huì)發(fā)生電流短路。電流短路是指IGBT通道內(nèi)部某些故障導(dǎo)致電流無法正常流動(dòng)或者產(chǎn)生了異常的電流流向。這種短路可能由IGBT材料結(jié)構(gòu)破損、電流過載等原因引起。

需要注意的是,IGBT短路可能會(huì)導(dǎo)致電路破裂、電壓過高、電流過大等嚴(yán)重后果,甚至引發(fā)火災(zāi)、爆炸等事故。因此,在IGBT的應(yīng)用過程中,需要嚴(yán)格遵循規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)操作,確保設(shè)備的安全可靠性。

總結(jié)起來,IGBT應(yīng)用中常見的短路類型有:IGBT內(nèi)部開路短路、IGBT外部開路短路、IGBT熱短路、IGBT電壓短路和IGBT電流短路。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1286

    文章

    4237

    瀏覽量

    260222
  • PN結(jié)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    494

    瀏覽量

    51219
  • 功率半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    23

    文章

    1400

    瀏覽量

    45028
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    AFGB30T65RQDN IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    分布。AFGB30T65RQDN IGBT具有短路額定值,同時(shí)兼具高品質(zhì)因數(shù)及低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗。 該IGBT滿足AEC-Q101要求,無鉛,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括HEV/EV的電動(dòng)壓縮機(jī)和HEV/EV的PTC加熱器
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:08 ?605次閱讀

    SiC-MOS與IGBT短路能力對(duì)比

    IGBT為主流的時(shí)代,提到抗短路能力,就是有或者沒有。如果器件具備抗短路能力,那就是比較能抗,一般不容易引起失效。但是SiC-MOS給人的感覺就是不那么皮實(shí),魯棒性并沒那么讓人放心。
    的頭像 發(fā)表于 11-06 09:15 ?6666次閱讀
    SiC-MOS與<b class='flag-5'>IGBT</b>抗<b class='flag-5'>短路</b>能力對(duì)比

    IGBT模塊的封裝形式類型

    不同封裝形式的IGBT模塊在熱性能上的差異主要體現(xiàn)在散熱路徑設(shè)計(jì)、材料導(dǎo)熱性、熱阻分布及溫度均勻性等方面。以下結(jié)合技術(shù)原理和應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行系統(tǒng)分析。
    的頭像 發(fā)表于 09-05 09:50 ?2263次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>模塊的封裝形式<b class='flag-5'>類型</b>

    IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差與 IGBT短路失效機(jī)理相關(guān)性

    ,對(duì)散熱效果有顯著影響,進(jìn)而可能關(guān)聯(lián)到 IGBT短路失效機(jī)理。 IGBT 工作時(shí),電流通過芯片產(chǎn)生焦耳熱,若熱量不能及時(shí)散發(fā),將導(dǎo)致芯片溫度升高。良好的散熱可使 IGBT 保持在適
    的頭像 發(fā)表于 08-26 11:14 ?1124次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b> 封裝底部與散熱器貼合面平整度差與 <b class='flag-5'>IGBT</b> 的<b class='flag-5'>短路</b>失效機(jī)理相關(guān)性

    IGBT 芯片表面平整度差與 IGBT短路失效機(jī)理相關(guān)性

    一、引言 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子領(lǐng)域的核心器件,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)等關(guān)鍵領(lǐng)域。短路失效是 IGBT 最嚴(yán)重的失效模式之一,會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓甚至安全事故。研究發(fā)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 08-25 11:13 ?1210次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b> 芯片表面平整度差與 <b class='flag-5'>IGBT</b> 的<b class='flag-5'>短路</b>失效機(jī)理相關(guān)性

    IGBT短路失效分析

    短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細(xì)的解釋和分類了,但就具體工作中而言,我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關(guān)斷階段以及關(guān)斷完畢之后的,失效的模式主要為熱失效和動(dòng)態(tài)雪崩失效以及電場(chǎng)尖峰過高失效(電流分布不均勻)。理論上還有其他的一些失效情況,但我工作中基本不怎么遇到了。
    的頭像 發(fā)表于 08-21 11:08 ?3732次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>短路</b>失效分析

    IGBT短路振蕩的機(jī)制分析

    絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電器控制等多種工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。IGBT在具有更低的開關(guān)損耗的同時(shí),還要同時(shí)具備一定的抗短路能力。短路時(shí),如果發(fā)生
    的頭像 發(fā)表于 08-07 17:09 ?3334次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>短路</b>振蕩的機(jī)制分析

    IGBT元件的短路和過電壓保護(hù)

    沒有附加保護(hù)裝置的 10μs 短路 SOA 操作。
    的頭像 發(fā)表于 07-23 14:49 ?3494次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>元件的<b class='flag-5'>短路</b>和過電壓保護(hù)

    細(xì)數(shù)IGBT測(cè)試指標(biāo)及應(yīng)對(duì)檢測(cè)方案

    IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多,一般會(huì)包含如下幾種類型參數(shù):靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù),熱參數(shù)。動(dòng)態(tài)測(cè)試,主要是用于測(cè)試IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù),目前,主要采用雙脈沖測(cè)試方案。其測(cè)試主要方法是,加載脈沖電壓,用獲取
    的頭像 發(fā)表于 06-26 16:26 ?1238次閱讀
    細(xì)數(shù)<b class='flag-5'>IGBT</b>測(cè)試指標(biāo)及應(yīng)對(duì)檢測(cè)方案

    疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用(3)

    測(cè)量回路雜散電感常用方法有雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過測(cè)量獲取IGBT關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓Vpeak和電流變化率,利用公式來計(jì)算雜散電感Lstray;短路法通過測(cè)量IGBT
    的頭像 發(fā)表于 06-17 09:53 ?1904次閱讀
    疊層母排在<b class='flag-5'>IGBT</b>變流器中的應(yīng)用(3)

    1安培輸出電流的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路光耦合器-ICPL-155E

    IGBT的柵極電壓可通過不同的驅(qū)動(dòng)電路來產(chǎn)生。這些驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣對(duì)IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性產(chǎn)生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以及較小化通態(tài)損耗,同時(shí)還要限制短路電流和
    的頭像 發(fā)表于 06-12 09:55 ?742次閱讀
    1安培輸出電流的<b class='flag-5'>IGBT</b>柵極驅(qū)動(dòng)電路光耦合器-ICPL-155E

    注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

    為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enhancement Effect,IE),既可
    的頭像 發(fā)表于 05-21 14:15 ?1238次閱讀
    注入增強(qiáng)型<b class='flag-5'>IGBT</b>學(xué)習(xí)筆記

    這款具有IGBT保護(hù)的芯片其原理是什么?

    如下是一款具有IGBT保護(hù)的驅(qū)動(dòng)芯片,其如何檢測(cè)并判斷IGBT故障,并且在什么情況下觸發(fā)該故障? 尤其是在一類短路和二類短路時(shí)是否應(yīng)該觸發(fā),具體如何檢測(cè)?
    發(fā)表于 04-05 20:16

    用2片ADum4223驅(qū)動(dòng)4個(gè)IGBT ,時(shí)間長(zhǎng)的話,ADum4223的vddb就會(huì)跟GND短路了,怎么回事?

    我用2片ADum4223驅(qū)動(dòng)4個(gè)IGBT ,ADum4223上的電壓為15V, IGBT上的電壓VBAT 為310v,當(dāng)PWM1,PWM2為低,OD_EN為高的時(shí)候一切正常,但是當(dāng)PWM1和PWM2
    發(fā)表于 12-19 08:51

    IGBT驅(qū)動(dòng)器要考慮什么因素

    各種拓?fù)鋵?duì)IGBT驅(qū)動(dòng)器的要求各不相同,比如: 兩電平拓?fù)渫ǔR?b class='flag-5'>短路保護(hù)和過壓保護(hù)即可。常用的短路保護(hù)方法又叫VCEsat或退保護(hù)監(jiān)控;過壓保護(hù)一般采用有源鉗位。 對(duì)于三電平NPC1拓?fù)洌?b class='flag-5'>I
    的頭像 發(fā)表于 12-09 09:42 ?1512次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>驅(qū)動(dòng)器要考慮什么因素