chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

芯粵能半導(dǎo)體碳化硅芯片制造項(xiàng)目通過廣東省能源局節(jié)能審查

MEMS ? 來源:廣東省能源局節(jié)能處 ? 2023-01-29 15:20 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

日前,廣東省能源局發(fā)布廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司“面向車規(guī)級和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造項(xiàng)目”節(jié)能報(bào)告的審查意見:項(xiàng)目采用的主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和建設(shè)方案符合國家相關(guān)節(jié)能法規(guī)及節(jié)能政策的要求,原則同意該項(xiàng)目節(jié)能報(bào)告。

根據(jù)粵能許可〔2023〕2號顯示;廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司項(xiàng)目主要建設(shè)內(nèi)容包括:建設(shè)年產(chǎn)24萬片6英寸碳化硅基晶圓芯片生產(chǎn)線,主要建構(gòu)筑物包括生產(chǎn)廠房、生產(chǎn)調(diào)度廠房、研發(fā)廠房、綜合動力站、綜合倉庫、硅烷站、化學(xué)品庫、廢水處理站、危險品庫、大宗氣站等,主要設(shè)備包括***、涂膠顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、烘箱、高溫氧化爐管、高溫激活爐管、清洗機(jī)、冷水機(jī)組、純水制備系統(tǒng)、燃?xì)忮仩t等。項(xiàng)目能耗量和主要能效指標(biāo):項(xiàng)目建成投產(chǎn)后,年綜合能耗不高于10277噸標(biāo)準(zhǔn)煤(當(dāng)量值),其中年電力消耗量不高于6450萬千瓦時、天然氣消耗量不高于175萬立方米;項(xiàng)目集成電路晶圓制造單位產(chǎn)品電耗不高于0.72千瓦時/平方厘米。

本審查意見自印發(fā)之日起兩年內(nèi),如項(xiàng)目未開工建設(shè),自動失效。2022年11月21日,廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司芯片制造項(xiàng)目潔凈室啟動。

來源:廣東省能源局節(jié)能處

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3327

    瀏覽量

    51736

原文標(biāo)題:芯粵能半導(dǎo)體碳化硅芯片制造項(xiàng)目通過廣東省能源局節(jié)能審查

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應(yīng)用為例 傾佳電子(Changer Tech)是
    的頭像 發(fā)表于 11-24 04:57 ?145次閱讀
    傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件在全<b class='flag-5'>碳化硅</b>戶用儲<b class='flag-5'>能</b>領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    SiC碳化硅功率半導(dǎo)體市場推廣與銷售賦綜合報(bào)告

    BASiC基本半導(dǎo)體代理商SiC碳化硅功率半導(dǎo)體市場推廣與銷售賦綜合報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新
    的頭像 發(fā)表于 11-16 22:45 ?149次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場推廣與銷售賦<b class='flag-5'>能</b>綜合報(bào)告

    國星半導(dǎo)體獲評廣東省省級綠色工廠

    近日,廣東省工業(yè)和信息化廳公布省級綠色制造名單,國星光電全資子公司國星半導(dǎo)體憑借在綠色制造、節(jié)能環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域的扎實(shí)實(shí)踐與突出成效,成
    的頭像 發(fā)表于 10-16 17:06 ?622次閱讀

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    )、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件,碳化硅技術(shù)更具優(yōu)勢,尤其是在功率轉(zhuǎn)換效率和熱敏感性方面。碳化硅對電子、電力行業(yè)的整體影響可帶來更強(qiáng)的盈利能力和可持續(xù)性。 來自兩家行業(yè)領(lǐng)先半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1423次閱讀

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上,
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?871次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>1200V工業(yè)級<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1126次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?830次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>第三代<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:效革命與產(chǎn)業(yè)升級

    傳統(tǒng)IGBT,成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著效的躍升,更將重塑產(chǎn)業(yè)競爭格局。 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOS
    的頭像 發(fā)表于 06-09 07:07 ?663次閱讀
    熱泵與空調(diào)全面跨入SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>時代:<b class='flag-5'>能</b>效革命與產(chǎn)業(yè)升級

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    到IDM模式的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級路徑。國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)創(chuàng)立初期采用
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?801次閱讀

    基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

    近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-09 09:19 ?1060次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>攜<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件亮相PCIM Europe 2025

    基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

    BASiC基本股份半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?676次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

    珠海泰半導(dǎo)體入選2024年度廣東省工程技術(shù)研究中心

    近日,廣東省科學(xué)技術(shù)廳正式公示了2024年度擬認(rèn)定的廣東省工程技術(shù)研究中心名單,其中,依托珠海泰半導(dǎo)體有限公司所建立的“廣東省遠(yuǎn)距離低功耗
    的頭像 發(fā)表于 02-19 14:24 ?773次閱讀

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2477次閱讀

    安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

    此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點(diǎn)介紹
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:18 ?850次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37