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半導體行業(yè)的發(fā)展如何

半導體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 來源:半導體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 2023-01-31 18:06 ? 次閱讀
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新興科技領(lǐng)域應用的蓬勃發(fā)展,帶動中長期整體半導體行業(yè)的需求。

近期中國半導體行業(yè)的發(fā)展成為備受市場討論的議題,除了短期內(nèi)景氣向下修正之外,尚有面臨地緣政治的考驗,再加上中長期半導體行業(yè)的商機與技術(shù)發(fā)展,也是市場關(guān)注的焦點。

首先在短期景氣的變動方面,2023年上半年國內(nèi)外半導體行業(yè)難免因終端應用市場疲弱、庫存處于去化調(diào)整期,使得廠商的接單、產(chǎn)能利用率、報價、毛利率等數(shù)據(jù)皆不如2022年同期,而產(chǎn)業(yè)景氣呈現(xiàn)先穩(wěn)定后波動的機率較大,僅是2023年下半年國內(nèi)外半導體行業(yè)景氣上升的幅度,仍有待觀察,畢竟全球經(jīng)濟情勢與通膨趨勢、烏克蘭問題、中國解封后從疫情封鎖期走出的變化,皆是牽動半導體行業(yè)終端需求的表現(xiàn)。

值得一提的是,2023年下半年則可期待先進制程、車用與工控應用領(lǐng)域的成熟制程、高速信號傳輸IC、電源管理IC、車用及工控MCU、車用IC、化合物半導體、IC廠及晶圓代工廠檢測分析服務等業(yè)務的業(yè)績復蘇,其中在高速信號傳輸IC類別方面,由于英特爾Intel)、超微(AMD)陸續(xù)推出支援USB 4技術(shù)的PC新平臺,同時2023年下半年iPhone也將全面改采USB-C,顯然大廠陸續(xù)導入Tape-C,將可望提升USB 4的滲透率,進而拉高高速傳輸IC廠商的接單。

在地緣政治的考驗上,由于美國對中國半導體管制有增無減、選邊站的壓力趨增、半導體已成為戰(zhàn)略物資、各國都想要建立半導體完整供應鏈,因此半導體行業(yè)過去傳統(tǒng)運行的模式顯然已被地緣政治的動蕩所打破,未來全球半導體產(chǎn)能的分布將走向區(qū)域化、本土化、多元化,甚至從長鏈朝向短鏈方向邁進。

由可看出此波美國為確??萍及詸?quán)的絕對優(yōu)勢,藉由鉗制中國半導體業(yè)發(fā)展、關(guān)鍵供應鏈去中化、聯(lián)合盟友籌組聯(lián)盟擴大優(yōu)勢、強化美國境內(nèi)半導體生態(tài)等策略來實現(xiàn)。中國持續(xù)陷入遭到美方處處卡脖子的政策問題,欲突圍尚需由時間換取空間。

日本則是利用制定半導體戰(zhàn)略、美日聯(lián)手設立2nm芯片研發(fā)中心、成立Rapidus公司等方式來重振半導體產(chǎn)業(yè);韓國期望超越中國臺灣半導體的芯片代工地位。至于中國臺灣部分,面對中國臺灣廠商啟動多地投資,中長期資本支出負擔與競爭力維系則為各方關(guān)注的焦點,未來更需由政府和產(chǎn)業(yè)以及學術(shù)界共同籌劃中國半導體業(yè)整體發(fā)展的主要戰(zhàn)略,而究竟該如何繼續(xù)扮演全球區(qū)域化供應鏈最佳的管理者與關(guān)鍵元件或技術(shù)的生產(chǎn)者,將是中國臺灣半導體業(yè)的挑戰(zhàn)。

事實上,短期半導體行業(yè)供需調(diào)整陣痛難免,但中長期結(jié)構(gòu)性需求改變已浮現(xiàn),主要是新興科技催生各類智慧應用商機,未來半導體行業(yè)的應用將無所不在,2030年全球半導體銷售額規(guī)模有機會超過9000億美元大關(guān),若以2020~2030年終端領(lǐng)域市場規(guī)模的年復合成長率來說,汽車、工業(yè)、服務器、智能手機、PC等將依序為13%、9%、9%、6%、3%,也就是未來終端產(chǎn)品半導體含量提升、價值擴張,加上新興科技領(lǐng)域應用將蓬勃發(fā)展,皆將帶動中長期整體半導體行業(yè)的需求。而中國臺灣廠商中長期或許可聚焦高效能、低延遲、低功耗系統(tǒng)電路,以及AI邊緣運算、量子計算機、新興異質(zhì)整合半導體等領(lǐng)域,借此持續(xù)提高我國在全球半導體行業(yè)的技術(shù)層次,并擴大市場的版圖規(guī)模。

若以中長期半導體業(yè)的技術(shù)演進來說,邏輯IC先進制程將以臺積電的技術(shù)藍圖為主軸,預計2024年公司2nm將進入試產(chǎn)階段、2025年為量產(chǎn)時程,2027~2028年前可進入1.4nm的大幅量產(chǎn),2030~2031年1nm制程的發(fā)展則指日可待;而DRAM方面,2030年前不但結(jié)構(gòu)由2D DRAM創(chuàng)新到3D DRAM之外,制程微縮上更可在2025年后進化到7~5nm,2030年前逐步達到1~3nm左右;至于NAND Flash方面,未來技術(shù)將持續(xù)往3D堆疊的型態(tài)演進,2025年后可望朝超過400層來發(fā)展,并在2030年正式超越500層。

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原文標題:半導體行業(yè)發(fā)展面面觀

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