MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。 和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。

▉ 場效應(yīng)管分類

場效應(yīng)管分為結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型（MOSFET）兩種類型。

JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor，也分為N溝道和P溝道兩種，在實際中幾乎不用。

MOSFET英文全稱是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，應(yīng)用廣泛，MOSFET一般稱MOS管。

MOS管是FET的一種（另一種為JFET結(jié)型場效應(yīng)管），主要有兩種結(jié)構(gòu)形式：N溝道型和P溝道型。

根據(jù)場效應(yīng)原理的不同，分為耗盡型（當柵壓為零時有較大漏極電流）和增強型（當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流）兩種。

因此，MOS管可以被制構(gòu)成P溝道增強型、P溝道耗盡型、N溝道增強型、N溝道耗盡型4種類型產(chǎn)品。 一般主板上使用最多的是增強型MOS管，NMOS最多，一般多用在信號控制上，其次是PMOS，多用在電源開關(guān)等方面，耗盡型幾乎不用。

▉ N和P區(qū)分

每一個MOS管都提供有三個電極：Gate柵極（表示為“G”）、Source源極（表示為“S”）、Drain漏極（表示為“D”）。接線時，對于N溝道的電源輸入為D，輸出為S；P溝道的電源輸入為S，輸出為D；且增強型、耗盡型的接法基本一樣。

紅色箭頭指向G極的為NMOS，箭頭背向G極的為PMOS

▉ 寄生二極管

由于生產(chǎn)工藝，一般的MOS管會有一個寄生二極管，有的也叫體二極管。

紅色標注的為體二極管

從上圖可以看出NMOS和PMOS寄生二極管方向不一樣，NMOS是由S極→D極，PMOS是由D極→S極。

寄生二極管和普通二極管一樣，正接會導(dǎo)通，反接截止，對于NMOS，當S極接正，D極接負，寄生二極管會導(dǎo)通，反之截止；對于PMOS管，當D極接正，S極接負，寄生二極管導(dǎo)通，反之截止。

某些應(yīng)用場合，也會選擇走體二極管，以降低DS之間的壓降（體二極管的壓降是比MOS的導(dǎo)通壓降大很多的），同時也要關(guān)注體二極管的過電流能力。

當滿足MOS管的導(dǎo)通條件時，MOS管的D極和S極會導(dǎo)通，這個時候體二極管是截止狀態(tài)，因為MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻極小，一般mΩ級別，流過1A級別的電流，也才mV級別，所以D極和S極之間的導(dǎo)通壓降很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通，這點需要特別注意。 ▉ MOS管工作原理（以N溝道增強型為例）

N溝道增強型MOS管在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極（漏極D、源極S）；在源極和漏極之間的SiO2絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G；P型半導(dǎo)體稱為襯底，用符號B表示。由于柵極與其它電極之間是相互絕緣的，所以NMOS又被稱為絕緣柵型場效應(yīng)管。

當柵極G和源極S之間不加任何電壓，即VGS=0時，由于漏極和源極兩個N+型區(qū)之間隔有P型襯底，相當于兩個背靠背連接的PN結(jié)，它們之間的電阻高達1012Ω，即D、S之間不具備導(dǎo)電的溝道，所以無論在漏、源極之間加何種極性的電壓，都不會產(chǎn)生漏極電流ID。

N溝道增強型MOS管結(jié)構(gòu)示意圖

當將襯底B與源極S短接，在柵極G和源極S之間加正電壓，即VGS＞0時，如上圖所示，則在柵極與襯底之間產(chǎn)生一個由柵極指向襯底的電場。在這個電場的作用下，P襯底表面附近的空穴受到排斥將向下方運動，電子受電場的吸引向襯底表面運動，與襯底表面的空穴復(fù)合，形成了一層耗盡層。

如果進一步提高VGS電壓，使VGS達到某一電壓VT時，P襯底表面層中空穴全部被排斥和耗盡，而自由電子大量地被吸引到表面層，由量變到質(zhì)變，使表面層變成了自由電子為多子的N型層，稱為“反型層”，如下圖所示。

反型層將漏極D和源極S兩個N+型區(qū)相連通，構(gòu)成了漏、源極之間的N型導(dǎo)電溝道。把開始形成導(dǎo)電溝道所需的VGS值稱為閾值電壓或開啟電壓，用VGS（th）表示。顯然，只有VGS＞VGS（th）時才有溝道，而且VGS越大，溝道越厚，溝道的導(dǎo)通電阻越小，導(dǎo)電能力越強；“增強型”一詞也由此得來。

耗盡層與反型層產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)示意圖

在VGS＞VGS（th）的條件下，如果在漏極D和源極S之間加上正電壓VDS，導(dǎo)電溝道就會有電流流通。漏極電流由漏區(qū)流向源區(qū)，因為溝道有一定的電阻，所以沿著溝道產(chǎn)生電壓降，使溝道各點的電位沿溝道由漏區(qū)到源區(qū)逐漸減小，靠近漏區(qū)一端的電壓VGD最小，其值為VGD=VGS－VDS，相應(yīng)的溝道最薄；靠近源區(qū)一端的電壓最大，等于VGS，相應(yīng)的溝道最厚。

這樣就使得溝道厚度不再是均勻的，整個溝道呈傾斜狀。隨著VDS的增大，靠近漏區(qū)一端的溝道越來越薄。

當VDS增大到某一臨界值，使VGD≤VGS（th）時，漏端的溝道消失，只剩下耗盡層，把這種情況稱為溝道“預(yù)夾斷”，如下圖（a）所示。繼續(xù)增大VDS［即VDS＞VGS－VGS（th）］，夾斷點向源極方向移動，如下圖（b）所示。

盡管夾斷點在移動，但溝道區(qū)（源極S到夾斷點）的電壓降保持不變，仍等于VGS－VGS（th）。因此，VDS多余部分電壓［VDS－（VGS－VGS（th））］全部降到夾斷區(qū)上，在夾斷區(qū)內(nèi)形成較強的電場。這時電子沿溝道從源極流向夾斷區(qū)，當電子到達夾斷區(qū)邊緣時，受夾斷區(qū)強電場的作用，會很快的漂移到漏極。

預(yù)夾斷及夾斷區(qū)形成示意圖

▉ 導(dǎo)通條件

MOS管是壓控型，導(dǎo)通由G和S極之間壓差決定。 對NMOS來說，Vg-Vs》Vgs（th），即G極和S極的壓差大于一定值，MOS管會導(dǎo)通，但是也不能大太多，否則燒壞MOS管，開啟電壓和其他參數(shù)可以看具體器件的SPEC。

對PMOS來說，Vs-Vg》Vgs（th），即S極和G極的壓差大于一定值，MOS管會導(dǎo)通，同樣的，具體參數(shù)看器件的SPEC。

▉ 與三極管的區(qū)別

三極管是電流控制，MOS管是電壓控制，主要有如下的區(qū)別：

1、只容許從信號源取少量電流的情況下，選用MOS管；在信號電壓較低，有容許從信號源取較多電流的條件下，選用三極管。

2、MOS管是單極性器件（靠一種多數(shù)載流子導(dǎo)電），三極管是雙極性器件（既有多數(shù)載流子，也要少數(shù)載流子導(dǎo)電）。

3、有些MOS管的源極和漏極可以互換運用，柵極也可正可負，靈活性比三極管好。

4、MOS管應(yīng)用普遍，可以在很小電流和很低電壓下工作。

5、MOS管輸入阻抗大，低噪聲，MOS管較貴，三極管的損耗大。

6、MOS管常用來作為電源開關(guān)，以及大電流開關(guān)電路、高頻高速電路中，三極管常用來數(shù)字電路開關(guān)控制。

▉ G和S極串聯(lián)電阻的作用

MOS管的輸入阻抗很大，容易受到外界信號的干擾，只要少量的靜電，就能使G-S極間等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時把靜電釋放掉，兩端的高壓容易使MOS管產(chǎn)生誤動作，甚至有可能擊穿G-S極，起到一個固定電平的作用。

▉ G極串聯(lián)電阻的作用

MOS管是壓控型，有的情況下，為什么還需要在G極串聯(lián)一個電阻呢？

1、減緩Rds從無窮大到Rds（on）。

2、防止震蕩，一般單片機的I/O輸出口都會帶點雜散電感，在電壓突變的情況下，可能與柵極電容形成LC震蕩，串聯(lián)電阻可以增大阻尼減小震蕩效果。

3、減小柵極充電峰值電流。 ▉ 選型要點

1、電壓值

關(guān)注Vds最大導(dǎo)通電壓和Vgs最大耐壓，實際使用中，不能超過這個值，否則MOS管會損壞。

關(guān)注導(dǎo)通電壓Vgs（th），一般MOS管都是用單片機進行控制，根據(jù)單片機GPIO的電平來選擇合適導(dǎo)通閾值的MOS管，并且盡量留有一定的余量，以確保MOS可以正常開關(guān)。

2、電流值

關(guān)注ID電流，這個值代表了NMOS管的能流過多大電流，反應(yīng)帶負載的能力，超過這個值，MOS管也會損壞。

3、功率損耗

功率損耗需要關(guān)注以下幾個參數(shù)，包括熱阻、溫度。熱阻指的是當有熱量在物體上傳輸時，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值，單位是℃/W或者是K/W，熱阻的公式為ThetaJA = （Tj-Ta）/P，和功率和環(huán)境溫度都有關(guān)系。

4、導(dǎo)通內(nèi)阻

導(dǎo)通內(nèi)阻關(guān)注NMOS的Rds（on）參數(shù)，導(dǎo)通內(nèi)阻越小，NMOS管的損耗越小，一般NMOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都是在mΩ級別。

5、開關(guān)時間

MOS作為開關(guān)器件，就會有開關(guān)時間概念，在高速電路中，盡可能選擇輸入、輸出電容Ciss&Coss小、開關(guān)時間Ton&Toff短的MOS管，以保證數(shù)據(jù)通信正常。

6、封裝

根據(jù)PCB板的尺寸，選擇合適的NMOS管尺寸，在板載面積有限的情況下，盡可能選擇小封裝；盡量選擇常見封裝，以備后續(xù)選擇合適的替代料。

審核編輯 ：李倩