來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技SiSC
隨著光刻精度的不斷提升,晶體管尺寸微縮逐漸接近硅原子的物理極限,摩爾定律似乎步入盡頭。芯片性能的提升主要是通過(guò)工藝突破來(lái)實(shí)現(xiàn),而這一途徑的難度越來(lái)越大,隨之封裝性能的提升作為有效的補(bǔ)充越來(lái)越被重視。傳統(tǒng)封裝工藝不斷迭代出的先進(jìn)封裝技術(shù)嶄露頭角,它繼續(xù)著集成電路性能與空間在后摩爾時(shí)代的博弈。同時(shí),晶圓鍵合(Wafer Bonding)、倒裝芯片鍵合(Flip Chip Bonding)、混合鍵合等也是一項(xiàng)技術(shù)壁壘較高的新型工藝技術(shù),且工藝要求極其嚴(yán)苛。
在14nm工藝后,襯底和晶片的厚度將成倍下降,熱應(yīng)力下的翹曲效應(yīng)使得凸點(diǎn)橋接(Solder Bump Bridge) 失效異常嚴(yán)重。熱壓鍵合(TCB)、臨時(shí)鍵合和解鍵合等技術(shù)方案在不斷完善。鍵合材料從金屬鋁、銅等,再到聚合物材料的推陳出新,使得鍵合材料的創(chuàng)新與鍵合技術(shù)的發(fā)展逐漸相輔相成。
先進(jìn)封裝與鍵合工藝技術(shù)與時(shí)俱進(jìn),后摩爾時(shí)代下這一系列的技術(shù)不斷更新,支撐了先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝的向前發(fā)展。2023年2月23日,晶芯研討會(huì)將邀請(qǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈代表領(lǐng)袖和專家,從先進(jìn)封裝、鍵合設(shè)備、材料、工藝技術(shù)等多角度,探討先進(jìn)封裝與鍵合工藝技術(shù)等解決方案。大會(huì)詳情:https://w.lwc.cn/s/ue6JJj









審核編輯黃宇
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